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[发明专利]一种吊带裤柱结构-CN202310901245.0在审
发明人：姜殿忠;滕海杰;林鹏;田瑞斌;石文井;王福录;田文星;孙苗苗;孙仁松;常永可;程淑萍 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： E04C3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种吊带裤柱结构，包括：底座，底座是长方体结构，且底座的侧面四周是栅栏结构；裤腿，裤腿位于中间部，一端与底座固定连接；吊带，吊带是不规则结构，吊带结构与裤腿另一端固定连接。本发明一种吊带裤柱结构中，通过将吊带裤柱结构分成三个部分，可以分区进行焊接内部零件，提高了工作效率，在焊接吊带裤柱结构的外框架时产热较多，将吊带部分先预制，再组装，能够减少焊接产热过多对相邻零件的影响，保证焊接质量。
一种吊带结构

[发明专利]复杂组合结构钢柱及其施工方法-CN202310545825.0在审
发明人：滕海杰;林鹏;姜殿忠;田文星;孙仁松;常永可;王福录 -专利权人：中建八局新型建造工程有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： E04C3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种复杂组合结构钢柱及其施工方法，包括：圆钢芯柱；四内撑组件，所述内撑组件包括相对设置的两顶撑竖板，所述顶撑竖板竖向设置，所述顶撑竖板具有相对的第一侧和第二侧，所述顶撑竖板的第一侧连接于所述圆钢芯柱的圆周面，两所述顶撑竖板的第二侧之间连接有拉结板，四所述内撑组件沿所述圆钢芯柱的圆周方向等间距设置；连系板，连接于相邻的两个所述内撑组件的顶撑竖板的第二侧之间；型钢柱，所述型钢柱包括呈角度设置的两翼缘板，两所述翼缘板的一侧连接在一起，两所述翼缘板的另一侧分别连接于所述内撑组件的两顶撑竖板的第二侧。本发明解决了传统的钢管柱或型钢柱的承载力不能满足建筑结构的建设需求的问题。
复杂组合结构钢及其施工方法

[实用新型]互连线对准测试结构及测试系统-CN202320205099.3有效
发明人：宋佳华;田文星;黄彪子 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种互连线对准测试结构及测试系统，互连线对准测试结构包括下层互连线、上层互连线和金属插塞，所述下层互连线通过所述金属插塞与所述上层互连线连接成链状结构，所述金属插塞分别与所述下层互连线和所述上层互连线进行对准，测试所述链状结构的电阻值判断所述下层互连线、所述金属插塞与所述上层互连线之间是否偏移。通过电阻值变化发现对准误差导致金属互连结构失效的情况，避免失效的金属互连结构进入后续的工艺流程。
互连对准测试结构系统

[发明专利]基于LOF-KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法-CN201811161427.4有效
发明人：游海龙;张金力;田文星;贾新章;顾铠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LOF‑KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法，主要解决现有异常识别方法无法准确识别晶圆级空间测量参数中单个数据的可靠性隐患异常问题。其实施方案是：1、采集样本；2、根据K最近邻KNN算法，获得样本的空间变化统计量；3、根据局部异常因子LOF算法，获得样本的局部离群因子；4、获得局部离群因子的上控制限；5、对待检测数据的异常状态进行判断，将待检测数据的局部离群因子与上控制线比较，根据待测数据的局部离群因子是否超过控制限来判断待测数据是否为异常数据。本发明可准确识别晶圆级空间测量参数中单个数据的异常状况，且稳定性好、应用范围广，可用于芯片的制作。
基于 lof knn 算法晶圆级空间测量参数异常识别方法

[发明专利]一种测试结构-CN202211081388.3有效
发明人：黄彪子;目晶晶;田文星 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试结构，包括第N‑1金属层、第N金属层、第N+1金属层、第一焊盘至第四焊盘，两两金属层间设有电介质层，第N金属层包括多个平行间隔设置的第一金属线，第一焊盘和第二焊盘分别连接在第一金属线两端，第N‑1金属层和第N金属层通过金属通孔连接，第三焊盘连接第N‑1金属层，第四焊盘连接第N+1金属层，其中，N≥2，且为正整数；在第一焊盘和第二焊盘上施加电流以在第一金属线上进行EM测试；在第二焊盘和第四焊盘上施加电压，或者在所述第二焊盘和第三焊盘上施加电压以进行TDDB测试，使其既可以进行TDDB测试又可以进行EM测试，从而使得EM测试造成的TDDB效应得以考虑，进而能够全面的评估EM测试后电介质层的TDDB效应。
一种测试结构

