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[发明专利]用于轴向磁通机器的控制器及方法-CN202180035391.9在审
发明人：蒂姆·伍尔默;理查德·菲利普斯 -专利权人： YASA有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02P21/05 文献下载
摘要：描述一种控制轴向磁通机器的方法和控制器，其中，供应至多个线圈的交变电流注入用于减小转子机械共振分量的补偿电流。该补偿电流为在转子在一个或多个转速范围内旋转时添加至正交电流(Iq)分量和直流(Id)分量(当所述交变电流表示为矢量化直流分量时)当中至少一者的调制电流分量。该调制电流分量具有：在第一频率和第二频率之间的频率范围内随转子转速变化的电频率，该频率范围包括基本上与转子的基本机械共振频率相同的频率；以及与转子的基本机械共振频率不同相的相位。
用于轴向机器控制器方法

[发明专利]定子组件磁通对准-CN202210006970.7在审
发明人：汤姆·希尔曼;理查德·菲利普斯;瑞恩·波特;蒂姆·伍尔默 -专利权人： YASA有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02K1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种定子组件磁通对准，尤其涉及一种用于轴向磁通永磁电机的定子组件。定子组件可包括：一组定子线棒，以及用于定子线棒的一组靴部。靴部可提供于定子线棒的一端或每一端。定子组件还可包括一组线圈，每个线圈缠绕在各自的定子线棒上。每个靴部具有与一个定子线棒的端部相邻的内表面。每个定子线棒的端部具有边沿，并且每个内表面在边沿的一部分上具有切除区域，以减少定子线棒端部的磁通量分量。
定子组件对准

[发明专利]轴向磁通电机靴部优化-CN202210006964.1在审
发明人：汤姆·希尔曼;理查德·菲利普斯;蒂姆·伍尔默 -专利权人： YASA有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种轴向磁通电机靴部优化，轴向磁通电机包括承载一组永磁体的转子和包含电磁线圈组件的定子，电磁线圈组件围绕轴线间隔地周向布置。每个线圈组件都有一个轴向延伸的定子齿；缠绕在齿上的一个或多个线圈；以及在定子齿的一端处的一个或多个端靴部。每个端靴部都具有与相邻线圈组件相邻的至少一个周向边缘。在一些实现方式中，至少一个周向边缘的径向最内和最外部分由从至少一个周向边缘突出的台阶隔开。在一些实现方式中，至少一个周向边缘的至少一部分的厚度小于内部径向边缘的厚度，从而减少相邻电磁线圈组件之间的漏磁通。
轴向通电部优

[发明专利]用于产生三相电压的方法和装置-CN202111388756.4在审
发明人：西蒙·大卫·哈特;塞缪尔·大卫·埃亨;理查德·菲利普斯;蒂姆·伍尔默 -专利权人： YASA有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明涉及用于产生三相电压的方法和装置。描述了通过为在每个脉冲宽度调制(PWM)周期中的三个相中的每一个确定多个切换事件来降低逆变器中的DC纹波电压的技术。切换事件为相应的PWM周期提供期望的目标输出电压。根据切换事件的这种确定，可以进行比较以确定跨所有相的第一切换事件和第二切换事件之间的第一时间周期(T1)，以及跨所有相的第二切换事件和第三切换事件之间的第二时间周期(T2)。响应于所确定的时间周期大于阈值，调整在相应的PWM周期中的相中的仅一个相中的一个或多个切换事件的时序，以减少所确定的第一时间周期或第二时间周期。
用于产生三相电压方法装置

[发明专利]多站半导体处理中的可独立调整流路传导性-CN202080055744.7在审
发明人：迈克尔·菲利普·罗伯茨;布莱恩·威廉姆斯;弗朗西斯科·J·华雷斯;雷切尔·E·巴策尔;拉梅什·钱德拉塞卡拉;理查德·菲利普斯;杨·诺亚;约瑟夫·L·沃马克;李明;钱俊;洪图;斯凯·穆勒诺 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。
半导体处理中的独立调整传导性

[发明专利]减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板-CN202110696983.7在审
发明人： 理查德·菲利普斯;瑞安·布拉基埃;尚卡·斯瓦米纳森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
减少衬底处理系统再循环锥形喷头顶板

[发明专利]用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜-CN202110564747.X在审
发明人：尚卡尔·斯瓦米纳坦;理查德·菲利普斯;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜。本文描述了使用正性图案化方案将衬底图案化的方法和装置。方法包括接收具有图案化芯材的衬底，在图案化芯材上保形沉积掺杂间隔物材料，相对于掺杂间隔物材料选择性地蚀刻芯材以形成间隔物掩模，并且使用间隔物掩模蚀刻衬底上的目标层。可以使用硼、镓、磷、砷、铝和铪中的任何一种对间隔物材料进行掺杂。实施方式适用于在多个图案化应用中的应用。
用于半导体图案应用掺杂 ald

[发明专利]用于在原子层沉积(ALD)衬底处理室中调整膜性质的基座-CN202080013308.3在审
发明人：阿德里安·拉沃伊;迈克尔·菲利普·罗伯茨;克洛伊·巴尔达赛罗尼;理查德·菲利普斯;拉梅什·钱德拉塞卡拉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于利用原子层沉积于衬底上沉积膜的系统包含：基座，其被设置于处理室中，以于所述衬底上沉积所述膜时将所述衬底支撑于所述基座的顶表面上。位于所述基座中的第一环形凹部从所述基座的所述顶表面往下延伸且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。所述第一环形凹部具有大于所述衬底的直径的内径。由介电材料所制成的环形环在所述第一环形凹部中环绕所述衬底而设置。在所述基座中的第二环形凹部位于所述环形环的下方。所述第二环形凹部具有高度且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。
用于原子沉积 ald 衬底处理调整性质基座

