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[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜-CN202280019947.X在审
发明人：市川慎也 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材与设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由含有氨基树脂(A)、含羟基丙烯酸树脂(B)、聚有机硅氧烷(C)及酸催化剂(D)的剥离剂组合物形成。根据该陶瓷生片制造工序用剥离膜，可谋求兼顾轻剥离性与抑制有机硅成分的迁移。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法-CN202280017571.9在审
发明人：饭塚亮;前田淳;田村和幸 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线，在23℃、50％RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后，对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度为1600mN/25mm以下。
半导体工用粘着胶带装置制造方法

[发明专利]半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法-CN202180094835.6在审
发明人：梅泽昌弘;坂东沙也香;田村和幸 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层是含有聚烯烃类树脂的层。
半导体工用粘合装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202280018923.2在审
发明人：篠田智则;根本拓;加太章生 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法-CN202180094836.0在审
发明人：坂东沙也香;梅泽昌弘;田村和幸 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层在23℃下与水的静态接触角为85°以上。
半导体工用粘合装置制造方法

[发明专利]隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法-CN201880043967.4有效
发明人：福元孝齐;山下茂之;中村优智 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
隐形切割粘着半导体装置制造方法

[发明专利]粘合片及半导体装置的制造方法-CN201880084413.9有效
发明人：高野健;柄泽泰纪 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供用于电子部件加工的粘合片(10)，该粘合片(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)，粘合剂层(12)包含能量线固化性成分固化而得到的固化物。
粘合半导体装置制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN201880069262.X有效
发明人：小桥力也;稻男洋一 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]防眩膜-CN202310052301.8在审
发明人：渡边旭平 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B1/111 文献下载
摘要：本发明提供一种防眩膜，其具有优异的防眩性，同时经时的外观变化少，适合用于高精细显示器。一种防眩膜，其特征在于：其是具有基材层和防眩层的防眩膜，上述防眩层是由含有(A)成分：活性能量线固化性树脂、(B)成分：含无机成分的填料和(C)成分：分散剂的防眩层形成用组合物形成的层，上述防眩层表面的算术平均粗糙度(Ra)为80nm以上，上述防眩膜的透射清晰度为400以上，并且，将上述防眩膜在70℃下放置7天后的防眩层表面的雾度变化率为5％以下。
防眩膜

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、半导体装置的制造方法及保护膜形成膜的用途-CN202310305974.X在审
发明人：堂下美纱季;山本大辅;小升雄一朗 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，其中，对作为多片所述保护膜形成膜的层叠物的、宽度为4mm的第一试验片，在23～70℃的温度范围内测定储能模量E’时，其最小值E’(1)为45MPa以下，且其最大值E’(2)为200MPa以上，对作为使多片所述保护膜形成膜的层叠物热固化而得到的固化物的、宽度为5mm的第二试验片，在相同条件下测定储能模量E’时，其最小值E’(3)为500MPa以上。
保护膜形成复合半导体装置制造方法用途

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、半导体装置的制造方法及保护膜形成膜的用途-CN202310305655.9在审
发明人：山本大辅;堂下美纱季 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，通过差示扫描量热法将所述保护膜形成膜的试验片以10℃/分钟的升温速度从23℃升温至300℃时的发热开始温度为160℃以上。本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成膜。
保护膜形成复合半导体装置制造方法用途

[发明专利]工件加工用保护片和工件单颗化物的制造方法-CN202310174684.6在审
发明人：田村和幸 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减小工件在背面研磨后的TTV的工件加工用保护片。所述工件加工用保护片具有支撑材料和配置于支撑材料的一个主面上的粘着剂层，其中，支撑材料的另一个主面构成工件加工用保护片的最表面，工件加工用保护片的最表面与目数为1200目的砂纸的动摩擦系数为1.40以下，支撑材料的拉伸断裂应力为250MPa以下。
工件工用保护单颗化物制造方法

[发明专利]保护膜形成膜、辊体及保护膜形成膜的应用-CN202310080801.2在审
发明人：小桥力也 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜，其利用下述式(1)算出的压缩变形率为5.0％以下。压缩变形率(％)＝{(初始位移‑压缩位移)/初始位移}×100…(1)式(1)中，“初始位移”是将所述保护膜形成膜夹持于粘弹性测定装置的压缩测定用夹具之间时，进行压缩前的所述压缩测定用夹具之间的间隙，“压缩位移”是此后使用所述粘弹性测定装置并以23℃、0.1MPa对所述保护膜形成膜进行600秒压缩后的所述压缩测定用夹具之间的间隙。
保护膜形成应用

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、套件及保护膜形成膜的应用-CN202310060168.0在审
发明人：小桥力也 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09J7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜，其为能量射线固化性的保护膜形成膜，且通过特定的压痕深度的变化率的测定方法测定的压痕深度的变化率为60％以上。
保护膜形成复合套件应用

[发明专利]层叠体、透明导电膜及透明导电膜的制造方法-CN202310330605.6在审
发明人：木下博贵;永绳智史 -专利权人： 琳得科株式会社
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B32B27/28 文献下载
摘要：本发明提供具备具有高光学特性的耐热性树脂层、且能够抑制伴随加热处理而发生的卷曲的层叠体。该层叠体依次具备工序膜和耐热性树脂层，上述耐热性树脂层在80℃下的储能模量为0.01～100GPa，上述耐热性树脂层的厚度为20μm以下，上述工序膜的基于150℃、1小时加热而在MD上的尺寸变化率为0.5％以下。
层叠透明导电制造方法

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