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[发明专利]半导体激光装置及制造方法-CN200480031094.3无效
发明人：宫地护;木村义则;竹间清文 -专利权人：日本先锋公司
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：提供一种激光光束的发光点间隔小的半导体激光装置及其制造方法。具有半导体基板(12a)和激光振荡部(10a)的第1发光元件(1a)和具有激光振荡部(4a)的第2发光元件(2a)使激光振荡部(10a)的脊形波导(8a)和激光振荡部(4a)的脊形波导(5a)相面对，并利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接。与脊形波导(8a)上的欧姆电极层(9a)电连接的导电性布线层(Qa1)和与脊形波导(5a)上的欧姆电极层(6a)电连接的导电性布线层(Qa2)分别延伸到半导体基板(12a)上的绝缘层(11a)，在半导体基板(12a)的底面和激光振荡部(4a)的表面分别形成欧姆电极(Pa1、Pa2)。在向欧姆电极(Pa1)和布线层(Qa1)之间提供驱动电流时，激光振荡部(10a)射出激光光束，在向欧姆电极(Pa2)和布线层(Qa2)之间提供驱动电流时，激光振荡部(4a)射出激光光束。由于利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接激光振荡部(4a、10a)，所以能够形成发光点间隔小的半导体激光装置。
半导体激光装置制造方法

[发明专利]半导体激光装置的制造方法-CN200480024180.1无效
发明人：宫地护;木村义则;竹间清文 -专利权人：日本先锋公司
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种多波长半导体激光装置的制造方法。其具有良好的批量生产性。首先制成在半导体基板(SUB1)上形成有由多层体构成的第1激光谐振部(1a)和金属粘接层的第1中间生成体，以及在支撑基板上形成有比第1激光谐振部(1a)小的由多层体构成的第2激光谐振部(2a)和与其邻接的槽，并且形成有由金属构成的粘接层的第2中间生成体，然后使波导路(1b、2b)接近，使第1、第2中间生成体的粘接层彼此熔接，生成一体化的粘接层(CNT)，在将第1、第2激光谐振部(1a、2a)固定粘接后，将支撑基板从第2激光谐振部(2a)剥离，使粘接层(CNT)的一部分露出，从而制造出以该露出的粘接层为共用电极的半导体激光装置。
半导体激光装置制造方法

[发明专利]集成半导体发光元件及其制造方法-CN200510002411.5无效
发明人：木村义则;宫地护;竹间清文 -专利权人：先锋株式会社
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：提供一种适合于安装在拾波器上的集成半导体发光元件。本发明的集成半导体发光元件(LDA)具有：叠层在半导体基板(SUB1)上的第1激光谐振部(LD1)；以薄膜层的状态叠层形成的凸状第2激光谐振部(LD2)，第2激光谐振部(LD2)嵌合在与第1激光谐振部(LD1)邻接并形成于半导体基板(SUB1)上的槽(R)中，通过金属粘接层(CNT)粘接至少第1激光谐振部LD1、第2激光谐振部(LD2)和槽(R)。第1激光谐振部(LD1)的发光点(A)和第2激光谐振部(LD2)的发光点(B)在与第1、第2激光谐振部(LD1、LD2)的叠层方向正交的大致同一水平方向上隔开配置。
集成半导体发光元件及其制造方法