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[发明专利]一种应用于乳腺癌细胞检测的双模式传感器-CN202310693299.2在审
发明人：樊华;杨天池;张伟;罗静;郭新凯;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：该发明公开了一种应用于乳腺癌细胞检测的双模式传感器，本发明涉及乳腺癌细胞检测、磁学、微电子学与固体电子学等交叉领域，首次提出使用双模式磁传感器检测血液中与抗体偶联的磁性颗粒的方法。该发明通过导线或线圈通电产生磁场吸引血液中的磁性颗粒于芯片上表面；设计了与血液中磁性颗粒的大小相当的小尺寸TMR传感器和霍尔传感器阵列，保证颗粒存在时，传感器能产生明显的输出电压；在TMR传感器中设计了挡板来固定颗粒，使其每个颗粒分割开来，防止颗粒集中或者多个颗粒沿传感器深度方向堆积而检测不到，提高了传感器输出电压和磁性颗粒数目的线性度以及准确率。
一种应用于乳腺癌细胞检测双模传感器

[发明专利]一种超结功率器件终端结构-CN202210460657.0有效
发明人：乔明;王睿迪;王一冰;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能够增大设计窗口、提高工艺容差的超结功率器件终端结构，该结构在过渡区和器件边缘之间的终端区顶部设有新型多晶硅阻性场板，利用场板内电势均匀分布的特性在终端内顶部引入额外的电场来限制非耗尽区的扩展，优化电荷分布。本发明结构包括第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型超结柱区、第二掺杂类型体区、第二掺杂类型横向连接层、第二掺杂类型体接触区、第一掺杂类型源接触区、栅氧化层、钝化层、场氧化层、栅电极、第二掺杂类型边缘接触区、多晶硅阻性场板、金属层等。本发明结构与无场板终端结构相比更容易维持高耐压，使脆弱的终端区达到与元胞区相同的击穿电压容差水平，增大设计窗口，提高设计灵活性，降低工艺控制难度。
一种功率器件终端结构

[发明专利]具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法-CN202111116215.6有效
发明人：张金平;肖翔;涂元元;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区的引入减小了器件的的台面宽度，进而提高了发射极一侧的载流子浓度，降低了导通压降。
具有载流子浓度增强 igbt 器件结构制作方法

[发明专利]具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法-CN202111116107.9有效
发明人：张金平;肖翔;尹俊博;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入N型漂移区，不会影响器件的通态特性。本发明通过将栅电极分裂为上下两部分，上部分作为栅极，下部分与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc，进而降低了开关损耗。同时，分离栅底部的氧化层厚度可以进一步提高，或使用高介电常数的介质材料，可以改善沟槽底部电场集中，提升器件的可靠性。当器件关断时PMOS的开启为空穴提供了一条额外的抽取通路，加快了电流的关断。
具有分离结构 ret igbt 器件制作方法

[发明专利]一种考虑缺陷随机特征的概率疲劳强度评估方法-CN202310890359.X在审
发明人：朱顺鹏;牛晓鹏;王清远;靳吉庆;罗昌齐;何金超;孟德彪 -专利权人：电子科技大学;四川大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种考虑缺陷随机特征的概率疲劳强度评估方法，应用于强度校核与疲劳强度评估领域。针对目标材料在随机缺陷特征影响下普遍存在的疲劳分散性问题，本发明采用蒙特卡罗思想结合虑及缺陷尺寸、形状与位置等特征的疲劳强度模型，建立了一种考虑缺陷特征随机不确定性的概率疲劳强度评估技术；本方法以断裂力学中应力强度因子和疲劳强度模型为基础，通过关联缺陷特征与缺陷几何修正系数关系，能够较好地呈现缺陷特征对应力集中状况与疲劳性能的影响；同时，基于疲劳强度模型中的随机参量绘制概率K–T图，能够有效的量化不同设计应力下的缺陷容限分布状况；最后，基于提出的缺陷容限干涉模型计算出不同设计应力下的目标材料失效概率。
一种考虑缺陷随机特征概率疲劳强度评估方法