[发明专利]用于水声数据收集的基于奇偶图着色的MAC设计方法-CN202210828530.X在审
发明人：江金芳;田文星;韩光洁 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04W72/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于水声数据收集的基于奇偶图着色的MAC设计方法，具体步骤如下：1）传感器网络节点的位置更新。2）AUV路径包的广播，路径包含有路径端点、AUV速度。3）传感器节点相对AUV的邻居关系确定，传感器节点通过监听路径包，获取AUV的路径信息，并结合自身位置判断其为AUV的一跳或二跳邻居节点。4）传感器节点的时隙分配，传感器节点根据自身位置和邻居节点的位置信息，运行奇偶分组的图着色算法，选择和邻居节点无冲突的时隙。5）AUV的反馈机制。本发明可减少传感器节点的能耗，避免传感器节点之间的冲突，提高传感器网络的吞吐量。
用于数据收集基于奇偶着色 mac 设计方法

[实用新型]一种套管穿越装置-CN202221020942.2有效
发明人：梁志艳;韩增虎;田文星;郭卫华;马克;刘伟;王巧珍;高琳霞;姚渑;侯勋 -专利权人：郑州航空港兴港燃气有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F16L1/11 文献下载
摘要：本实用新型专利具体公开了一种套管穿越装置，包括用于夹持燃气管道的卡箍，卡箍下端的两侧分别设有用于承载燃气管道的支撑部；若干个用于承载燃气管道的可移动支架，且若干可移动支架沿燃气管道的长度方向依次排布设置，一对支撑部之间构成供可移动支架通行的通道；用于驱动燃气管道升降的升降机构，升降机构包括设于可移动支架且用于承载燃气管道的充气垫，且升降机构具有两种工作状态：升降机构处于第一工作状态时，所述支撑部的下端不接触套管内壁，可移动支架接触燃气管道；升降机构处于第二工作状态时，支撑部的下端接触套管的内壁，可移动支架不接触燃气管道。本装置有效提高穿越效率，以及能够保护燃气管道外或者套管内的防腐层。
一种套管穿越装置

[发明专利]一种化学镀缺陷优化装置及方法-CN202111319051.7在审
发明人：岳金亮;罗海辉;谭灿健;曹胜良;程银华;王志轮;田文星 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学镀缺陷优化装置及方法，涉及半导体制造技术领域，该化学镀缺陷优化装置包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。
一种化学缺陷优化装置方法

[发明专利]一种半导体器件的保护装置及保护方法-CN202111558465.5在审
发明人：黄彪子;田文星;宋佳华 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的保护装置及保护方法，所述半导体器件的保护装置包括：第一阻挡环，环绕所述半导体器件，且所述半导体器件位于所述第一阻挡环的中心位置；第二阻挡环，同心环绕所述第一阻挡环，且所述第一阻挡环和所述第二阻挡环之间通过介质隔离；第一测试电路，两端与所述第一阻挡环电性连接；以及第二测试电路，两端与所述第二阻挡环电性连接。通过本发明提供的一种半导体器件的保护装置及保护方法，能够提高可靠性测试的准确性。
一种半导体器件保护装置保护方法

[实用新型]一种电线电缆加工用切割装置-CN202120918535.2有效
发明人：高俊红;田文星;崔小攀;马耀乾 -专利权人：高俊红
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B21F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电线电缆加工用切割装置，包括外壳和滑套，所述外壳的内部设置有螺纹块，且螺纹块的内部螺纹连接有螺杆，所述螺杆的右侧设置有电机，且螺杆的左侧设置有主动轮，所述滑套的下方固定连接有切割片，且滑套位于螺纹块的下方，所述滑套的内部滑动连接有滑杆，且滑杆的左侧固定连接有弹簧，所述弹簧的内部套接有伸缩杆，且伸缩杆的左侧固定连接有固定套。该电线电缆加工用切割装置，通过螺杆与螺纹块之间的配合，可以带动切割片进行左右移动，一方面便于切割，另一方面可以根据电线电缆切割位置进行调节，同时滑套与滑杆的配合可以对切割片的位置进行限制，避免在移动的时候，造成切割片的晃动，增加了使用过程中的稳定性。
一种电线电缆工用切割装置

