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[发明专利]电子部件-CN201710059808.0有效
发明人： 竹岛勉;柴田信悦;斋藤博纪;工藤仁 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01G4/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子部件，所述电子部件具备：压敏电阻，其具有：具有相互相对的一对主面并且从一对主面的相对方向来看呈现圆环状的压敏电阻素体、和在压敏电阻素体的一个主面上相互分开配置的多个电极；以及电容器，其具有：呈现长方体形状的电容器素体、配置于电容器素体内的内部电极、和配置于电容器素体的相互相对的一对侧面侧的第1端子电极和第2端子电极，一个电极与第1端子电极、以及另一个电极与第2端子电极电连接，电容器的静电容量大于压敏电阻的静电容量。
电子部件

[发明专利]焊料层形成方法-CN200510136174.1无效
发明人：白川幸彦;大泷春一;竹岛勉 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于容易而高效率地形成具有固定厚度的焊料层的方法。在电极的表面上形成焊料层时，将熔融焊料隔开距离地供给到电极的表面，从而在电极的表面上形成焊料层。
焊料形成方法

[发明专利]压敏非线性电阻器陶瓷，制造方法和压敏非线性电阻器-CN200510079161.5有效
发明人：人见笃志;松岡大;千田直树;小笠原稔;竹岛勉;直井克夫 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-11-15 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。
非线性电阻器陶瓷制造方法

[发明专利]压敏非线性电阻器陶瓷、制造方法和压敏非线性电阻器-CN01137696.1有效
发明人：人见笃志;松岡大;千田直树;小笠原稔;竹岛勉;直井克夫 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-11-15 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。
非线性电阻器陶瓷制造方法