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[实用新型]一种热电炉人孔密封结构-CN202123255992.7有效
发明人： 缪小虎 -专利权人：南京康华建筑设备安装有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种热电炉人孔密封结构，涉及热电炉的领域，包括封堵块和安装架，封堵块设置在人孔内，且封堵块与热电炉之间通过连接组件固定连接，安装架架设在热电炉的上表面，安装架上设置有用于带动封堵块抬升的升降组件。本申请具有提高操作者检修热电炉工作效率的作用。
一种电炉密封结构

[实用新型]升降式气阀拆装装置-CN202123373088.6有效
发明人： 缪小虎 -专利权人：南京康华建筑设备安装有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B25H1/16 文献下载
摘要：本申请涉及升降式气阀拆装装置，用于气阀拆装的技术领域，其包括安装板，所述安装板上设有液压缸，所述液压缸的输出端设有连接板，所述连接板上设有安装块，所述安装块上开设有安装槽，气阀与所述安装槽的槽壁相互抵紧。本申请具有的技术效果是：当需要驱动气阀移动时，工作人员可以通过启动液压缸的方式带动连接进行移动，继而带动连接板上的安装块进行移动，最后带动安装块上的气阀移动，使得工作人员可以通过启动液压缸的方式，自动的对气阀进行升降操作。
升降气阀拆装装置

[发明专利]微流道散热芯片及其制备方法-CN201610226989.7有效
发明人：付思齐;时文华;李翔;刘彬;缪小虎;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述第三微流通道分别位于所述第二微流通道两侧；所述隔离层上开设有与所述第一微流通道对应的第一通孔、以及与所述第三微流通道对应的第二通孔。本发明提供的微流道散热芯片及其制备方法，所述微流道散热芯片通过将第一、第三微流通道与第二微流通道设置为不同深度来实现对流经其内的液体的流速进行控制，从而能够精确控制散热效果；而且通过所述制备方法制备出的微流道散热芯片成本较低、适用于批量生产。
微流道散热芯片及其制备方法

[发明专利]一种光纤准直器夹具的制造方法及光纤准直器夹具-CN201410783266.8有效
发明人：付思齐;时文华;刘彬;缪小虎;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤准直器夹具的制造方法，包括：S1、对双抛硅片作热氧化处理生成热氧化层；S2、去除双抛硅片的第一面的第一热氧化层，并在与所述第一面相对的第二面的第二热氧化层上沉积氮化硅薄膜层；S3、自所述双抛硅片的所述第一面以光刻胶为掩膜进行深硅刻蚀，形成延伸至所述第二热氧化层的第一槽；S4、自所述双抛硅片的所述第一面刻蚀至特定深度，完成第二槽的深硅刻蚀，以容纳光线准直器，其中，所述第二槽连通所述第一槽且宽度大于所述第一槽，所述第二槽的深度小于所述第一槽；S5、划片及清洗。本发明还提供了一种光纤准直器夹具，比传统方法制作的夹具精度更高，且工艺简单、成本低，适于批量生产。
一种光纤准直器夹具制造方法

[发明专利]一种小面积图形刻蚀深度的测量方法-CN201410805198.0有效
发明人：苏瑞巩;缪小虎;李晓伟;时文华;熊敏;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种小面积图形刻蚀深度的测量方法，包括：提供一参考样品，设置多个面积不同的刻蚀参考区并进行刻蚀，测量刻蚀参考区的刻蚀面积与刻蚀速度，建立刻蚀面积与刻蚀速度的模型；提供一刻蚀衬底，设置第一刻蚀图形和第二刻蚀图形；其中，第一刻蚀图形的面积大于第二刻蚀图形的面积；以相同的刻蚀工艺分别在第一刻蚀图形和第二刻蚀图形内刻蚀所述衬底；测量第一刻蚀图形的刻蚀深度并计算第一刻蚀图形的刻蚀速度；根据第一刻蚀图形的刻蚀速度及其面积前述的模型进行校正；根据校正后的刻蚀面积与刻蚀速度的模型计算第二刻蚀图形的刻蚀速度，并进一步计算得到第二刻蚀图形刻蚀深度。
刻蚀刻蚀图形测量面积图形参考区衬底校正参考样品刻蚀工艺模型计算

