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[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180005475.8有效
发明人： 神田裕介;宫岛贤一 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置100具有：不含有Al的III族氮化物的沟道层103；含有Al的III族氮化物的阻挡层104，设在沟道层103之上；凹槽106；以及欧姆电极108，设在凹槽106内，与二维电子气层105欧姆连接；与衬底101表面正交的第1方向上的阻挡层104的Al成分率分布在第1位置109具有极大点；在第1方向上，具有：阻挡层104的第1倾斜面110，包含第1位置109，与欧姆电极108相接；以及阻挡层104的第2倾斜面111，在第1倾斜面110的下方与第1倾斜面110交叉，与欧姆电极108相接；第2倾斜面111相对于衬底101表面的角度小于第1倾斜面110相对于衬底101表面的角度，第1方向上的第1交叉线114的位置比第1位置109靠下方。
半导体装置制造方法

[发明专利]功率放大用半导体装置-CN202180033776.1在审
发明人：川岛克彦;神田裕介;宫岛贤一 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：功率放大用半导体装置(11)具有形成在包括第1氮化物半导体层(201)和第2氮化物半导体层(202)的半导体层叠体(220)之上的源极电极(204)、漏极电极(205)及栅极电极(206)、以及形成在栅极电极(206)与漏极电极(205)之间的半导体层叠体(220)之上且被提供与源极电极(204)相同的电位的源场板(209)；源场板(209)是台阶状，即使为了电场缓和而将上级的长度LF2延长，也能抑制在源场板(209)和2DEG面(230)中产生的寄生电容Cds的增大。
功率放大半导体装置

[发明专利]光盘装置-CN200510067656.6无效
发明人：西胁青儿;百尾和雄;麻田润一;大谷健二;神田裕介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11B7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种即便对具有较大的双折射的光盘基体，检测光量也不会成为0、能够可靠地进行信号的读取以及光盘的控制的光盘装置。该光盘装置，具备发出光的光源、使光会聚到光盘的信号面上的物镜、使由光盘反射的光衍射的偏振分光器、检测由偏振分光器衍射出的光的光检测器、以及配置在光盘和偏振分光器之间的波长板。波长板，具备包括同一入射直线偏振光产生的双折射相位差相互不同的第一及第二区域的二维地排列的多个双折射区域，包括第一及第二区域的多个双折射区域对应于光的入射位置使上述光产生不同的相位差。
光盘装置