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[发明专利]一种碳化硅MOSFET多电平驱动电路及其控制方法-CN202310765355.9在审
发明人：曾平;鲍伟;李凡;周德生;杜炤鑫;陆健;冯倩;毕闯;唐爱欢 -专利权人：国网上海市电力公司;电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET多电平驱动电路及其控制方法，电路包括碳化硅MOS管，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极连接，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极的连接处通过栅极电阻连接碳化硅MOS管的栅极；第一MOS管的漏极连接电源，第二MOS管的源极接地；第二MOS管两端并联有电阻和电容；电阻和电容的连接处连接正向输入端，正向电源端和反向输入端连接齐纳二极管的阳极，齐纳二极管的阴极连接电源，比较器的输出端连接第三MOS管的栅极；第三MOS管的漏极连接电源，第三MOS管的源极连接电阻的一端电阻和比较器的反向电源端之间连接有电容，电容两端并有电阻。与现有技术相比，本发明具有克服串扰效应等优点。
一种碳化硅 mosfet 电平驱动电路及其控制方法

[发明专利]一种基于自适应代理模型的机械结构可靠度计算方法-CN202310956934.1在审
发明人：智鹏鹏;汪忠来;王伟;刘雪琴 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及结构可靠性分析技术领域，具体涉及一种基于自适应代理模型的机械结构可靠度计算方法。确定影响机械结构可靠性的不确定性变量进行试验设计；根据试验设计结果获得试验设计对应的响应值，将响应值由大到小排序并计算相邻点的梯度，将梯度与预设的阈值比较，根据比较结果构建单失效模式下的神经网络代理模型；根据单失效模式下的神经网络代理模型构建相关性失效下的神经网络代理模型及其功能函数。本发明利用梯度样本筛选准则构建单失效模式下的神经网络代理模型，利用自适应学习函数对单失效模式下的神经网络代理模型进行更新；同时构造相关角量化方法，并据此构造相关性失效模式下的神经网络代理模型，提升了可靠度计算的准确性和效率。
一种基于自适应代理模型机械结构可靠计算方法

[发明专利]高效宽带高阶几何相位超表面、控制方法及电磁调控设备-CN202310979831.7在审
发明人：兰峰;吴虹汝;孙浩彬;张雅鑫;杨梓强 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹波几何相位超表面技术领域，公开了一种高效宽带高阶几何相位超表面、控制方法及电磁调控设备，由周期高阶几何相位单元矩阵排列而成。周期极化转换单元从上至下依次为顶层金属谐振结构、中间层介质基板、底层金属反射板。顶层金属谐振结构是由三个大小不一的正五边形分裂金属环和五根金属连接线组成。该单元结构中金属材料为铝，介质基板材料为石英。本发明具有宽带、几何相位转化效率高等优点，在太赫兹全息成像、计算机成像、涡旋波束生成以及平面透镜等领域有潜在的应用前景。本发明采用二维平面人工微结构，通过单层阵列产生稳定的五阶几何相位，并且该结构简单，可通过微细加工手段实现，工艺成熟，易于制作。
高效宽带几何相位表面控制方法电磁调控设备

[发明专利]一种超宽带360度全向扫描紧耦合相控阵天线-CN202311043632.1在审
发明人：王任;杨弹剑;梁敬乘;梁木生;王秉中 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01Q5/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带360度全向扫描紧耦合相控阵天线，包括：由6个超宽带360度全向扫描紧耦合相控阵天线单元旋转对称排列形成一个超宽带360度全向扫描紧耦合相控阵天线子阵，再将6个超宽带360度全向扫描紧耦合相控阵天线子阵旋转对称排列形成所提出的一种超宽带360度全向扫描紧耦合相控阵天线。通过控制各个单元在在不同频率下不同的激励相位，以实现阵列在方位面内360度超宽带扫描的效果。相对于传统360度全向平面端射天线，本天线突破了带宽的限制以实现超宽带的360度全向扫描；相对于传统的超宽带端射天线，本天线突破了扫描角度的限制，在保留超宽带端射特性的情况下，实现了对端射面的360度全向扫描。
一种宽带 360 全向扫描耦合相控阵天线

[发明专利]一种铜插层硫化硒/钒酸铋紫外-蓝光吸收剂及其制备方法-CN202311011447.4在审
发明人：向全军;马驰;钟智勇 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：一种铜插层硫化硒/钒酸铋紫外‑蓝光吸收剂及其制备方法，属于紫外‑蓝光吸收材料技术领域。所述吸收剂为钒酸铋通过化学反应法生长在铜插层硫化硒上，具体过程：1）利用水热法制得铜插层硫化硒；2）通过化学反应法生长制备铜插层硫化硒/钒酸铋。本发明中的铜插层硫化硒/钒酸铋紫外‑蓝光吸收剂能作为紫外和蓝光吸收剂，制备方法简单，成本低廉，毒性低，紫外‑蓝光吸收范围宽，应用前景广阔，适于工业化生产。
一种铜插层硫化钒酸铋紫外吸收剂及其制备方法

