“翟慎强”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管及其制备方法-CN202311011249.8在审
发明人：魏钟鸣;辛凯耀;杨珏晗;翟慎强;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
基于云母介质二维场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]环形外腔带间级联激光器及其制备方法-CN202310920335.4在审
发明人：鹿希雨;管延娇;孙瑞轩;刘舒曼;刘俊岐;王利军;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种环形外腔带间级联激光器及其制备方法，包括：带间级联激光器；在带间级联激光器的前腔面侧镀上一层减反膜；带间级联激光器的前腔面侧和后腔面侧分别设置有前腔面直透镜和后腔面直透镜；闪耀光栅，设置于前腔面直透镜的前腔面侧；镀金反射镜组，包括沿闪耀光栅的出射光路上设置的第一镀金反射镜、第二镀金反射镜和第三镀金反射镜；其中，前腔面直透镜、闪耀光栅、第一镀金反射镜、第二镀金反射镜、第三镀金反射镜及后腔面直透镜形成环形光路腔；带间级联激光器的前腔面侧发射出光信号，通过环形光路腔后，从后腔面侧再次入射到带间级联激光器。该装置可比零级衍射光输出的Littrow外腔获得更宽的光谱调谐范围和更大的输出功率。
环形外腔带间级联激光器及其制备方法

[发明专利]波长6微米的激光器的有源区和激光器-CN202111310275.1有效
发明人：程凤敏;张锦川;卓宁;翟慎强;王利军;刘俊岐;刘舒曼;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
波长微米激光器有源

[发明专利]量子级联激光器与光纤耦合器件-CN202310777042.5在审
发明人：许云飞;孙永强;张锦川;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提供一种量子级联激光器与光纤耦合器件，包括：有源层，为多层量子阱结构，包括光栅区域和光放大区域，所述光栅区域设置在所述有源层一端，包括在所述有源层表面设置的分布式反馈光栅，所述光放大区域设置在所述有源层另一端，并与所述光栅区域相邻；无源层，所述无源层一端与所述有源层的光放大区域端面对接，另一端与光纤直接耦合。依靠无源波导两端分别与有源区和光纤的对接和粘接，实现低损耗高耦合效率的光耦合，光纤与无源波导的粘接不会影响有源区的工作状态，且无任何外接光学元件的激光器光纤直接耦合，满足了目前对激光器光纤集成器件小型化和稳定性的要求。
量子级联激光器光纤耦合器件

[发明专利]拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法-CN202310714261.9在审
发明人：刘俊鸿;许云飞;张锦川;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供一种拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法，拓扑面发射量子级联激光器的制备方法包括：在衬底上依次形成金属键合层、有源层和上接触层；利用掩膜版对上接触层进行光刻显影，在掩膜版的带图案的位置涂覆光刻胶，之后对上接触层进行带胶的金属的电子束蒸发，形成金属层；对带胶的金属层进行剥离，得到金属拓扑图形层；以及对上接触层进行腐蚀，以在金属拓扑图形层的边缘形成吸收边界，以增强回音壁模式的吸收损耗，使拓扑面发射量子级联激光器保持在拓扑模式的工作状态。
拓扑发射量子级联激光器以及制备方法

[发明专利]连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法-CN202110971500.X有效
发明人：郭强强;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;卓宁;翟慎强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本公开提供了一种连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法，该激光器包括：衬底；微腔，包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和半绝缘InP：Fe层；上波导层内设有一凹槽，半绝缘InP：Fe层形成于上波导层的凹槽中；正面电极；背面电极；钝化层，形成于微腔的裸露区域。本公开提供的激光器利用半绝缘InP：Fe层的高阻特性在保持模式增益不变的情况下，降低输入电流，提高电光转化效率，从而降低工作温度；并利用半绝缘InP：Fe层与上波导层折射率相近的特性以及较低的损耗，保证微腔的模式分布，从而保证微腔的品质因子；在微腔的裸露区域覆盖钝化层，限制微腔侧壁表面态热激活导致的电流泄漏。
连续量子级联激光器制备方法

[发明专利]电吸收调制量子级联激光器集成芯片及制备方法-CN202211293161.5在审
发明人：刘俊岐;鹿希雨;杨科;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁;刘舒曼;王利军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开涉及红外通信光电子器件技术领域，尤其涉及一种电吸收调制量子级联激光器芯片及制备方法。其中，该电吸收调制量子级联激光器芯片，包括：分布反馈量子级联激光器区，用于生成中远红外种子激光；电吸收量子级联调制器区，用于对中远红外种子激光进行调制，得到调制后的中远红外种子激光；量子级联光放大器区，用于对调制后的中远红外种子激光进行放大，得到放大调制后的中远红外种子激光。本公开提供的电吸收调制量子级联激光器芯片可以单片集成，并同时兼顾高调制速率与高输出功率。
吸收调制量子级联激光器集成芯片制备方法

[发明专利]微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法-CN202110487994.4有效
发明人：朱怡璇;刘俊岐;翟慎强;梁平;黎昆;刘舒曼;胡颖;王利军;张锦川;卓宁;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。
耦合量子级联红外探测器及其制备方法