[发明专利]一种离子迁移管的制作方法-CN201310348938.8有效
发明人：时文华;缪小虎;付思齐;刘彬 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子迁移管的制作方法，在硅基衬底表面沉积金属电极，并对硅基衬底进行刻蚀，以形成独立的一对叉指电极，再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔，将玻璃基片与硅基衬底粘合，且使叉指电极所在区域内嵌于孔中，根据需要将玻璃基片进行切片，以形成离子迁移管。本发明利用硅基衬底与玻璃基片实现电绝缘的两对电极，并形成离子迁移通道，再根据实际需要将玻璃基片进行切片，形成离子迁移管，实现离子迁移管的微型化。
一种离子迁移制作方法

[发明专利]一种夹具及其制造方法-CN201610048965.7在审
发明人：付思齐;时文华;李翔;刘彬;缪小虎;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明提供一种夹具，用于夹持光纤准直器，所述夹具包括从上而下依次堆叠设置的硅基本体、第一薄膜层以及第二薄膜层，所述硅基本体顶部设置有第一导向孔，所述第一导向孔底部向下延伸出一限位孔，所述限位孔贯穿所述硅基本体到达所述第一薄膜层。本发明还提供了所述夹具的制造方法，本发明提供的夹具能够对所述光纤准直器进行精确限位，所述夹具制造方法简单，通过所述方法制造出的夹具，能够将光纤准直器的固定误差控制在20微米之内，所述夹具生产成本较低、适用于批量生产。
一种夹具及其制造方法

[发明专利]一种亚微米双台阶图形的制备方法-CN201410720462.0在审
发明人：时文华;付思齐;刘彬;缪小虎 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种亚微米双台阶图形的制备方法，包括以下步骤：提供掩膜版，所述掩膜版上设置有若干个图形，提供样品，所述样品放置于所述掩膜版的下方；在所述掩膜版与样品之间设置光刻胶，采用光刻方法对所述样品上的掩膜版进行曝光，形成光刻胶形貌；采用刻蚀方法，将所述光刻胶形貌转移至所述样品上；去除所述光刻胶。本发明提供的一种亚微米双台阶图形的制备方法，通过一次光刻和刻蚀工艺，实现了亚微米图形的制备，同时，利用周期性图形的光学衍射效应，实现了亚微米图形的双台阶制备，具有工艺简单、易于操作、可控性强的特点，降低了制备成本，极大地满足了工艺复杂器件的制备需求。
一种微米台阶图形制备方法

[发明专利]量子阱红外探测器的制作方法-CN201310008615.4有效
发明人：时文华;缪小虎;苏瑞巩;熊敏;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法，通过引入自对准工艺，完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤：1、光栅光刻与刻蚀；2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极；3、利用上电极金属作为掩膜，刻蚀形成台面；4、钝化层制备；5、钝化层开孔；6、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属下电极。本发明相对传统的先刻蚀台面隔离的制造方法，可省略电极金属与台面之间的对准光刻，大大降低了工艺难度，并且上下金属电极可分别控制金属成分与厚度，会提高后期芯片与In柱倒装的可靠性。
量子红外探测器制作方法

[发明专利]深硅刻蚀方法-CN201210333095.X有效
发明人：付思齐;时文华;缪小虎;周韦娟;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种深硅刻蚀方法，用以形成台阶结构的沟槽，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有形成所述沟槽的窗口，利用分割线对所述窗口进行分割，所述分割线为不同台阶的分界线；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述分割线形成的掩膜部分。本发明的深硅刻蚀方法，可以凭借单次刻蚀形成多种不同深度台阶的沟槽，成本低，成功率高。
刻蚀方法

[发明专利]一种三维波导结构及其制作方法-CN201210064678.7无效
发明人：时文华;付思齐;缪小虎;周韦娟;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明设计光学技术领域，尤其是一种三维波导结构及其制作方法，包括以下步骤：在基底上生长下包层；在下包层上生长第一波导芯层；然后刻蚀第一波导芯层，控制刻蚀深度至下包层，形成第一波导层；控制生长温度70℃～200℃，生长第一隔离层；剥离第一波导层表面的第一隔离层，并采用化学机械抛光法降低第一隔离层及第一波导层表面粗糙度；控制生长温度70℃～200℃，生长第二隔离层；在第二隔离层上生长第二波导芯层；然后刻蚀第二波导芯层，控制刻蚀深度至在第二隔离层，形成第二波导层；在所述第二隔离层及第二波导层表面生长上包层，获得三维波导结构。通过本发明方法制作的三维波导能大大减少波导交叉损耗，达到忽略损耗的程度。
一种三维波导结构及其制作方法

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