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[发明专利]一种防护电路、显示面板和显示装置-CN202111395505.9有效
发明人： 磨光阳;李志勇;任丹丹;储周硕;孙志华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种防护电路，与目标电路连接，用于将施加到目标电路的瞬间大电流或大电压疏导至疏导电位端；防护电路包括开关电路，开关电路具有第一端和第二端，第一端连接目标电路，第二端连接疏导电位端；开关电路用于在瞬间大电流或大电压的作用下开启，以将瞬间大电流或大电压疏导至疏导电位端；还包括至少一个电阻，电阻串联连接于目标电路与第一端之间，和/或，电阻串联连接于第二端与疏导电位端之间。该防护电路能避免瞬间大电流或瞬间大电压击伤防护电路中的开关电路，从而确保防护电路能够将施加到目标电路的瞬间大电流或瞬间大电压正常疏导至疏导电位端，以防止瞬间大电流或瞬间大电压对目标电路造成烧毁损坏，确保目标电路的正常工作。
一种防护电路显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列基板和显示面板-CN201811381968.8有效
发明人： 磨光阳;唐福林 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板包括：多条扫描线，多条数据线，分别与所述多条扫描线交叉设置，限定出多个像素单元；每个像素单元包括主像素区域和从像素区域，从像素单元包括从像素电极；所述多条数据线的上方设置有多条DBS电极线；在从像素区域中设置有用于拉低所述从像素电极电压的共享薄膜晶体管，共享薄膜晶体管的栅极与对应的扫描线连接，共享薄膜晶体管的源极与所述从像素电极连接，共享薄膜晶体管的漏极与对应的DBS电极线连接。本发明去除现有技术中共享薄膜晶体管的源极或漏极与A‑com公共电极之间的深孔连接，提高了产品显示区域的面积，提高开口率，从而提高了3T结构设计的电性稳定性。
一种阵列显示面板

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN202021508560.5有效
发明人： 磨光阳;蒋雷 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板。本实用新型提供的阵列基板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的栅极、覆盖栅极和衬底基板的栅绝缘层、设置在栅绝缘层上的半导体层、源极和漏极，以及覆盖半导体层、源极、漏极和栅绝缘层的钝化层；其中，源极和漏极分别位于半导体层两侧，且源极与半导体层之间、漏极与半导体层之间均具有重叠区域；还包括保护层，保护层设置在钝化层上且对应位于半导体层上方，保护层至少覆盖半导体层的暴露在源极和漏极之外的区域。本实用新型提供的阵列基板能够防止半导体层的半导体特性失效，保证薄膜晶体管的显示驱动性能。
阵列显示面板

[发明专利]一种液晶面板-CN201711018944.1有效
发明人： 磨光阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶面板。该液晶面板包括阵列基板，该阵列基板包括：多条扫描线、与多条扫描线交叉设置的多条数据线、与多条数据线同层设置的多条公共电极线、以及由多条扫描线与多条数据线限定的多个像素单元，每个像素单元包括主像素区域和从像素区域；其中，当对液晶面板进行光配相时，控制公共电极线输入的电压与数据线输入的电压相等、扫描线输入的电压大于像素单元中各薄膜晶体管的开启电压，以使主像素区域和从像素区域具有相同的电压。通过上述方式，本发明能够降低液晶面板光配相过程由于不同压差导致配相紊乱的情况，提高液晶面板光配相的稳定性及其配相能力。
一种液晶面板

[发明专利]TFT阵列基板结构-CN201710370162.8有效
发明人： 磨光阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板结构，在钝化绝缘层(8)上设置第一通孔(V1)，在钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设置第二通孔(V2)，且所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置，在所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9)，能够避免倒角问题，防范导电薄膜发生断裂及接触不良的风险，使放电TFT与公共电压线之间的连接可靠，提升TFT阵列基板的良率及其信赖性。
tft 阵列板结

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板-CN201911424679.6在审
发明人： 磨光阳;蒋雷;谢超;任磊 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板，其中，一种薄膜晶体管包括：源极金属层、漏极金属层以及IGZ0层，所述源极金属层和所述漏极金属层之间形成有沟道区域，所述IGZ0层包括第一端面和第二端面，至少部分所述源极金属层、漏极金属层连接于所述第一端面，所述沟道区域内设有金属膜层，所述金属膜层覆盖所述第一端面的至少一部分，所述IGZ0层上开设有凹槽，所述凹槽贯穿所述IGZO层的第一端面和第二端面，且所述凹槽的两端分别连接于所述源极金属层和所述漏极金属层，所述凹槽用于分隔所述IGZO层。本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板，具有电路不易发生短接，使用寿命长的优点。
薄膜晶体管阵列以及液晶显示面板

[发明专利]一种金属绝缘层半导体结构的制造方法-CN201610795147.3有效
发明人： 磨光阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属绝缘层半导体结构的制造方法，该结构包括在基板上从内至外依次堆叠的氢化非晶硅薄膜、高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜、金属层和光刻胶层。该方法包括湿法蚀刻金属层的步骤，灰化光刻胶层、氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的步骤，干法蚀刻氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的步骤，湿法蚀刻金属层的步骤。使用该方法加工金属绝缘层半导体结构，能够减少导电层与金属层之间形成的寄生电容。本发明适用于金属绝缘层半导体结构的光掩膜。
一种金属绝缘半导体结构制造方法

[发明专利]一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板-CN201710339170.6在审
发明人： 磨光阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板。该像素驱动电路包括数据线、扫描线、第一像素电极和至少两个第一开关；该至少两个第一开关的各自输入端均连接数据线，该至少两个第一开关的各自输出端均连接同一个第一像素电极，至少两个第一开关的各自控制端均连接扫描线，以加快第一像素电极的充电过程，从而改善因第一像素电极充电不足引起的显示画面显示质量下降的问题。
一种像素驱动电路阵列显示面板

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