“罗俊岗”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种棒材四线切分轧制加工设备-CN202220323988.5有效
发明人：纪绍波;李俊平;张世伟;苗信卫;薛俊兵;贺帅;罗俊岗 -专利权人：山西美锦钢铁有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B21F13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属压力加工技术领域，尤其涉及一种棒材四线切分轧制加工设备。其技术方案包括：底座和导卫基座，其特征在于：所述底座顶部一侧安装有轧机B，所述底座顶部位于轧机B内侧安装有轧机A，所述底座顶部位于轧机A内侧位置处安装有预切分轧机，所述预切分轧机内部安装有轧辊组，所述底座顶部中间位置处安装有切分轧机B，所述切分轧机B内部安装有切分轧辊组A，所述底座顶部位于切分轧机B背离预切分轧机的一侧安装有切分轧机A，所述切分轧机A内部安装有切分轧辊组B，本实用新型采用一切二，二切四的方式对钢材进行切分，有效提高产品质量，并通过在成型轧机入口处设置三组可单独控制的导卫轮组，提高产品生产的稳定性。
一种棒材四线切分轧制加工设备

[实用新型]一种自动化包装控制设备-CN202220157674.2有效
发明人：闫志宏;边永振;吴艳杰;苗信卫;孙俊宾;王富龙;罗俊岗 -专利权人：山西美锦钢铁有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B65B27/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及自动化包装技术领域，尤其涉及一种自动化包装控制设备，包括第一箱体、第一液压缸、安装板、安装块、第二液压缸、第二箱体、滚筒和安装座，所述第一箱体上端设置有第一转盘，所述第一转盘上端设置有第一液压缸，所述第一液压缸上端设置有安装板，所述安装板一侧下端设置有安装块，所述安装块外壁设置有呈环形阵列分布的第二液压缸，所述第一箱体一侧设置有第二箱体，所述第二箱体上端设置有第二转盘，所述第二转盘上端设置有安装座，所述安装座内部设置有滚筒。本实用新型具有预调节高效包装的功能，解决了现有的钢卷打包设备缺少高效自动化包装功能的问题，使得钢卷在进行打包的时候会浪费大量的时间，影响产量。
一种自动化包装控制设备

[实用新型]一种轧制提速质量控制设备-CN202220159764.5有效
发明人：曹合伟;纪绍波;李俊平;张世伟;苗信卫;薛俊兵;罗俊岗 -专利权人：山西美锦钢铁有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B21B45/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及轧制质量检测技术领域，尤其涉及一种轧制提速质量控制设备，包括管体、移动槽、安装板和定位轮，所述管体内部设置有移动槽，所述移动槽一侧设置有电机，所述移动槽内部设置有安装槽，所述安装槽内部设置有安装板，所述安装板上端设置有定位轮。本实用新型具有调节轧制钢管表面处理位置的功能，解决了现有的穿水冷却系统缺少螺纹的位置调节功能的问题，使得无法高效去除金属棒表面的气泡膜，影响工作效果。
一种轧制提速质量控制设备

[实用新型]一种边射型半导体激光器芯片结构-CN201920099157.2有效
发明人：师宇晨;王兴;罗俊岗;张西璐;刘虎强;刘晨;赵小亮;刘阿娟;李登科;席人杰;李长超 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种边射型半导体激光器芯片结构，包括InGaAsP量子阱层、InP包覆层、金属接触层铟镓砷层和P型掺杂InP层；InGaAsP量子阱层的一端设置有InP包覆层生长面，InP包覆层生长面的上表面低于InGaAsP量子阱层的上表面；InP包覆层设置在InP包覆层生长面，InP包覆层的上表面与InGaAsP量子阱层上表面齐平；P型掺杂InP层设置在InGaAsP量子阱层和InP包覆层的上表面；金属接触层铟镓砷层设置在P型掺杂InP层的上表面。本实用新型在端面量子阱尖角结构处，由于量子阱区厚度被缩小，导致在这一区域量子阱对光的束缚能力减弱，从而达到减小激光器芯片的发散角的目的。
包覆层量子阱层上表面半导体激光器芯片金属接触层铟镓砷层量子阱生长面射型本实用新型激光器芯片上表面齐平尖角结构量子阱区束缚能力一端设置发散角减小生长

