专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于半导体晶片加工的间距尺-CN202121718864.9有效
  • 班冬青;赵波 - 保定通美晶体制造有限责任公司
  • 2021-07-27 - 2021-12-14 - B24B37/28
  • 本实用新型公开了一种用于半导体晶片加工的间距尺,包括间距尺,所述间距尺包括手柄、内齿圆定位线、第一刻度线、第二刻度线和第三刻度线,所述间距尺的最上端设置有与内齿圆配合的内齿圆定位线,所述间距尺的左侧依次设置有与游星轮边缘配合的第一刻度线、第二刻度线和第三刻度线,所述间距尺的右侧与左侧镜像对称;所述间距尺的下端设置有手柄。本实用新型用于半导体晶片加工的间距尺能够准确的测量游星轮之间的距离,摆脱了对工人经验的依赖,使得游星轮在研磨盘表面能够均匀的分布,保证游星轮中的晶片承受了相等的压力,加工后的晶片厚度均匀一致,平整度好,产品质量得到显著提升。
  • 一种用于半导体晶片加工间距
  • [发明专利]一种金属抛光液及其制备方法-CN200610014412.6无效
  • 仲跻和;李家荣;周云昌;班冬青 - 天津晶岭电子材料科技有限公司
  • 2006-06-23 - 2007-12-26 - C09G1/02
  • 一种金属抛光液,由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:磨料10~50%;表面活性剂0.1~1%;pH值调节剂1~5%;螯合剂0.1~1%;去离子水为余量;其pH值范围为8~12;磨料的粒径范围为15~100nm。该抛光液的制备方法是:首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。本发明的优点是:抛光速率快,平坦度好;粒径小,晶片表面损伤小;容易清洗;无毒、无臭、无腐蚀;且抛光液制备简单,容易操作。
  • 一种金属抛光及其制备方法

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