[发明专利]一种设计简单的紧凑型超宽带天线阵列-CN202310930632.7在审
发明人：陈哲;韩金凤;杨歆汨;刘昊;林先其 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种设计简单的紧凑型超宽带天线阵列，包括天线主阵面、天线反射地板、插入到天线主阵面和天线反射地板之间的密闭充气腔、射频馈电总线。所述天线主阵面有两层介质衬底结构，分别是第一层介质衬底和第二层介质衬底，第一层介质衬底是超宽带天线阵面的支撑材料，第二层介质衬底正面是射频馈电网络地板，第二层介质衬底反面是射频馈电网络。馈电网络与天线阵面平行排列，结构紧凑，减少馈电线路的长度，简化连接和降低系统复杂性，也减少了信号传输的损耗和干扰，满足了天线设计简化、结构紧凑和制造更加方便的性能。
一种设计简单紧凑型宽带天线阵列

[发明专利]一种Cl掺杂对硒氧化铋力学性能影响的测定方法-CN202310897521.0在审
发明人：肖海燕;李步达;李梦璐 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cl掺杂对硒氧化铋力学性能影响的测定方法，包括以下步骤：对理想环境下的材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构；以扩胞后优化的结构作为初始结构，利用Cl原子替代Se位置的原子，得到掺杂态的结构模型，再进行结构优化；采用应力‑应变的方法计算出Cl掺杂前后硒氧化铋的弹性常数，并判断其力学稳定性，接着估算Cl掺杂前后硒氧化铋的体模量、剪切模量、杨氏模量和延展性的变化情况。本发明的Cl掺杂对硒氧化铋力学性能影响的测定方法不涉及具体的实验过程，但是最终的计算结果却可以为相关的实验提供理论指导。本发明计算过程基于第一性原理方法，相关的理论方法已经相当完备，因此该计算结果具有可靠性。
一种 cl 掺杂氧化力学性能影响测定方法

[发明专利]一种人脸人体身份关联方法、系统、介质及设备-CN202310651299.6在审
发明人：姜书艳;冯敏刚;黄乐天 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明属于人工智能软件技术领域，公开了一种人脸人体身份关联方法、系统、设备及介质，通过图像采集设备实时采集图像，得到人体框、人脸框及其人脸关键点坐标；根据人脸框和人体框的坐标对二者进行关联，获得人脸人体对；在关联过程中，会将单独出现的人脸或人体进行剔除；将待识别人脸与目标人脸进行验证匹配，完成人体身份绑定。包括人脸人体统一检测方法和人体身份辨识信息的建立方法，前者采用单个检测模型即可完成人脸和人体的共同检测，减小了整个方法的复杂度和计算量，后者采用了人脸识别方法为人体图象建立身份辨别信息，为特定行人追踪提供了保障，解决了现有的人脸和人体关联中检测方法或模型冗余以及人体图象缺乏身份辨识信息的问题。
一种人体身份关联方法系统介质设备

[发明专利]一种乙醇基与磷酸基共修饰的氮化碳光催化剂及其制备方法-CN202310954633.5在审
发明人：向全军;王娜;韩乙民 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种简单、低成本的乙醇基与磷酸基共修饰的g‑C3N4光催化剂的制备方法，包括如下步骤：首先将尿素与n‑乙酰乙醇胺混合的水溶液进行混合，搅拌，离心，清洗，干燥后再煅烧等到乙醇基团修饰的UCN‑NA；其次将上述UCN‑NA与亚磷酸溶液混合，搅拌，离心，清洗，干燥一系列操作后再进行煅烧，得到所述的乙醇基与磷酸基共修饰的g‑C3N4光催化剂。本发明所得的催化剂兼具了光吸收范围广，比表面积高，催化活性高的优点，将其应用于光催化产氢过程中，能够实现高效率的光催化产氢且性能稳定，其制备方法工艺简单，操作方便，易于实现工业化，具有较高的实用价值。
一种乙醇磷酸修饰氮化光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种负载型铂基单原子三元合金催化剂及其制备方法-CN202111387969.5有效
发明人：常乐;成屹恒;梁凯燕;吴登峰;程道建;许文波 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）;北京化工大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载型铂基单原子三元合金催化剂及其制备方法，涉及催化剂技术领域。本发明的催化剂包括Pt和两种过渡金属；Pt0.01～3％；两种过渡金属0.01～3％，制备方法为金属氧化物载体与两种不同金属盐的前驱体及还原剂溶液形成分散液；取固体部分在惰性高温处理；二次浸渍于Pt盐溶液和表面活性剂的混合溶液中，固体产物在惰性气氛下热处理。本发明的催化剂以少量Pt为活性组分，降低了成本；Pt与双金属合金形成Pt单原子三元合金，Pt主要以单原子形式分散在双金属合金纳米颗粒表面，一方面极大地提高了Pt的原子利用率；另一方面促进了产物丙烯的脱附，抑制了C‑C键断裂和深度脱氢等副反应，因而很好地提升了催化剂的活性、选择性和稳定性。
一种负载型铂基单原子三元合金催化剂及其制备方法

