专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202010833768.2有效
  • 李永亮;程晓红;李俊杰;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2020-08-18 - 2023-10-13 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备,涉及半导体技术领域,在抑制源区和漏区向半导体衬底漏电的情况下,提高半导体器件的性能。该半导体器件包括半导体衬底、堆叠结构、源区、漏区、栅堆叠和隔离结构。堆叠结构形成在半导体衬底上。堆叠结构包括多层间隔分布的半导体材料层。每层半导体材料层均包括源形成区、漏形成区、以及位于源形成区和漏形成区之间的沟道区。源区至少包括每一层半导体材料层位于源形成区的部分,漏区至少包括每一层半导体材料层位于漏形成区的部分。栅堆叠环绕在每一沟道区的外围。隔离结构位于相邻源形成区之间、源形成区和半导体衬底之间,以及相邻漏形成区之间、漏形成区和半导体衬底之间。
  • 一种半导体器件及其制造方法电子设备
  • [发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202010402582.1有效
  • 李永亮;程晓红;张青竹;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2020-05-13 - 2023-10-13 - H01L21/8238
  • 本发明公开一种半导体器件及其制作方法,涉及半导体技术领域,以减少PMOS器件中导电沟道的缺陷,提高半导体器件的性能。所述半导体器件的制作方法包括:提供一衬底,衬底包括N阱区和P阱区。在衬底上形成第一半导体材料层,第一半导体材料层至少覆盖在P阱区上。在衬底上形成第二半导体材料层,第二半导体材料层覆盖在N阱区上。第二半导体材料层所含有的材料不同于第一半导体材料层所含有的材料。在衬底上形成至少两个鳍状结构。在相邻鳍状结构之间形成浅槽隔离层。所述半导体器件采用上述半导体器件的制作方法制作形成。
  • 一种半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202010628369.2有效
  • 李永亮;程晓红;李俊杰;张青竹;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2020-07-01 - 2023-10-13 - H01L27/088
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备,涉及半导体技术领域,用于在无损伤半导体器件内部结构的前提下形成阻挡层,抑制寄生沟道漏电,提高半导体器件的性能。所述半导体器件包括:衬底、堆叠结构、扩散掺杂叠层和栅堆叠结构。堆叠结构包括阻挡层和有源层。有源层包括源区、漏区和沟道区。沟道区分别与源区和漏区接触。扩散掺杂叠层形成在衬底上。扩散掺杂叠层至少环绕在阻挡层的外侧壁。扩散掺杂叠层用于向阻挡层扩散杂质。扩散至阻挡层内的杂质的掺杂类型与源区和漏区内杂质的掺杂类型相反。栅堆叠结构形成在沟道区外周。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
  • 一种半导体器件及其制造方法电子设备
  • [实用新型]一种钢筋矫正装置-CN202320581963.X有效
  • 程晓红;聂根良;蒋明慧;张慧峰 - 四川工程职业技术学院
  • 2023-03-22 - 2023-08-22 - B21F1/02
  • 本申请公开了一种钢筋矫正装置,涉及钢筋生产技术领域,包括矫正框,所述矫正框的内部设置有隔板和带漏网的第一固定板,所述隔板上设置有用于矫正钢筋的矫正机构,所述第一固定板上设置有与所述矫正机构同轴的清扫机构,所述清扫机构用于清除所述钢筋上的铁屑。本申请通过矫正机构对钢筋进行矫正后,再利用清扫机构对钢筋矫正过程中钢筋上残留的铁屑进行清理,装置具有对铁屑进行集中收集的优点,工人不再需要进行废屑清扫,降低了工人的工作负担。
  • 一种钢筋矫正装置
  • [实用新型]一种穿刺定位装置-CN202223363457.8有效
  • 李超;程晓红 - 中国人民解放军东部战区总医院
  • 2022-12-14 - 2023-08-04 - A61B17/34
  • 本实用新型公开了一种穿刺定位装置,包括弧形限位板以及底座,所述底座与弧形限位板滑动配合,还包括:限位组件,与弧形限位板以及底座连接,用于对弧形限位板以及底座进行限位处理;以及辅助组件,与弧形限位板连接,用于对穿刺进行辅助定位;所述辅助组件包括滑块以及定位球,所述定位孔位于两个所述滑块之间且与两个所述滑块转动连接,所述滑块与开设在弧形限位板上的滑槽滑动配合,所述定位球上开设有定位孔;本实用新型能够辅助医生对患者摆出穿刺体位并辅助医生对患者进行穿刺定位。
  • 一种穿刺定位装置
  • [发明专利]一种鳍状结构及半导体器件的制备方法-CN201911086092.9有效
  • 李永亮;程晓红;罗军;殷华湘;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2019-11-08 - 2023-03-21 - H01L21/336
  • 本发明提供鳍状结构的制备方法,包括步骤:自衬底外延形成第一高迁移率材料层,或,依次外延应变缓冲层和第一高迁移率材料层以形成叠层;自顶层向下形成若干鳍状结构;淀积氧化介质层并进行第一次平坦化处理;选择性去除至少一个鳍状结构以形成至少一个凹槽;选择性外延第二高迁移率材料后进行第二次平坦化处理以在凹槽中形成第二外延结构;选择性去除至少一个鳍状结构和/或第二外延结构以形成至少一个凹槽;选择性外延第三高迁移率材料后进行第三次平坦化处理,在凹槽中形成第三外延结构;依次形成第n外延结构;腐蚀氧化介质层,使鳍状结构、第二外延结构、第三外延结构和第n外延结构露头。本发明还提供半导体器件的制备方法。
  • 一种结构半导体器件制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110174705.5有效
