专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]半导体发光装置-CN201921772079.4有效
  • 神津孝一;柳泽浩德 - 优志旺光半导体有限公司
  • 2019-10-22 - 2020-07-14 - H01S5/026
  • 本实用新型的课题是抑制子装配的固定时的光电二极管的位置偏移。半导体发光装置的一方案具备:放出光的半导体发光元件;探测从上述半导体发光元件放出的光的输出功率的光电二极管;通过利用第1熔敷材料的熔敷而固定有上述光电二极管的管座;和通过利用凝固开始温度低于上述第1熔敷材料的第2熔敷材料的熔敷固定于上述管座上且搭载有上述半导体发光元件的子装配。
  • 半导体发光装置
  • [发明专利]多波束半导体激光装置-CN201310211067.5有效
  • 仙庭靖久;神津孝一;臼田周一;反町进;原英树 - 优志旺光半导体有限公司
  • 2013-05-31 - 2017-06-13 - H01S5/042
  • 本发明提供多波束半导体激光装置,其抑制多波束半导体激光装置的波束间的焊料彼此的短路不良。激光芯片(11)的表面电极(15)与基座(10)的基座电极(27)通过熔融接合焊料(18)与第二Au镀层(17)而电连接。第二Au镀层(17)在形成在隆起部(20)的两侧的p式第二包覆层(25)上的一对凹槽(21)的一方的上部与焊料(18)接触,并且,第二Au镀层(17)的宽度比焊料(18)的宽度窄,因此隆起部(20)与焊料(18)为在平面上不重合,在隆起部(20)与基座(10)之间具有间隙的结构。
  • 波束半导体激光装置

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