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[发明专利]三维集成电路-CN201880088450.7在审
发明人： T·E·鄺;M·I·柯伦特 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：注入离子以在半导体装置中形成劈开层会损害诸如高K电介质的敏感材料。在形成劈开层并修复由离子注入引起的损害的过程中，经由基板的电路层注入离子以形成劈开平面。基板在第一温度下暴露于氢气混合物第一时间，以修复由注入的离子引起的损害。然后可以执行劈开工艺，并且可以将劈开的基板堆叠为3DIC结构。通过将裸片结合到第一基板来形成堆叠装置，其中裸片的宽度小于第一基板的宽度，在裸片上沉积平坦化材料，将该平坦化材料平坦化以形成平坦化上表面，并在平坦化上表面上堆叠第三基板。
三维集成电路

[实用新型]三维集成电路-CN201621110405.1有效
发明人： E·F·希欧多尔;I·C·迈克尔 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种三维集成电路(3D IC)，包括上器件层，具有转移器件互连层，和与所述转移器件互连层相对的一侧上的分离表面；粘结氧化层；以及下器件层，包括下器件互连层，所述下器件互连层粘结在所述上器件层上并且与所述转移器件互连层连通。本申请提供了异质且非均匀层的三维堆叠和互连，例如，完全制成的集成电路。包括用于显著减小层间分离并且增加可用的层间连接密度，从而得到增加的信号带宽和系统功能。
三维集成电路

[实用新型]集成电路装置-CN201620024133.7有效
发明人： E·F·希欧多尔;I·C·迈克尔 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种集成电路装置，包括具有电介质结构和导电结构的第一衬底。离子注入到所述第一衬底中，所述离子穿过所述电介质结构和所述导电结构以限定所述第一衬底中的分离平面。所述第一衬底在所述分离平面被分离以获得具有所述电介质结构和所述导电结构的分离层。所述分离层用于形成具有多个堆叠集成电路(IC)层的三维集成电路装置，所述分离层为所述堆叠的集成电路层之一。
集成电路装置

[发明专利]用于形成光电子装置的技术-CN201380023625.3在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。
用于形成光电子装置技术

[发明专利]利用受控传播的膜层转移-CN200910253027.0无效
发明人： F·J·亨利 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：可以通过提供具有表面区和位于表面区之下预定深度处的解理区来形成材料膜。在将该膜从衬底解理的过程中，解理区中的剪切被严密控制，以通过KII或能量传播控制实现受控的传播。根据特定实施例，通过经由暴露于电子束辐射的硅的隔热加来将面内剪切分量(KII)热保持在零附近。根据其他的实施例，表面加热源结合注入层用于通过按解理顺序引导断裂传播。
利用受控传播转移

[发明专利]具有载流子寿命的自支撑厚度的单晶材料和方法-CN200910253033.6有效
发明人： F·J·亨利;S·康;Z·刘;L·田 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及具有载流子寿命的自支撑厚度的单晶材料和方法。一种制造一定厚度的硅材料的方法包括：提供具有表面区域的硅锭材料；和将具有大约1-5MeV能量的多个粒子穿过表面区域引入到一深度处，以定义解理区域以及在解理区域和表面区域之间的可分离材料的厚度。另外，该方法包括：处理硅锭材料以在解理区域的附近释放该厚度的可解理材料；和使得形成自支撑厚度的材料，该自支撑厚度的材料特征在于大约10微秒的载流子寿命和具有小于大约百分之五的厚度变化的范围从大约20微米到大约150微米的厚度。另外，该方法包括使用热处理工艺处理该自支撑厚度的材料以将载流子寿命恢复到大于大约200微秒和更大。
具有载流子寿命支撑厚度材料方法

[发明专利]对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法-CN200910167477.8无效
发明人： F·J·亨利;A·布雷洛夫 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法。提供一种用于由工件制造独立式膜的系统。该系统包括：轨道结构，该轨道结构被配置为传送至少一个工件；和经由终端站耦接至该轨道结构的一个或更多基于加速器的离子注入器。每个基于加速器的离子注入器被配置为将具有大于1MeV的能量的粒子引入以注入到载入终端站的工件表面中，从而在工件中形成解理区。该系统包括耦接到轨道结构的一个或更多解理模块，解理模块被配置为进行解理工艺以沿解理区从工件释放独立式膜。此外，该系统包括输出端口和一个或更多服务模块，该输出端口耦接至每个解理模块以输出从工件分离的独立式膜，每个服务模块连接至轨道结构。
太阳能衬底进行切片轨道配置方法

[发明专利]利用受控剪切区域的膜的层转移-CN200910138229.0有效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：通过提供半导体衬底可形成材料膜，该半导体衬底具有表面区域以及位于表面区域下方预定深度处的裂开区域。在将膜从衬底裂开的过程中，小心地控制裂开区域中的剪切。根据特定实施方式，面内剪切分量(KII)被保持接近零，并夹在拉伸区域与压缩区域之间。在一个实施方式中，利用定位在衬底表面上方的板可以完成裂开。该板用来在裂开期间限制膜的移动，并且与局部热处理一起来降低在裂开工艺过程中产生出的剪切。根据另一实施方式，KII分量有目的地保持在高水平上并用来通过裂开序列来引导和驱动断裂扩展。在一个实施方式中，通过利用暴露于E束辐射的硅绝热加热来实现高的KII分量，这在硅中的精确限定的深度处赋予了非常陡峭的热梯度以及所得的应力。
利用受控剪切区域转移