[实用新型]一种双量子阱电吸收调制激光器-CN201720678135.2有效
发明人： 罗俊岗;潘彦廷;李马惠;王兴;师宇晨;燕聪慧;杨亚楠;杨英;陈怡婷 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双量子阱电吸收调制激光器，包括设置在顶部的包层和设置在底部的n‑型InP衬底，以及从下到上依次设置在n‑型InP衬底和顶部的包层之间的调制器多量子阱、激光器多量子阱和光栅层，以及设置在两端的高反射膜和抗反射膜，通过在激光器下方设置调制器的量子阱，不需要在激光器量子阱的出光端对接调制器的量子阱，改善了一般EML遇到的缺点，工艺简单易控制，带宽易提升，耦光效率、高温高频特性优异，并适用于单片集成和大规模生产。
一种量子吸收调制激光器

[实用新型]一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片-CN201720677718.3有效
发明人：王兴;潘彦廷;李马惠;师宇晨;张海超;罗俊岗 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片，包括第一磷化铟层，第一磷化铟层上沿水平方向依次设置有前端光波导区、有源增益区和后端光波导区，有源增益区包括有源区和设置在有源区上的第二磷化铟层，前端光波导区和后端光波导区均包括自上而下依次设置的保护层、光通道层和缓冲层，第一磷化铟层的长度为微米200微米～300微米，本实用新型在激光器芯片两端形成两延伸区域，此延伸区域让25Gb/s激光器芯片与原有的单区结构形成新型的三区结构，从而做到增加25Gb/s激光器芯片长度至200微米以上，不受限于划裂的物理限制。
一种便于切割 25 gb 高速激光器芯片

[实用新型]一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构-CN201720685929.1有效
发明人：张海超;潘彦廷;罗俊岗;王兴;师宇晨;刘从军 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层，光栅层靠近高反射镀膜层一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期，在此距离范围内芯片的SMSR最大，从而提高了芯片的SMSR特性，从而大幅提高芯片良率，且此结构的工艺技术简单，稳定，成本低。
一种改善激光器芯片抑制新型结构

[实用新型]一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片-CN201720678133.3有效
发明人：李马惠;潘彦廷;卫思逸;王昱玺;冯旭超;穆瑶;师宇晨;王兴;罗俊岗;刘从军;张海超;王娜;党晓亮 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片，包括基板，基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW，DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接，DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层，DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5～0.8，通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层，大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性，有了这种结构后，EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面，也能够达到抗反射特性，从而降低了制造工艺复杂性，降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。
一种反射吸收调制半导体激光器芯片

[发明专利]一种可视化生物传感器件及其制备方法-CN201310626273.2无效
发明人：吴春霞;宋泽琳;张双鸽;罗俊岗;方雯雯;陈智梁 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种可视化生物传感器件及其制备方法，融合石墨烯量子点多色荧光的优良光电特性及其生物学方面的优点，采用湿化学方法制备出不同尺寸和不同发光颜色的石墨烯量子点样品，充分考虑石墨烯量子点的表面与边缘的化学特性及后续生物分子的组装，选择适当的化学基团对GQD表面及边缘功能化处理，在不同荧光石墨烯量子点分别组装不同生物分子构建生物传感器。生物分子对GQD荧光具有不同的影响，光谱强度、峰值位置等特征参数与生物分子浓度、种类之间存在定量关联，在此基础上直接进行可视化分子探测，可应用于生物医学检测和分析，为疾病诊疗提供更准确的参考；且便于检测多种生物分子。
一种可视化生物传感器件及其制备方法

1
共 9 条