[发明专利]减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板-CN201710513089.5有效
发明人： 理查德·菲利普斯;瑞安·布拉基埃;尚卡·斯瓦米纳森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
减少衬底处理系统再循环锥形喷头顶板

[发明专利]用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜-CN201710636255.0有效
发明人：尚卡尔·斯瓦米纳坦;理查德·菲利普斯;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜。本文描述了使用正性图案化方案将衬底图案化的方法和装置。方法包括接收具有图案化芯材的衬底，在图案化芯材上保形沉积掺杂间隔物材料，相对于掺杂间隔物材料选择性地蚀刻芯材以形成间隔物掩模，并且使用间隔物掩模蚀刻衬底上的目标层。可以使用硼、镓、磷、砷、铝和铪中的任何一种对间隔物材料进行掺杂。实施方式适用于在多个图案化应用中的应用。
用于半导体图案应用掺杂 ald

[发明专利]使用牺牲蚀刻盖层的高深宽比特征的介电间隙填充-CN201880073124.9在审
发明人：约瑟夫·R·阿贝尔;普尔凯特·阿加瓦尔;理查德·菲利普斯;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明描述了用于将材料沉积到高深宽比特征，多层堆叠件中的特征，具有正倾斜的侧壁的特征，具有负倾斜的侧壁的特征，具有内凹轮廓的特征和/或具有侧壁形貌的特征的方法和设备。方法包括将第一数量的材料(例如电介质(例如硅氧化物))沉积到特征中，并在衬底的场表面上形成牺牲护盔，蚀刻第一数量的材料中的一些以打开特征开口和/或使特征的侧壁平滑，并沉积第二数量的材料以填充特征。牺牲护盔可以是与沉积到特征中的第一数量的材料相同或不同的材料。
使用牺牲蚀刻盖层高深特征间隙填充

[发明专利]增加反应器处理批量大小的方法和设备-CN201880070970.5在审
发明人：普尔凯特·阿加瓦尔;普鲁肖塔姆·库马尔;理查德·菲利普斯;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种增加反应室批量大小的方法和使用该方法的等离子体处理设备。所述方法包含：(a)在所述反应室内处理批量晶片的一部分，其中所述处理导致至少一些材料靶外沉积在所述反应室的内部表面上；(b)执行批量中间反应室处理，以稳固累积于所述反应室的内部表面上的所述靶外沉积材料；以及(c)在所述反应室内处理所述批量晶片的另一部分。
增加反应器处理批量大小方法设备

[发明专利]用于晶片间膜厚度匹配的通过随室堆积量变化调制沉积循环数量的厚度补偿-CN201880059891.4在审
发明人： 理查德·菲利普斯;克洛伊·巴尔达赛罗尼;尼山斯·曼朱纳特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于执行原子层沉积的方法和装置。方法可以包括：确定当前在沉积室内部的内部区域上的沉积材料堆积量，其中所述沉积材料堆积量随批次衬底的处理过程改变；将所确定的所述沉积材料堆积量应用至下列两者之间的关系：达到目标沉积厚度所需的ALD循环数量与代表沉积材料堆积量的变量，其中在已知当前在所述沉积室内部的所述内部区域上的所述沉积材料堆积量的情况下，所述应用返回补偿的ALD循环数量以产生所述目标沉积厚度；以及在所述批次中的一个或多个衬底上执行所述补偿的ALD循环数量。
用于晶片厚度匹配通过堆积变化调制沉积循环数量补偿

[发明专利]消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法-CN201880047501.1在审
发明人：帕特里克·布莱琳;拉梅什·钱德拉塞卡拉;克洛伊·巴尔达赛罗尼;金成杰;伊时塔克·卡里姆;迈克·罗伯茨;理查德·菲利普斯;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种用于等离子体处理系统的基座组件。组件包括基座，所述基座具有中央顶表面，如台面，且中央顶表面从中央顶表面的中心延伸到中央顶表面的外径。环形表面围绕中央顶表面。环形顶表面设置在从中央顶表面向下的台阶处。多个晶片支撑件以在中央顶表面上方的支撑件高程距离从中央顶表面突出。多个晶片支撑件围绕中央顶表面的内半径均匀地布置。内半径位于中央顶表面的中心和小于中半径处之间，中半径介于基座的中心与中央顶表面的外径之间的约一半。提供了承载环，其被配置用于定位在基座的环形表面上。承载环具有承载环内径、承载环外径以及围绕承载环的顶部内部区域环形地布置的凸缘表面，凸缘表面凹入到承载环的顶部外部区域的下方。多个承载环支撑件被设置在基座的环形表面的外部。当承载环搁置在多个承载环支撑件上时，承载环支撑件限定承载环的在基座的中央顶表面上方的承载环高程尺寸，承载环高程尺寸被配置为高于基座的中央顶表面，高于支撑件高程距离。
消除晶片背面边缘缺口沉积物接触硬件方法

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