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[发明专利]半导体装置-CN201610443218.3有效
发明人：武藤邦治;板东晃司;金泽孝光;神田良;田村晃洋;峰岸宏文 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地，形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体集成电路和半导体器件-CN200510116384.4有效
发明人：桧谷光春;长泽俊夫;田村晃洋 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。
半导体集成电路半导体器件