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- [发明专利]热敏电阻-CN201210269699.2有效
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胜木隆与
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株式会社村田制作所
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2012-07-31
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2013-03-06
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H01C7/02
- 本发明提供能够抑制产生裂纹的长方体形热敏电阻。热敏电阻基体12具有彼此相对的2个端面S1,S2,为长方体形。外部电阻14a,14b分别设置在端面S1,S2上。外部电极14a,14b分别含有Cr层、Ni/Cu层、Ag层和Sn层。Cr层与热敏电阻基体12欧姆接触。Ni/Cu层设置在Cr层上。Ag层设置在Ni/Cu层上,具有0.7μm以上2μm以下的平均厚度。对热敏电阻基体12、外部电极14a、14b实施倒角加工。
- 热敏电阻
- [发明专利]半导体瓷器及其制造方法-CN96106935.X无效
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阿部吉晶;並阿康训;胜木隆与;鬼头范光
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株式会社村田制作所
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1996-06-22
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2001-05-02
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C04B35/468
- 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是称量BaCO#-[3]、SrCO#-[3]、Pb#-[3]O#-[4]、CaCO#-[3]、TiO#-[2]、Er#-[2]O#-[3]、MnCO#-[3]和SiO#-[2],使其形成(Ba#-[0.0536]Pb#-[0.08]Sr#-[0.20]Ca#-[0.18]Er#-[0.04])TiO#-[3]+0.0004Mn+0.02SiO#-[2]的组成。经混合、脱水。干燥后,在1360℃假烧2小时,将所得的假烧粉末与黏合剂混合后,制成直径18mm、厚3.6mm的形成体,在1360℃烧成1小时,在表1所示的条件下冷却,从而获得半导体瓷器。
- 半导体瓷器及其制造方法
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