[发明专利]一种数据共享方法及系统-CN202111665671.6有效
发明人：张宏莉;韩培义;叶麟;余翔湛;李东;于海宁;方滨兴;李广新 -专利权人： 电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据共享方法及系统，包括：第一用户端从云服务获取第二用户端的加密密文；将第一用户端的公钥与标识进行拆分，且与加密密文的元数据上传至多个的中心节点，并请求密钥；中心节点根据元数据，查询得到第二用户端的信息；每个中心节点向第二用户端发送元数据与部分第一用户端的公钥与标识，并请求密钥；第二用户端查询元数据中的密钥标识符得到密钥，将多个部分第一用户端的PKE公钥与标识对密钥进行加密，再分别返回发送请求的中心节点，多个中心节点将多个加密密钥返回至第一用户端；第一用户端使用私钥对多个加密密钥进行解密得到密钥，使用密钥解密加密密文。本发明解决了用户间的密钥分享问题，可安全地共享数据。
一种数据共享方法系统

[发明专利]一种基于知识图谱查询的并行抽取方法-CN201911235588.8有效
发明人：韩伟红;赫中翮;陈雷霆;李广新 -专利权人： 电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F40/295 文献下载
摘要：本发明属于信息抽取的技术领域，具体涉及一种基于知识图谱查询的并行抽取方法，包括：步骤一，提取数据源的URL，获取对应的文本页面；步骤二，对文本页面的内容进行过滤和分词处理，然后在预设的多个规则块中并行地运行信息匹配，对文本页面抽取所需要的实体关系；步骤三，汇总多个规则块的匹配结果，输出对文本页面的抽取结果。本发明的抽取方法可以应用于单文本和多文本的语句，多个规则块能够同时运行、并行地实施所需的匹配，有效地实现了单文本或者多文本中不同的语句的多级并行处理，从而减少了硬件成本和提升了匹配的速度。
一种基于知识图谱查询并行抽取方法

[发明专利]一种横向高压功率器件的槽型终端结构-CN202310760768.8在审
发明人：章文通;赵泉钰;刘雨婷;郭新凯;孙燕;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压功率器件的槽型终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区、源极N+接触区、介质槽、P型槽底注入区；通过刻槽来引入P型槽底杂质注入，由于电荷平衡，原来由N型漂移区内指向pwell区的电场线，终结到槽底部的P型槽底注入区，从来增大了终端结构指头区域的曲率结，缓解了因曲率半径小而导致的提前击穿情况，而且介质槽使得该连接处不再有电荷的运动，也能够避免电场线的集中造成的器件提前击穿，并且该结构可以将指头的面积变小，有利于减小芯片面积。
一种横向高压功率器件终端结构

[发明专利]一种横向功率半导体器件-CN202310379853.X在审
发明人：乔明;杨光;林峙宇;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院;电子科技大学（深圳）高等研究院
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种横向功率半导体器件，在传统横向功率半导体器件的栅氧化层处引入沿第二方向依次排列的第一栅极介质层，第二栅极介质层和第三栅极介质，三者的厚度可以调节，沿第二方向的长度可调节；在本发明所述的横向功率半导体器件中集成了第一场效应结构和第二场效应结构，其中，第二场效应结构具有较低的阈值电压，采取栅源短接的连接形式。当器件内部寄生PN结二极管处于正向偏置时，电流主要由第二场效应结构传导，因而器件整体的导通损耗得以降低，反向恢复特性得以改善。当本发明所述器件被应用于一些特定电路，比如同步Buck变换器中时，可以有效的降低续流损耗，改善反向恢复特性，提高变换效率。
一种横向功率半导体器件