[发明专利]一种高导热高强度氮化硅基板制备方法-CN202310872194.3在审
发明人：谈姚凯;邢孟江;杨圆圆;李小珍;樊庆阳;赵云生;李皓 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供一种高导热高强度氮化硅基板制备方法，涉及半导体陶瓷基板制造技术领域。该高导热高强度氮化硅基板制备方法是将羚基共聚物改性分散剂、甲苯、无水乙醇、氧化镁、氧化钇、β‑Si3N4晶种、α‑Si3N4粉体按一定比例混合加入球磨罐中球磨24h；在球磨后的混合物中加入丙烯酸树脂以及聚酯增塑剂继续球磨48h，得到氮化硅浆料；将得到氮化硅浆料经过真空脱泡、过滤、流延成型，得到氮化硅生坯；对得到氮化硅生坯进行切割处理，得到切割后的氮化硅生坯；对切割后的氮化硅生坯进行排胶处理，得到排胶后的氮化硅生坯；将排胶后的氮化硅生坯进行气压烧结，得到氮化硅基板。本发明得到的氮化硅基板产品热导率≥90W/m·k，抗弯强度≥750MPa。
一种导热强度氮化硅基板制备方法

[发明专利]一种电压自均衡的电池组-CN202311168182.9在审
发明人：梁炯炯;陈勇;陈章勇 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明提供了应用于电池组领域的一种电压自均衡的电池组，包括电池组安装支架、通断开关和放电电阻，隔热顶盖的底壁贯穿安装有与电池单体一一对应的通断开关，通断开关的顶端电性连接有放电电阻，放电电阻的表面镶嵌安装有对称布置的接触金属板，其中一组接触金属板的表面连接有金属导丝和位于金属导丝外侧的绝缘气囊管，金属导丝的一端连接有金属片，通过绝缘气囊管、接触金属板、金属导丝和金属片的配合，可联动实现同一水平方向的多组放电电阻实现串联连接，进而通过减少放电电阻内的流经电流值来降低放电电阻通电时产生的热量值，进而减少电池组在使用过程中的散热压力，保证电池组的安全使用。
一种电压均衡电池组

[发明专利]一种具有自锁功能的弹射取药装置-CN202311032902.9在审
发明人：张慧乐;陈天丽;王旭坤;汪忠来 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65D83/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有自锁功能的弹射取药装置，属于医药用具技术领域，其包括外壳，外壳的一端设置有药瓶接口，药瓶接口的出药端设置有取药通道，取药通道的出药端设置有弹射出口和撞药口，且弹射出口的外侧连通有出药通道，撞药口内水平滑动安装有撞药轴，撞药轴的中部设置有自锁轴肩，撞药轴的一端沿远离撞药口的方向依次套设有弹射弹簧、取药按钮，弹射弹簧的两端分别与取药按钮、自锁轴肩抵接；自锁轴肩的一侧设置有自锁杆，自锁杆竖直滑动安装外壳内，自锁杆的一侧连接有固定杆，固定杆的端部安装有活动挡块。本发明的有益效果在于，本发明能够减少取药过程中对药片的摩擦、破坏；以及降低出现儿童误食药片的风险。
一种具有功能弹射装置

[发明专利]一种集成位置监测系统的旋转式MEMS加密微安保芯片-CN202310857942.0在审
发明人：房旷;杨鹏;徐尚龙;戴亚龙 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本发明涉及安保芯片领域，提供了一种集成位置监测系统的旋转式MEMS加密微安保芯片。主旨在于实现对长期服役的芯片对微摩擦引起的衰退进行监测与自适应补偿，缓解因摩擦对器件的性能产生负面影响的问题。主要方案包括盖板层和安保装置层,盖板层的圆形观察窗与安保装置层的中断圆盘位于芯片的中央。传感器模块由中断圆盘组成的安保隔断作为容栅式位移传感器的动栅，一对静栅呈180°中心对称与安保装置层的电热执行器分布在中断圆盘四周；驱动单元和离合单元所构成的执行器模块与传感器模块形成了闭环控制，根据传感器监测到信号输出，实现微小驱动位移的在线健康状态感知，并据此反馈到执行器模块，对驱动信号进行补偿。
一种集成位置监测系统旋转 mems 加密微安芯片

[发明专利]窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器-CN202311116525.7在审
发明人：黄小平;陈若童;王宇成;赵青 -专利权人： 电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器，属于光电技术领域。该器件包括衬底、石墨烯纳米线阵列、金电极，通过改变石墨烯纳米线的宽度、周期和器件费米能级，从而调控探测器的吸收率和吸收波段；该器件的制备方法首先在衬底上制备石墨烯薄膜，然后采用EBL刻蚀工艺、电子束蒸镀机完成电极加工；最后结合EBL刻蚀和ICP刻蚀，制备得到石墨烯纳米线阵列红外探测器。本发明提出的窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器，具有吸收率高、探测范围广、光谱可调谐等特点，对长波、甚长波红外波段具有较好的探测性能。
窄线宽小周期吸收率石墨纳米阵列红外探测器

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