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[实用新型]槽式液体分布器及填料塔-CN202020941269.0有效
发明人： 程广春 -专利权人：美景（北京）环保科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B01J19/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及气液传质设备中的液体分布技术领域，提出了一种槽式液体分布器及填料塔。槽式液体分布器包括进液总管、进液支管、分液管、分液子槽、分液母槽以及多个降液管；进液支管与进液总管相连通；分液管的一端与进液支管相连通；分液管的另一端与分液子槽相连通，分液子槽的周向侧壁上设置有排液口；分液子槽设置于分液母槽内，分液子槽通过排液口与分液母槽相连通；降液管的一端设置于分液母槽内，降液管的另一端位于分液母槽外；其中，降液管位于分液母槽内的部分具有溢流槽，降液管位于分液母槽外的部分具有出液口。本实用新型的槽式液体分布器能大幅减小分液母槽液面波动，从而保证进入到各个降液管内的液位差异较小。
液体分布填料

[实用新型]一种亚硫酸氢钠溶液的制备装置-CN202020381601.2有效
发明人： 程广春;章一夫 -专利权人：美景（北京）环保科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C01D5/14 文献下载
摘要：本实用新型一实施方式提供了一种亚硫酸氢钠溶液的制备装置，包括燃烧单元、氧化单元、硫酸生成单元和亚硫酸氢钠溶液生成单元；所述燃烧单元用以将硫磺通过燃烧反应生成二氧化硫，得到第一混合物；所述氧化单元用以将所述第一混合物中的部分二氧化硫通过氧化反应生成三氧化硫，得到第二混合物；所述硫酸生成单元用以吸收所述第二混合物中的三氧化硫，得到硫酸和第三混合物；所述亚硫酸氢钠溶液生成单元用以吸收所述第三混合物中的二氧化硫，制得所述亚硫酸氢钠溶液。本实用新型一实施方式的亚硫酸氢钠溶液的制备装置，具有操作简单方便、操作弹性大﹑稳定性高等优点。
一种亚硫酸溶液制备装置

[实用新型]一种废硫酸和/或含硫废液裂解再生制备硫酸的装置-CN201922356930.1有效
发明人：章一夫;程广春;洪哲 -专利权人：美景（北京）环保科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C01B17/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种废硫酸和/或含硫废液裂解再生制备硫酸的装置，包括助燃气体预热单元、裂解单元、余热回收单元、净化单元、干燥单元、氮氧化物脱除单元、催化氧化单元、吸收单元和尾气处理单元；其中，所述助燃气体预热单元用于将助燃气体进行预热；所述裂解单元用于使废硫酸和/或含硫废液发生裂解；所述余热回收单元用于回收所述裂解单元所排出的第一混合气的热量，得到第二混合气；所述净化单元用于将所述第二混合气进行净化处理，得到第三混合气；所述干燥单元用于将所述第三混合气进行干燥处理，得到第四混合气。本实用新型一实施方式的装置，具有运行成本低廉﹑稳定性高﹑环保效果好等优点。
一种硫酸废液裂解再生制备装置

[发明专利]一种废硫酸和/或含硫废液裂解再生制备硫酸的装置及方法-CN201911346398.3在审
发明人：章一夫;程广春;洪哲 -专利权人：美景（北京）环保科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C01B17/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种废硫酸和/或含硫废液裂解再生制备硫酸的装置及方法，该方法包括如下步骤：a.将助燃气体进行预热；b.通过燃料与助燃气体的燃烧反应升高温度，使得废硫酸和/或含硫废液发生裂解，生成含SO2的第一混合气；c.对所述第一混合气进行热量回收，得到第二混合气；d.将所述第二混合气进行净化处理，得到第三混合气；e.将所述第三混合气进行干燥处理，得到第四混合气；f.采用脱硝工艺脱除所述第四混合气中的氮氧化物，得到第五混合气；g.将所述第五混合气中的SO2氧化为SO3；h.采用浓硫酸吸收所述步骤g中生成的SO3；i.对所述步骤h排出的尾气进行净化处理。本发明一实施方式的装置或方法，具有运行成本低廉﹑稳定性高﹑环保效果好等优点。
一种硫酸废液裂解再生制备装置方法

[实用新型]一种高浓度SO₂气体预转化制硫酸的装置-CN201820775139.7有效
发明人： 程广春;何韵涛;邹玉霜;胡佳;何珊 -专利权人：中石化南京工程有限公司;中石化炼化工程（集团）股份有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C01B17/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高浓度SO₂气体预转化制硫酸的装置，属于化工领域。该装置包括预转化系统、主转化系统和空气干燥塔，SO₂气体干燥塔的输出管道与预转化系统相连，所述的预转化系统与主转化系统相连，所述的主转化系统的输出端与吸收塔相连，所述的空气干燥塔的输出端分别和SO₂气体干燥塔的输出端、预转化系统的输出端相连。该工艺可以处理高浓度SO₂气体，不会使高浓度SO₂气体在催化剂床层中产生过高的温度，满足工艺气温度不超过催化剂使用上限温度要求。
预转化转化系统输出端空气干燥塔气体干燥塔硫酸吸收塔本实用新型催化剂床层输出端相连化工领域输出管道温度要求催化剂气温