[发明专利]分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法-CN202011533170.8有效
发明人：李利安;赵方圆;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法，该制备方法包括制备第一过渡转移片；将二维材料放置在两个第一过渡转移片中间，其中，两个第一过渡转移片的金属薄膜层均与二维材料接触；加热第一过渡转移片，使部分二维材料融化嵌入金属薄膜层中，冷却后将两个第一过渡转移片分离，得到附有二维材料的第二过渡转移片；将第二过渡转移片附有二维材料的一面与待转移的衬底接触；加热衬底使二维材料附着在衬底上，降温后将第二过渡转移片与衬底分离，得到附有二维材料的衬底。本发明所述方法无需使用胶带等有机粘性物质，即可实现二维材料的解理、减薄、并转移至常规分子束外延衬底，所得衬底晶体质量高、无污染，超高真空兼容。
分子外延兼容二维材料衬底制备方法

[发明专利]短波量子级联激光器结构及其制备方法-CN202211022360.2在审
发明人： 翟慎强;费腾;张锦川;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种短波量子级联激光器结构及其制备方法，该短波量子级联激光器结构包括：N型磷化铟衬底，N型磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下波导、量子级联增益区结构、N型磷化铟上波导、N型磷化铟渐变掺杂层和N型磷化铟上接触高掺层；其中，量子级联增益区结构为多周期应变补偿的量子阱和量子垒的交替结构，与N型InP衬底晶格失配；量子阱的材料为铟镓砷，量子垒为铟铝砷、砷化铝和铟铝砷材料依次外延生成。该激光器结构降低了外延生长短波量子级联激光器的难度，能提高材料生长的容错性，可以提高注入效率，降低载流子热逃逸几率，提高了器件的工作温度。
短波量子级联激光器结构及其制备方法

[发明专利]量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片-CN202211002443.5在审
发明人：孙瑞轩;宁超;刘舒曼;张锦川;卓宁;王利军;刘俊岐;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。
量子级联激光器有源单元外延结构芯片

[发明专利]大应变红外量子级联激光器及其制备方法-CN202210614027.4在审
发明人： 翟慎强;孙永强;费腾;张锦川;刘俊岐;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供一种大应变红外量子级联激光器及其生长方法，自下而上包括：InP下波导层、量子阱级联层、InP上波导层；其中，量子阱级联层是多周期级联的，其每个周期包括：8～12周期的量子阱层/势垒层，为InGaAs/InAlAs超晶格材料；低应变InGaAs层；匹配InGaAs层。本公开的量子级联激光器通过在多个量子阱层/势垒层周期间插入低应变InGaAs层阻断表面缺陷，插入匹配InGaAs层改善材料表面平整度，从而避免大应变材料生长过程中产生缺陷的积累，最终制备获得高质量外延材料。
应变红外量子级联激光器及其制备方法

[发明专利]量子级联激光器及其制作方法-CN202210627326.1在审
发明人： 翟慎强;孙永强;费腾;张锦川;刘俊岐;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子级联激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域，量子级联激光器包括衬底层；下波导层，位于衬底层上；有源层，位于下波导层上，并包括多个注入层，位于下波导层上；以及多个发光层，发光层的电子由高能级向低能级跃迁，适用于激发电子产生激发光；其中，发光层和注入层相互交替周期层叠为级联结构，每个注入层抽取位于注入层上层的相邻发光层的低能级电子并将低能级电子输送至与注入层相邻的上一周期的发光层，以形成高能级电子，从而在属于相邻的两个周期的发光层之间运输电子；以及上波导层，位于发光层上，能够实现高集中的高能级电子数，从而实现大规模的高功率的量子级联的激光器。
量子级联激光器及其制作方法

[发明专利]量子点的制备方法-CN202210477996.X在审
发明人： 翟慎强;李利安;辛凯耀;杨珏晗;魏钟鸣;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本公开提供一种量子点制备方法，包括：采用二维材料制备二维材料衬底；将二维材料衬底置于生长腔中，升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度；通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面，使反应物以范德华外延模式在二维材料衬底的表面依次经过吸附、脱附、迁移、成核、长大的动力学反应过程以生长量子点。该方法以二维材料为衬底生长量子点，不需要特定晶格匹配条件，甚至在晶格对称性不一样的情况下，也能够实现量子点的生长。
量子制备方法

[发明专利]带间级联激光器外延结构、激光器、芯片及制备方法-CN202210433416.7在审
发明人：宁超;孙瑞轩;刘舒曼;张锦川;王利军;刘俊岐;卓宁;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种带间级联激光器外延结构，所述带间级联激光器外延结构包括在衬底上依次生长的缓冲层、下超晶格包层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、上超晶格包层和盖层，所述盖层采用厚度大于10nm，且与所述衬底材料晶格匹配的单一成分的材料。本公开还提供了一种带间级联激光器及其制备方法、带间级联激光器芯片及其制备方法。
级联激光器外延结构芯片制备方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条