[实用新型]一种便于长距离检测的桥梁检测装置-CN202120915488.6有效
发明人： 田文星;高俊红;刘金克;郝绍辉 -专利权人： 田文星
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于长距离检测的桥梁检测装置，属于桥梁检测领域。一种便于长距离检测的桥梁检测装置，包括安装座，所述安装座顶部开设有滑孔，所述滑孔内壁呈环形结构开设有多个滑槽一，所述滑孔内壁滑动连接有安装筒，所述安装筒外表面呈环形结构固设有多个滑块一，所述安装筒内壁滑动连接有安装盘，所述安装盘顶部固设有振动传感器，所述安装筒顶部固设有检测仪，所述安装盘底部设有抵杆，所述抵杆底部转动连接有安装架，所述安装架内壁通过连接轴转动连接有滚轮，所述安装座正面和背面均固设有夹板，所述夹板左侧壁和右侧壁均转动连接有连接板，此结构能够对路面的平整度进行数据采集，提高了工作效率。
一种便于长距离检测桥梁装置

[发明专利]超净间内零过多颗粒数的统计过程控制方法-CN201811013365.2有效
发明人：游海龙;张金力;田文星;贾新章;顾铠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净间内零过多颗粒数的统计过程控制方法，主要解决超净间内颗粒数零占比大于50％时现有统计过程控制技术误报警过多或不能及时报警的问题。其实施步骤是：1、利用颗粒数计数器对空气中的颗粒数进行采集，采集的数据中至少包含90个非零数据；2、获得不同颗粒数的概率；3、利用迭代法，计算阈值泊松分布中参数c和T的估计值，获得上控制限；4、按照休哈特控制图的绘制方法，将颗粒数和控制线绘制到对应的控制图中；6、通过观察控制图中是否有点超出上控制线来判断超净间内的颗粒数是否受控，确实是否继续进行生产，以实现颗粒数失控时的及时预警，提高产品质量，减少失控引起的经济损失，可用于半导体生产的质量监测。
超净间内零过多颗粒统计过程控制方法

[发明专利]一种电介质击穿测试电路及其测试方法-CN202110421520.X有效
发明人：目晶晶;田文星 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电介质击穿测试电路及其测试方法，所述电介质击穿测试电路包括至少两个串联的测试电路，所述测试电路包括：电阻；二极管，其正极电性连接于所述电阻的一端；电熔丝，其一端电性连接于所述二极管的负极；测试点，其一端电性连接于所述电熔丝的另一端，所述测试点的另一端电性连接于所述电阻的另一端；其中，每个所述测试电路的一端为所述电阻和所述测试点的连接点，另一端为所述二极管和所述电熔丝的连接点。通过本发明提供的一种电介质击穿测试电路，可提高获得特征寿命的效率。
一种电介质击穿测试电路及其方法

[发明专利]一种半导体电迁移测试电路及测试方法-CN202110562617.2在审
发明人： 田文星;吴启熙;宋佳华 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电迁移测试电路及测试方法，所述半导体测试电路包括：若干个金属测试线；多级电流源模块，包括若干个晶体管，其设置在所述金属测试线的一侧，且连接所述金属测试线的一端；若干个测试点，包括至少四个焊盘，其设置在所述多级电流源模块与所述金属测试线的两端。将若干个金属测试线放置在所述测试点上，并在所述多路比例电流源的一端施加总电流，形成所述多路比例电流源的输出电流，获得相对应所述金属测试线的输入电流；检测每个所述金属测试线两端的电阻值；根据所述输入电流和所述电阻值，获得所述金属测试线的电迁移。通过本发明提供的一种半导体电迁移测试电路及测试方法，提高测试效率，有效评估不同宽度的金属层电迁移。
一种半导体迁移测试电路方法

[发明专利]半导体测试结构及其形成方法、半导体器件的测试方法-CN202011243675.0有效
发明人： 田文星;目晶晶 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体测试结构及其形成方法、半导体器件的测试方法，所述半导体测试结构包括：至少一个半导体器件、至少两个测试端、至少四个单向导通结构；其中，半导体器件形成在衬底；一个半导体器件连接有两个测试端；一个测试端和一个半导体器件之间并联连接有两个单向导通结构，所述两个单向导通结构的导通方向相反。采用本发明提供的半导体测试结构对半导体器件进行测试时，可以定位出异常位置，从而能够仅对异常位置进行失效分析，避免了由于盲目全面的失效分析，而浪费失效分析的机台资源以及人力资源的情况发生，提高了效率，降低了成本。
半导体测试结构及其形成方法半导体器件

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