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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]表面形状的测量方法以及测量装置-CN201480081978.3有效
发明人： Y·拉克拉斯 -专利权人： 瓦伊系统有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：提供一种在通过蒸镀法形成半导体层时，通过测量半导体层的表面的形状，能够进行上述表面的形状的矫正等的表面形状的测量方法以及测量装置。通过可动式的反射镜反射单一的激光，生成分离为实质上3条的激光入射光(Ld1、Ld2、Ld3)，向在腔室(2)内所形成的半导体层(7)的表面的入射点(P1、P2、P3)照射激光入射光(Ld1、Ld2、Ld3)。通过利用光位置传感器检测来自各个入射点(P1、(P2、P3)的激光反射光(Lv1、Lv2、Lv3)，测量包括入射点(P1、P2、P3)的膜的表面形状。
表面形状测量方法以及测量装置

[发明专利]半导体层的温度测定方法以及温度测定装置-CN201180071888.2有效
发明人： Y·拉克拉斯 -专利权人： 瓦伊系统有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01K11/12 文献下载
摘要：提供一种在对半导体层进行蒸镀而成膜时，能够直接高精度地得知半导体层的温度的测定装置以及测定方法。对半导体层照射在第1温度范围（T3-T4）内光的透射率衰减的第1波长的激光、和在第2温度范围（T5-T6）内光的透射率衰减的第2波长的激光，由受光部接收透过了半导体层的光。在半导体层的温度上升，而第1波长的激光的探测光量衰减了的时间点，能够得知激光的透射率的衰减幅度（D4-D3）。在温度进一步上升而第2波长的激光的探测光量超过衰减起点（g）之后，能够根据某测定时的探测光量（Db）和所述衰减幅度（D4-D3），计算半导体层的温度。
半导体温度测定方法以及装置

[发明专利]载流子寿命的测定方法以及测定装置-CN201180041790.2有效
发明人： Y·拉克鲁瓦 -专利权人： 瓦伊系统有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供能够测定半导体等材料内的载流子寿命的载流子寿命的测定方法以及测定装置。针对由发光激光器发出的连续光通过激励侧的调制装置进行调制，生成其强度矩形波状地变化的激励光（14）并提供给半导体材料。针对半导体内的载流子被激励而通过再结合发出的冷光（24），通过受光侧的调制装置进行调制，从在激励时间内发出的光，分离在激励时间之后发生的衰减光（26）。该衰减光（26）包含材料内的载流子寿命的信息。衰减光（26）是在极其短的时间内得到的微细的光，所以在CCD元件的曝光时间内，积蓄多个衰减光（26）而探测。能够通过该探测光的强度得知载流子寿命。
载流子寿命测定方法以及装置

[发明专利]半导体成膜时的温度测定方法及温度测定装置-CN200880132794.X有效
发明人： L·伊夫斯 -专利权人： 瓦伊系统有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种温度测定方法和温度测定装置，能够在蒸镀形成半导体层时直接且高精度地了解半导体层的温度。使用在成膜中或成膜后的半导体层达到温度Ts时光透射率急剧变化的波长λs的激光，通过光检测装置监测该激光对于半导体层的透射量。如果使提供给半导体层的热变化，则在时刻A或B或C半导体层的温度达到Ts时由上述光检测装置监测的激光的受光量急剧变化。因此，能够准确地了解在时刻A或B或C半导体层的温度达到Ts，能够校正例如通过温度变化监测装置观测的温度信息的误差等。
半导体成膜时温度测定方法装置

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