[实用新型]一种含SO₂气体制备硫酸的装置-CN201820775140.X有效
发明人： 程广春;何韵涛;邹玉霜;胡佳;何珊 -专利权人：中石化南京工程有限公司;中石化炼化工程（集团）股份有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C01B17/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含SO₂气体制备硫酸的装置，属于化工领域。该装置包括含SO₂气体加热器、反应器、第I换热器、第II换热器、气体冷却器、冷凝器以及尾气吸收塔等。该装置可以有效的处理含SO₂气体，且对气体中的SO₂浓度适用范围较宽，解决了现有技术中的脱硫产物的二次污染问题，同时又实现了硫资源循环使用，有效的避免了硫资源的浪费。此外该装置不需要外部热源，装置自身能实现自热平衡，还能富裕部分热量用于水的加热。
气体制备换热器硫酸本实用新型气体加热器气体冷却器尾气吸收塔二次污染化工领域脱硫产物外部热源资源循环反应器冷凝器热平衡加热

[实用新型]一种提高硫酸装置硫利用率及降低污水处理碱耗的系统-CN201820456364.4有效
发明人：胡佳;管宁辉;张青;徐正妹;李建华;杜翔;程广春 -专利权人：中石化南京工程有限公司;中石化炼化工程（集团）股份有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C02F1/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高硫酸装置硫利用率及降低污水处理碱耗的系统，将净化工序产生的稀硫酸废水与尾气脱硫系统产生的亚硫酸盐废液综合处理，一方面可以将亚硫酸盐分解为SO₂气体再进入制酸系统，提高硫酸装置硫的利用率，另一方面可以减少中和稀硫酸的碱的消耗。本技术在实现“以废治废”的同时，具有良好的技术经济效益。
硫酸装置稀硫酸碱耗污水处理技术经济效益尾气脱硫系统亚硫酸盐废液本实用新型亚硫酸盐以废治废制酸系统综合处理废水中和分解消耗净化

[发明专利]一种高浓度SO₂气体预转化制硫酸的装置及方法-CN201810503926.0在审
发明人： 程广春;何韵涛;邹玉霜;胡佳;何珊 -专利权人：中石化南京工程有限公司;中石化炼化工程（集团）股份有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C01B17/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种高浓度SO2气体预转化制硫酸的装置及方法，属于化工领域。该方法是将经过干燥后高浓度SO2气体与干燥空气混合，形成φ(O2)小于6％的工艺气体进入预转化系统；在预转化系统中工艺气中部分SO2预转化生成SO3；预转化系统出口工艺气与干燥空气混合,混合后工艺气中进入主转化系统,在主转化系统中工艺气中SO2转化生成SO3；转化出口含SO3工艺气体送入吸收塔，在吸收塔中SO3反应生成硫酸。该工艺可以处理高浓度SO2气体，不会使高浓度SO2气体在催化剂床层中产生过高的温度，满足工艺气温度不超过催化剂使用上限温度要求。
预转化工艺气吸收塔干燥空气工艺气体转化系统硫酸反应生成硫酸催化剂床层化工领域温度要求系统出口催化剂转化送入气温出口

[发明专利]金属间介质层形成方法及半导体器件-CN201110300266.4有效
发明人： 程广春;冯凯 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种金属间介质层形成方法及半导体器件，其中半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的金属间介质层，所述金属间介质层厚度大于2微米，所述金属间介质层的压应力小于30MPa。使用本发明提供的方法在硅片上沉积2微米的金属间介质层后，硅片保持适用于后续制造机台的低翘曲度。
金属介质形成方法半导体器件

[发明专利]用于闪存器件的浅沟槽隔离结构形成方法-CN201110134653.5无效
发明人：纪登峰;顾靖;于世瑞;冯凯;程广春 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于闪存器件的浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有衬垫层、栅多晶硅层和停止层；在所述停止层表面形成抗反射层；依次刻蚀抗反射层、停止层、栅多晶硅层、衬垫层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充隔离介质并在所述抗反射层表面形成介质层；平坦化所述介质层和所述抗反射层直至暴露出停止层。本发明提供的浅沟槽隔离结构形成方法形成的闪存器件性能优良。
用于闪存器件沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]栅极结构的形成方法-CN201110057597.X有效
发明人：纪登峰;程广春;冯凯 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有栅介电层、栅电极层以及位于栅电极层表面的刻蚀阻挡层；其特征在于，还包括：平坦化所述刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层表面形成图形化的光刻胶，以图形化的光刻胶为掩膜依次刻蚀所述刻蚀阻挡层、栅电极层和栅介电层形成栅极结构。所述栅极结构的形成方法，在后续光刻过程中，对准精度高，且提高了半导体器件的良率。
栅极结构形成方法

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