[发明专利]利用直线加速器的厚层转移的方法和结构-CN200780041135.0有效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、III/IV族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。
利用直线加速器转移方法结构

[发明专利]采用射频四极线性加速器引入用于半导体材料的粒子的设备和方法-CN200780041601.5无效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H05H7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成能够自支撑的一个或多个可分离半导体膜的系统。该设备包括用来产生多个处于第一能级的准直带电粒子的离子源。该系统包括具有编号为1至N的多个彼此顺次耦合的模块化射频四极(RFQ)元件的线性加速器，其中N是大于1的整数。该线性加速器控制和加速所述多个第一能级的准直带电粒子成为具有处于第二能级的带电粒子束。编号为1的RFQ元件可操作地连接(或耦合)于离子源。该系统包括耦接(或连接)于RFQ线性加速器中编号为N的RFQ元件的输出孔。在一种特定实施方式中，该系统包括耦合(或连接)于输出孔的射束扩展器，射束扩展器被设计为将第二能级带电粒子束处理成扩展的带电粒子束。该系统包括连接于射束扩展器的处理室和设置于该处理室中的待注入工件。
采用射频线性加速器引入用于半导体材料粒子设备方法

[发明专利]利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构-CN200780011167.6无效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于层转移工艺的可重复使用的硅衬底装置。该装置具有可重复使用的衬底，其具有表面区域、解理区域、以及总厚度的材料。总厚度的材料比待去除的第一厚度的材料大至少N倍。在一种特定的实施方式中，待去除的第一厚度的材料位于表面区域和解理区域之间，因而N是大于约10的整数。该装置还具有卡盘元件，适于将操作衬底元件保持在原位。该卡盘元件被设置为支持操作衬底，以便于将操作衬底结合至待去除的第一厚度的材料。在优选的实施方式中，该装置具有可操作地结合至卡盘元件的机械压紧装置。该机械压紧装置适于提供力，以使操作衬底结合至待去除的第一厚度的材料。
利用转移工艺制造太阳能电池方法结构

[发明专利]连续大面积扫描注入工艺的方法与系统-CN200780026734.5有效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：公开了一种使用连续的大面积扫描注入工艺制造掺杂基底的方法。在一个实施例中，本方法包括在具有进口和出口的腔中提供一种可移动的轨道构件。本方法也可以包括提供包括第一多个瓦片的第一基底。本方法包括将包括第一多个瓦片的第一基底从入口转移到可移动的轨道构件上。对第一多个瓦片实施扫描注入工艺。本方法也包括在真空中保持包括第二多个瓦片的第二基底。本方法包括将包括第二多个瓦片的第二基底从入口转移到可移动的轨道构件上。本方法包括使用扫描注入工艺对第二多个瓦片实施注入工艺。
连续大面积扫描注入工艺方法系统

[发明专利]使用厚层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构-CN200780022933.9有效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种诸如太阳能电池、太阳板的光伏电池器件及其制造方法。该器件具有光学透明衬底，该衬底包括第一表面和第二表面。包括具有第一表面区和第二表面区的第一厚度的材料(例如，半导体材料、单晶材料)。在一个优选实施例中，该表面区与所述光学透明衬底的第一表面叠置。该器件具有设置在该厚度的材料的第一表面区和光学透明材料的第一表面之间的光学耦合材料。
使用转移工艺制造太阳能电池方法结构

[发明专利]利用热处理去除氧物质的制造粘结衬底结构的方法和结构-CN200780011045.7无效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;詹姆斯·安德鲁·沙利文;西恩·焦克·康;菲利普·詹姆斯·翁;哈里·罗伯特·柯克;戴维·雅西 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于制备粘结的衬底结构的方法，包括将第一硅衬底结合至第二硅衬底。形成具有第一特性的界面区域，其包括在单晶硅材料厚度和第二硅衬底之间的硅氧化物材料。该方法包括使界面区域进行热处理，以使界面区域由第一特性转变为第二特性。在特定的实施方式中，第二特性是不含有硅氧化物材料，而是提供在单晶硅材料厚度和第二硅衬底之间的外延形成的硅材料。该方法包括在热处理过程中保持界面区域不含有多个坑洞，以形成外延形成的硅材料，从而单晶硅材料厚度电连接至第二硅衬底。
利用热处理去除物质制造粘结衬底结构方法

[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和结构-CN200780009438.4无效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;菲利普·詹姆斯·翁 -专利权人： 硅源公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏电池器件，例如，太阳能电池、太阳能电池板，以及其制造方法。该器件具有包括第一表面和第二表面的光学透明基板。包括第一厚度的材料(例如，半导体材料、单晶材料)，其具有第一表面区域和第二表面区域。在一种优选的具体实施方式中，该表面区域覆盖光学透明基板的第一表面。该器件具有设置在该厚度的材料的第一表面区域和光学透明材料的第一表面之间的光耦合材料。第二厚度的半导体材料覆盖第二表面区域以形成所获得厚度的半导体材料。
用于制造太阳能电池方法结构

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