专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]异质集成CWDM4光发射芯片-CN202010245273.8在审
  • 王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;田桂霞 - 亨通洛克利科技有限公司
  • 2020-03-31 - 2020-06-26 - H04B10/50
  • 本发明公开一种异质集成CWDM4光发射芯片,该芯片集成有四个MZ电光调制器、四个激光器和一个波分复用器,四个激光器键合在衬底上,衬底上设有SiO2层,SiO2层上设有Si层;MZ电光调制器均包括PLC波导合路器、PLC波导分路器和一对硅波导相移臂;四个MZ电光调制器的PLC波导合路器、分路器均设置在SiO2层内,四个MZ电光调制器的硅波导相移臂均设置在Si层上;波分复用器设置在SiO2层内;四个激光器输出的光信号分别端面耦合进入四个MZ电光调制器的PLC波导分路器,四个MZ电光调制器的PLC波导合路器的输出端分别通过PLC波导连接波分复用器。本发明的异质集成CWDM4光发射芯片兼具高调制速率和低损耗的技术优势,并且在出光端可以直接与单模光纤实现低损耗的端面耦合。
  • 集成cwdm4发射芯片
  • [发明专利]硅光子芯片光功率测量装置、设备、系统及测量方法-CN202010002907.7在审
  • 田桂霞;洪小刚;陈奔;王洁;冯振阳 - 亨通洛克利科技有限公司
  • 2020-01-02 - 2020-04-03 - G02B6/42
  • 本发明公开了一种硅光子芯片光功率测量装置、设备、系统及测量方法,硅光子芯片上设有硅光波导,测量装置包括光反射部件,配置于硅光波导出射光的传输路径上,硅光波导的出射光经光反射部件反射后产生反射光;光整形部件,配置于反射光的传输路径上,用于将发散的反射光集束后输出;光功率探测器,用于接收光整形部件输出的反射光光束,并测量反射光光束的光功率。本发明通过光反射部件将硅光波导的出射光反射进入空气,再通过光整形部件将发散的反射光调整为光束后输出,然后通过光功率探测器接收并测量出反射光光束的光功率,以此,在不损伤硅光子芯片结构的前提下,精确有效地测量出硅光子芯片的出光功率,实现硅光子芯片晶圆级出光性能测试。
  • 光子芯片功率测量装置设备系统测量方法
  • [发明专利]窄线宽MOPA光纤放大器及检测SBS光的方法-CN201810035101.0在审
  • 田桂霞;卓壮;魏东 - 山东大学;昆山华辰光电科技有限公司
  • 2018-01-15 - 2018-05-04 - H01S3/067
  • 本发明公开了一种窄线宽MOPA光纤放大器及检测SBS光的方法,窄线宽MOPA光纤放大器通过在前级放大级光路结构和后级放大级光路结构之间增设三端口环形器A,并在三端口环形器A的端口3处设置用于滤除SBS光的滤光结构,利用环形器的单向导通性和滤光结构,可有效滤除主放大级产生的受激布里渊散射光。检测SBS光的方法,可实现对高功率窄线宽MOPA光纤放大器中SBS效应的实时准确的检测,通过探测器检测SBS光的功率和脉冲,可以快速判断不同放大结构(改变泵浦方式、改变增益光纤类型和长度)对SBS光的抑制效果的好坏,从而可以优化放大结构,形成一种抑制SBS效应最好的高功率窄线宽MOPA光纤放大器。
  • 窄线宽mopa光纤放大器检测sbs方法

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