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[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路-CN201910876179.X有效
发明人： 盖春赟;刘威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路，所述NMOS晶体管，包括：在所述P型衬底中形成N型深阱；在所述N型深阱中形成P型阱区；在所述P型阱区部分表面上形成栅极结构；在所述述栅极结构两侧的P型阱区内形成N型源区和N型漏区；形成环绕所述P型阱区的N型阱区，且所述N型阱区一部分位于P型阱区外侧的N型深阱中，另一部分位于N型深阱外侧的P型衬底中；将所述栅极结构连接控制电压端，将所述N型漏区作为电压输入端，所述电压输入端连接输入电压，将所述N型源区与N型阱区连接在一起作为电压输出端。本发明的NMOS晶体管可以增大电压输出端的输出电压的大小。
nmos 晶体管及其形成方法电荷电路

[发明专利]电荷泵及存储设备-CN201910781997.1有效
发明人： 盖春赟;刘威;曾子玉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本申请提供一种电荷泵及存储设备。所述电荷泵的每一级电荷泵单元包括输入端、输出端、第一电容、充电电路以及控制电路。第一电容的第一端电连接于输出端。充电电路电连接于输入端与第一电容的第一端之间。控制电路包括第二电容以及依次串联的第一、第二、第三MOS管。第一、第二、第三MOS管的控制端分别与第一电容的第一端电连接。第一MOS管与输入端电连接，第三MOS管与后一级电荷泵单元的第一电容的第一端电连接，第一、第二MOS管之间的节点电连接至充电电路，以控制充电电路对所述第一电容进行充电，第二、第三MOS管之间的节点电连接至第二电容的一端。第一、第二MOS管均为低压MOS管，第三MOS管为高压MOS管。本申请提供的电荷泵具有高增益的输出电压。
电荷存储设备

[发明专利]电荷泵电路及其形成方法-CN201910876696.7在审
发明人： 盖春赟;刘威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵电路及其形成方法，所述电荷泵电路包括交叉耦合电荷泵电路和与交叉耦合电荷泵电路连接的Dickson电荷泵电路，通过交叉耦合电荷泵电路和Dickson电荷泵电路两者的结合，交叉耦合电荷泵电路位于电荷泵电路的前部分，Dickson电荷泵电路位于电荷泵电路的后部分，由于交叉耦合电荷泵电路的电压转化效率较高，可以使得输入电压经过交叉耦合电荷泵电路升压后很快的升高到第一电压，而Dickson电荷泵电路具有很好的耐压性能，所述Dickson电荷泵电路可以使得第一电压继续升高到更高的第二电压。
电荷泵电路交叉耦合升高电压转化效率耐压性能输入电压升压

[发明专利]一种电荷泵及其充放电方法和存储设备-CN201910831739.X在审
发明人： 盖春赟;刘威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种电荷泵及其充放电方法和存储设备，包括N个电容、预充电电路和控制电路，N为大于1的整数；所述预充电电路用于同时对所述N个电容进行预充电；所述控制电路用于控制所述N个电容依次进行充电和/或放电。通过预充电电路同时对N个电容进行预充电，通过控制电路对N个电容依次进行充电，和/或，对N个电容依次进行放电，与直接对N个电容依次进行充电的方式相比，同时对N个电容进行预充电，减少了(N‑1)个电容从0到预充电达到的电压的充电时间，从而可以缩短电荷泵的上升时间，进而可以提高存储设备的运行速度。
电容预充电预充电电路控制电路充电存储设备电荷泵放电充放电