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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有多阴极的沉积系统-CN201980039104.4有效
发明人： 维布什·金达尔;桑杰·巴特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本案公开一种沉积系统及其操作方法。此沉积系统包括阴极组件，此阴极组件包含旋转磁体组件，此旋转磁体组件包含围绕内周磁体的多个外周磁体。
具有阴极沉积系统

[发明专利]多阴极沉积系统-CN201980050474.8有效
发明人：桑杰·巴特;维布什·金达尔;K·马诺哈兰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：公开了一种物理气相沉积(PVD)腔室及一种操作该PVD腔室的方法。描述了腔室及方法，所述腔室及所述方法提供了一种腔室，该腔室包括减少颗粒缺陷的轮廓、温度控制和/或测量、和/或电压颗粒捕集器中的一个或多个以减少处理缺陷。
阴极沉积系统

[发明专利]远紫外掩模吸收材料-CN202180032270.9在审
发明人：刘树围;维布什·金达尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外掩模坯料制造方法和生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂层，吸收剂层由碳和锑制成。
紫外吸收材料

[发明专利]远紫外掩模吸收剂材料-CN202180031444.X在审
发明人：刘世宇;刘树围;维布什·金达尔;阿泽丁·泽拉德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外(EUV)掩模坯料制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂。吸收剂包括多个双层，双层包括硅的第一层和选自下方群组的第二层，群组由TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt；TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt的氧化物；和TaSb、CSb、TaNi、TaCu、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt的氮化物所组成。
紫外吸收剂材料

[发明专利]极紫外掩模吸收体材料-CN202180025009.6在审
发明人：刘树围;刘世玉;阿泽丁·泽拉德;维布什·金达尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：公开了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法和用于其的生产系统。EUV掩模坯料包含：基板；反射层的多层堆叠，在基板上；覆盖层，在反射层的多层堆叠上；及吸收体，在覆盖层上。吸收体包含第一层及第二层，第一层选自由以下所组成的群组：Mo、Nb、V、Mo、Nb和V的合金、Mo的氧化物、Nb的氧化物、V的氧化物、Mo的氮化物、Nb的氮化物和V的氮化物，第二层选自由以下所组成的群组：TaSb、CSb、SbN、TaNi、TaCu和TaRu。
紫外吸收体材料

[发明专利]极紫外掩模坯料硬掩模材料-CN202180011137.5在审
发明人：刘树围;肖文;维布什·金达尔;阿泽丁·泽拉德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：揭示了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包含：基板；反射层的多层堆叠，位于基板上；覆盖层，位于反射层的多层堆叠上；吸收体层，位于覆盖层上，所述吸收体层包含含锑材料；以及硬掩模层，位于吸收体层上，所述硬掩模层包含选自由CrO、CrON、TaNi、TaRu及TaCu所组成的群组的硬掩模材料。
紫外坯料硬掩模材料

[发明专利]物理气相沉积系统与处理-CN202080014494.2在审
发明人：肖文;维布什·金达尔;桑杰·巴特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本案揭示了一种物理气相沉积(PVD)腔室及其操作方法。描述了提供包括上屏蔽件的腔室的腔室和方法，所述上屏蔽件具有两个孔，两个孔被定位成允许从两个靶交替溅射。
物理沉积系统处理

[发明专利]物理气相沉积靶材组件-CN202080009371.X在审
发明人：肖文;桑杰·巴特;刘树围;维布什·金达尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：披露了物理气相沉积靶材组件、包括靶材组件的PVD腔室和使用所述靶材组件制造EUV掩模坯料的方法。靶材组件包括：相邻于靶材并围绕靶材的周边边缘的靶材屏蔽件，靶材屏蔽件包括绝缘材料；和非绝缘外周边装置夹，用于将靶材屏蔽件固定至所述组件。
物理沉积组件

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