  • 李永亮;赵飞;程晓红;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-02-08 - 2023-02-28 - H01L27/092
  • 本发明公开一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于在确保第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同的情况下,简化半导体器件的制造过程,提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括:衬底、第一晶体管和第二晶体管。衬底包括第一阱区和第二阱区。第一晶体管形成在第一阱区上。第一晶体管包括的沟道区具有第一材料部。第二晶体管形成在第二阱区上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管包括的沟道区具有第一材料部、以及形成在第一材料部外周的第二材料部。第二材料部的材质与第一材料部的材质不同。第二晶体管和/或第一晶体管为堆叠纳米线或片环栅晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110174750.0有效
  • 李永亮;赵飞;程晓红;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-02-08 - 2023-02-28 - H01L27/092
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于在确保第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同的情况下,简化半导体器件的制造过程,提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括:衬底、第一晶体管和第二晶体管。衬底包括第一阱区和第二阱区。第一晶体管形成在第一阱区上。第一晶体管所包括的沟道区具有第一材料部。第二晶体管形成在第二阱区上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管所包括的沟道区具有第一材料部、以及形成在第一材料部外周的第二材料部。第二材料部的材质与第一材料部的材质不同。第二晶体管和第一晶体管均为鳍式场效应晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法-CN202110316509.7有效
  • 汪竞阳;张文凯;刘芳;梁桂杰;李望南;程晓红;王松 - 湖北文理学院
  • 2021-03-24 - 2023-02-24 - C01G23/053
  • 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法,所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤:提供一衬底;将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中,然后加入柠檬酸钠水溶液,混合形成透明的微乳液;将去离子水与浓盐酸混合搅拌后,向其中加入钛酸四丁酯,混合形成钛源前驱液;将所述微乳液和所述钛源前驱液混合,然后将所述衬底放入混合溶液中,然后在80~130℃的温度下反应5~30h,反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干,得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法,大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度,在80~130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。
  • 一种氧化纳米阵列制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110269373.9有效
  • 李永亮;赵飞;程晓红;马雪丽;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-03-12 - 2023-02-07 - H01L27/092
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于在确保第一晶体管和第二晶体管所具有的阈值电压不同的情况下,简化半导体器件的制造过程,提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括:衬底、缓冲层、第一晶体管和第二晶体管。缓冲层形成在衬底上。第一晶体管形成在缓冲层上。第二晶体管形成在第一晶体管上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管和第一晶体管均为环栅晶体管。第二晶体管所包括的第二沟道区和第一晶体管所包括的第一沟道区的材质均为锗硅,且第二沟道区和第一沟道区中锗的含量不同。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]观光型日光温室-CN202220330250.1有效
  • 闫生军;杨晓萍;张娟娟;梁永贤;闫彩虹;程晓红 - 酒泉绿禾源农业种植农民专业合作社
  • 2022-02-18 - 2023-01-03 - A01G9/14
  • 本实用新型公开了一种观光型日光温室,包括温棚主体,温棚主体设有龙骨架和拱管架构成,且拱管架的端面设有棚门,温棚主体的内部安装有种植架。该种观光型日光温室,满足作物种植环境和采光需求,还通过种植架和花艺种植槽辅助装饰温棚主体,合理利用温室大棚整体空间布局,实现温棚主体与观光台的整体性,满足观赏与种植技术相结合,满足作物种植环境和采光需求,还通过种植架和花艺种植槽辅助装饰温棚主体,合理利用温室大棚整体空间布局,实现温棚主体与观光台的整体性,满足观赏与种植技术相结合,结构简单合理,使用方便,有效解决了现有多数的问题,具有较高的实用价值。
  • 观光日光温室

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