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[发明专利]一次编程元胞结构及其构成的晶体管阵列-CN201210411263.2有效
发明人：仲志华;祝奕琳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明一种一次编程元胞结构，包括三个同型MOS管，分别为选择管T1，传输管T2和编程管T3；选择管T1和传输管T2采用源漏极串联的方式连接，选择管T1的源极连到晶体管阵列的位线BL，传输管T2的漏极与编程管T3的衬底相连，编程管T3的栅极用以输入编程电压PL，选择管T1的栅极连到晶体管阵列的字线WL。本发明还公开了一种由所述一次编程元胞结构组成的晶体管阵列。本发明的元胞结构采用最小版图设计规则，元胞面积小，阵列集成度高；元胞结构简单，使用最为基础的MOS管，无需增加工艺成本，且适用于各类CMOS工艺，可移植性强；读取条件和编程条件简单易操作；编程完成后，编程管的栅氧化膜被击穿，具有很高的可靠性。
一次编程结构及其构成晶体管阵列

[发明专利]仿真金属连线间填充介质空洞寄生电容的方法-CN201210289610.9有效
发明人：仲志华;祝奕琳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿真金属连线间填充介质空洞寄生电容的方法，包括：建立模型、选择参数、模型转换、套用填充风格和仿真计算步骤，本发明将两条同层金属连线之间填充介质空洞的物理形态，转化为矩形上置底部等宽的等腰三角形的几何模型进行模拟，进行实验数据拟合；再将该模型转化能得到的所述矩形的长宽数值与金属连线间距的关系式。计算需要被仿真的金属连线间距下，介质空洞等效模型的长宽数值，将其描述到仿真软件中，仿真即能得到精确的金属连线寄生电容。本发明在不占用硅片资源，不改变现有仿真工具环境的情况下，通过建立等效模型和设置仿真参数能得到与实际测试数据相符的金属连线间填充介质空洞寄生电容。
仿真金属连线填充介质空洞寄生电容方法

[发明专利]钳位二极管及其版图结构和其制造方法-CN201210441977.8在审
发明人：仲志华;祝奕琳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种钳位二极管，包括：P型衬底上的N型阱区，N型阱区上部的P型高阻区，P型高阻区之间具有P型低阻区，P型高阻区的外侧具有绝缘区，位于P型高阻区同侧的两个绝缘区之间具有N+掺杂区，与P型高阻区相邻的绝缘区上具有多晶硅层，P型低阻区和N+掺杂区上具有金属硅化物；P型高阻区和P型低阻区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阳极；N+掺杂区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阴极；多晶硅层与阳极引出端短接。本发明还提供了所述钳位二极管的版图结构和所述钳位二极管的制造方法。本发明钳位二极管能代替BGR电路在高精度电压要求应用中的作用，同时能降低成电路制造成本，缩小集成芯片面积，有利于集成电路的小型化。
二极管及其版图结构制造方法

[发明专利]电编程金属熔丝器件结构-CN201210289607.7在审
发明人：仲志华;祝奕琳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：发明公开了一种电编程金属熔丝器件结构，包括：具有接触孔的金属层，连接在两金属层之间的金属熔丝，其中，所述金属熔丝具有至少一个蛇形折角，所述蛇形折角小于等于90度。本发明的电编程金属熔丝器件结构在不增加器件的尺寸的前提下，增加了至少一个蛇形折角。蛇形折角的作用不仅可以增加局部的电流密度，升高温度，还会对金属离子的迁移带来物理上的阻碍，使得一部分金属离子不能顺利通过蛇形折角部位产生堆积，蛇形折角部位之前的金属离子迁移耗尽，空位就聚集形成可见的空洞，器件发生断路（编程成功）。蛇形折角是发生电迁移断路的重点部位，通过增加器件蛇形折角结构，即能增加器件发生电迁移断路的效率。
编程金属器件结构