[发明专利]一种低轨卫星对服务区域实现等功率覆盖的波束形成方法-CN202310835546.8在审
发明人：杨海宁;蔡银基;徐潜;李阿雅;李廷军;李娜 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低轨卫星对服务区域实现等功率覆盖的波束形成方法，本发明的方法通过低轨卫星服务区域的输入终端的等功率、位置信息和低轨卫星的运动轨迹获得的低轨卫星阵列天线的增益与通信距离的关系来得到目标方向图；通过遗传算法来对所述低轨卫星阵列天线各单元的激励幅度和相位进行优化并结合适应度函数来获得所述目标方向图；再通过在所述低轨卫星移动过程中计算所述低轨卫星服务区域接收的所述等功率来确定低轨卫星在运动轨迹上切换所述低轨卫星阵列天线的目标方向图的位置，克服了所述输入终端功率在所述低轨卫星服务区域内不同位置功率差异明显的缺点，降低了所述输入终端的设计难度和成本。
一种卫星服务区域实现功率覆盖波束形成方法

[发明专利]一种新型场板技术-CN202310962822.7在审
发明人：程骏骥;刘家平;郭新凯;孙燕;杨洪强 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：发明属于半导体功率器件领域，涉及横向耐压结构，具体提供了一种新型场板技术，应用于硅基、碳化硅基、氮化镓基或者氧化镓基的横向半导体功率器件或者纵向半导体功率器件的结边缘终端。本发明通过弧形嵌入式源极场板来吸引耗尽区中正电荷发出的电力线，从而缓解栅极或者主结处的电场集中效应。相对包含传统矩形嵌入式源极场板和传统栅极场板在内的传统场板技术，本发明中场板末端的弧形形态更加优化了场板末端的电场分布，取得优于传统技术的电场调制效果以及抑制栅漏电容效果。同时，通过一道版图和一次腐蚀工艺，可在本发明弧形嵌入式源极场板的末端同时设置多个深度及间距可变的弧形嵌入式浮空场板，进一步优化器件的表面电场分布。
一种新型技术

[发明专利]一种耦合主动克里金算法的共轭一阶可靠性分析方法-CN202310714138.7在审
发明人：朱顺鹏;罗昌齐;牛晓鹏;何金超;王蓝仪;孟德彪 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种耦合主动克里金算法的共轭一阶可靠性分析方法，应用于结构可靠性分析领域，针对现有技术存在的效率低下的问题；本发明采用主动克里金代理模型对待评估可靠性指标的结构的功能函数进行建模，采用重采样策略更新样本点，采用共轭一阶可靠性方法求解结构可靠性分析，并提出了一种近似数值微分方法，解决了克里金代理模型对于导数信息计算中存在较大误差的问题，能够有效计算共轭一阶可靠性方法的导数。
一种耦合主动克里金算法共轭一阶可靠性分析方法

[发明专利]一种由数值辅助模块控制的误差放大器-CN202310686329.7在审
发明人：樊华;杨天池;余文中;曾泳钦;郭新凯;孙燕 -专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种由数值辅助模块控制的误差放大器，涉及一个具有数字辅助模块的高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)模拟LDO，特别涉及一种使用数字辅助模块控制的误差放大器电路的高电源抑制比LDO。从电路的实际应用层进行考虑，该方法与传统的解决方法相比，不需要使用大的负载电容，能够节省芯片面积，便于片上集成，同时也对环路带宽的减小也相对更少，因此对瞬态响应的影响也较小。
一种数值辅助模块控制误差放大器

[发明专利]一种逆阻型IGBT-CN201711155364.7有效
发明人：罗小蓉;刘庆;魏杰;黄琳华;苏伟;魏雨夕;李聪;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
一种逆阻型 igbt

[发明专利]一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构-CN202310672586.5在审
发明人：孙瑞泽;王茁成;潘慈;王晨曦;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构。GaN功率器件多芯片堆叠封装结构包括GaN芯片、衔接板和底座基板。衔接板上有通孔和三个电极，第一和第二电极设置在衔接板的正面，第三电极则通过通孔设置在衔接板的背面；GaN芯片设置在衔接板上，GaN芯片的栅极和第一电极电性连接，GaN芯片的源极和漏极分别与第二和第三电极电性连接；衔接板可固定插入到底座基板上，GaN芯片可进行堆叠分布，并与底座基板对应的电极部分电性连接。相比于传统的GaN功率器件封装形式，本发明能够进一步减小PCB板上的占用面积，提高器件的功率密度。
一种 gan 功率器件芯片堆叠封装结构

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