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[发明专利]电池保护装置-CN201710686255.1有效
发明人： 田中伸史;佐竹义裕;川口德仁;小清水浩士;碓井薰;大场雄介 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明提供一种电池保护装置，有助于小型化以及导通电阻的降低。其具备：充放电控制芯片，其包括连接到二次电池的充电控制FET和放电控制FET；保护芯片，其根据二次电池的两端电压控制充电控制FET和放电控制FET来防止二次电池的过充电、过放电以及过电流；引线框架，其具有多个外部端子的连接面和与连接面导通的另一面，引线框架的另一面和形成于充放电控制芯片的表面的充电控制FET以及放电控制FET的端子经由导电材料进行电连接，保护芯片以该保护芯片的背面相向的方式经由绝缘部件被安装在充放电控制芯片的背面，保护芯片的端子和引线框架的另一面通过接合线进行电连接，充放电控制芯片和所述保护芯片被树脂覆盖。
电池保护装置

[发明专利]二次电池保护电路-CN201910655034.7有效
发明人：山下大地;川口德仁;佐竹义裕;田中伸史;小清水浩士 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本发明提供二次电池保护电路，减少基准电压的温度特性的偏差。该二次电池保护电路监视二次电池的状态，在检测出异常状态时保护上述二次电池，二次电池保护电路具备：基准电压电路，其使用耗尽型的第一晶体管和与上述第一晶体管串联连接的增强型的第二晶体管生成基准电压；分压电路，其输出对上述二次电池的电源电压进行分压而得到的检测电压；检测电路，基于上述基准电压和上述检测电压检测上述异常状态；第一调整电路，其基于上述第一晶体管的阈值电压和上述第二晶体管的阈值电压调整上述第一晶体管与上述第二晶体管的尺寸比；以及第二调整电路，其基于通过上述第一调整电路调整了上述尺寸比后的上述基准电压将上述检测电压调整为所希望的电压。
二次电池保护电路

[发明专利]电池保护集成电路、电池保护装置以及电池组-CN201510641574.1有效
发明人： 田中伸史;川口德仁 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明提供一种电池保护集成电路、电池保护装置以及电池组，使外部连接端子的锡焊的湿润性难以下降。电池保护集成电路被搭载在配线基板，配线基板被安装在具有扁平的长方体外形形状的电池的侧面，配线基板至少具备第1端子和第2端子，形成为与电池的侧面形状对应的细长的形状，其中，第1端子与电池的一个端子连接；第2端子与充电器或电子设备的一个端子连接，电池保护集成电路具备配置于封装的端子配置面的多个外部连接端子，搭载在配线基板上时，在与配线基板的一个基板短边相对的端子配置面的第1短边配置有能够与第1端子连接的全部外部连接端子，在与第1短边相对的端子配置面的第2短边配置有能够与第2端子连接的全部外部连接端子。
电池保护集成电路保护装置以及电池组

[发明专利]过电流检测电压修正方法以及电池保护集成电路-CN201510633125.2有效
发明人：影山僚大;山内勉;川口德仁;田中伸史;武田贵志;佐竹义裕;山口刚史;小清水浩士 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本发明提供过电流检测电压修正方法以及电池保护集成电路，其目的是抑制过电流检测值的偏差。该电池保护集成电路内置有：晶体管，其被串联地插入到第1端子和第2端子之间；控制电路，其在检测出所述晶体管接通时的两端子间的电压与二次电池的过电流检测电压的大小关系的反向时，断开所述晶体管。所述方法具备：测定预定温度下所述晶体管的接通电阻的电阻值的测定步骤；使用测定步骤测定出的电阻值推定各温度下两端子间的电阻值的推定步骤；使用在测定步骤测定出的电阻值和在推定步骤推定出的电阻值计算出用于消除二次电池的充放电电流的温度依存性的调整数据的计算步骤；和使用在计算步骤计算出的调整数据来修正所述过电流检测电压的修正步骤。
电流检测电压修正方法以及电池保护集成电路

[发明专利]电池保护集成电路以及电路特性设定方法-CN201510639558.9有效
发明人：影山僚大;山内勉;田中伸史;武田贵志;佐竹义裕;山口刚史;小清水浩士;川口德仁 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供电池保护集成电路以及电路特性设定方法。能够抑制消耗电流和芯片尺寸的增大。电池保护集成电路在对二次电池检测出过充电、过放电、过电流的至少一个时，通过控制二次电池的充放电来保护二次电池，该电池保护集成电路具有：存储部，其存储两数据即用于设定电池保护集成电路的电路特性的特性设定数据和用于调整电池保护集成电路的电路特性的个体差的特性调整数据；存储部具有所述两数据的比特数以上的、用于互补地存储1比特的非易失性的一对存储单元和通过交叉耦合与所述一对存储单元的输出连接的易失性存储电路的组；存储电路随着所述电池保护集成电路的电源启动时电压的上升，静态地输出存储在所述存储单元中的所述两数据量的数据。
电池保护集成电路以及电路特性设定方法

[发明专利]用于可再充电电池的活性物质、可再充电电池和电子装置-CN201210541209.X有效
发明人：广濑贵一;川濑贤一;田中伸史;藤永卓士;高椋辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提供了用于可再充电电池的活性物质、可再充电电池和电子装置。所述可再充电电池包括正极；包含活性物质的负极；和电解液，其中所述活性物质能够吸留和释放锂离子并且包括Si和O作为构成元素，并且在所述活性物质的表面中Si相对于Si和O的原子比率（Si/（Si+O））为30原子%至75原子%。
用于充电电池活性物质电子装置

[发明专利]二次电池用活性物质、二次电池和电子装置-CN201280061960.8有效
发明人：广濑贵一;川濑贤一;下位法弘;田中伸史 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：提供了一种能够获得优异的电池特性的二次电池。本技术的二次电池设置有正极、包括活性材料的负极和电解液。活性物质包括核部分和低结晶性或非结晶性的覆盖部分，所述核部分能够嵌入和脱嵌锂离子，所述覆盖部分设置在核部分的表面的至少一部分中。核部分包括Si和O作为构成元素，并且如果O相对于Si的原子比率x(O/Si)为x，则x满足0≤x<0.5。覆盖部分包括Si和O作为构成元素，并且如果O相对于Si的原子比率y(O/Si)为y，则y满足0.5≤y≤1.8。覆盖部分具有空隙，并且在所述空隙的至少一部分中设置含碳材料。
二次电池活性物质电子装置

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