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[发明专利]无金属接触的近红外锗光电探测器-CN201580024560.3在审
发明人：托马斯·贝尔-约恩斯;张仪;迈克尔·J·霍赫贝格;阿里·诺瓦克 -专利权人： 科锐安先进科技有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：说明了被构造为不掺杂锗和不用金属来接触锗的硅上锗光电探测器。尽管简化了制造工艺，但是器件的响应度为1.24A/W，对应的量子效率是99.2％。在‑4V反向偏置电压的情况下，暗电流为40nA。3‑dB带宽是30GHz。
金属接触红外光电探测器

[发明专利]硅光子平台上基于萨格纳克环形镜的激光腔-CN201480073068.0在审
发明人：张仪;杨书宇;迈克尔·J·霍赫贝格;托马斯·贝尔-约恩斯 -专利权人： 科锐安先进科技有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01S3/30 文献下载
摘要：我们已经证实了一种新型的基于萨格纳克环和微环的激光腔，其简单可靠，具有精确受控的反射率和可忽略的附加损耗。证明了半径为2μm的微环的谐振波长被光刻控制为3.6nm的标准差。已经证实了基于萨格纳克环形镜和微环腔的C波段激光器和O波段激光器。所述激光器被证明是能够以40Gb/s被调制。
光子平台基于萨格纳克环形激光

[发明专利]基于硅微环的MOD-MUX WDM发射机的操作和稳定化-CN201480064178.0在审
发明人：托马斯·贝尔-约恩斯;刘洋;丁然;迈克尔·J·霍赫贝格 -专利权人： 科锐安先进科技有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种发射机，所述发射机包括多个调制器‑多路复用器(Mod‑MUX)单元，每个Mod‑MUX单元的操作光学波长不同于其它Mod‑MUX单元的操作光学波长。所述发射机可在每个Mod‑MUX单元中额外地包括两个抽头和三个光检测器，它们用于对各个Mod‑MUX单元进行调谐，以在一定温度范围内实现热稳定并实现有效调制和WDM操作。所述Mod‑MUX发射机不需要使用频率梳。所述Mod‑MUX发射机避免了用于不同激光信号的不同调制器之间的交叉调制。
基于硅微环 mod mux wdm 发射机操作稳定

[发明专利]用于耗尽模式硅调制器的超敏感移相器-CN201380078233.7在审
发明人：刘洋;汤姆·贝尔-琼斯 -专利权人： 科锐安先进科技有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明涉及新颖的移相器设计，它用于基于载流子耗尽机制的硅调制器，且它基于经过实验验证的模型。目前已经相信，以前被忽视的不完全电离的效果会对超敏感(ultra-responsive)移相器具有重大影响。预期将会观察到与值为20dB/cm的低传播损耗相关的值为0.3V·cm的低VπL乘积。所述移相器基于如下的重叠注入步骤：在这些步骤中，剂量和能量被仔细地选择以便利用反向掺杂来产生S形的结。这个结在实现了令人关注的低电容和低光学损耗的同时，还具有特别令人关注的VπL品质因数。这一改进将使得能够构建出明显更小的马赫-曾德尔调制器，但是该调制器依然会具有低的驱动电压且插入损耗显著降低。本发明所涉及的制造工艺的复杂程度最小；特别地，不需要高分辨率光刻步骤。
用于耗尽模式调制器敏感移相器