专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]虚拟号码泄露可溯源、泄露链级数可设置通信方法及系统-CN202211388203.3在审
  • 张小平;张梦雨;王逸松;包涵;孙文厚 - 清华大学
  • 2022-11-08 - 2023-03-21 - H04M3/22
  • 本发明公开了一种虚拟号码泄露可溯源、泄露链级数可设置通信方法及系统,涉及通信技术领域,该方法包括:当用户B设备同意与用户A设备建立通信关系时,运营商服务平台将第一虚拟号码VN1表示为用户B设备的通信信息;运营商服务平台将某虚拟号码VN1CD转发给用户D设备,该虚拟号码VN1CD表示带有用户C设备标记符和用户D设备标记符的用户B设备的通信信息;当用户D设备使用该虚拟号码VN1CD发起与用户B设备的通话请求时,运营商服务平台在向用户B设备发出通话请求的同时,向用户B设备转发虚拟号码管理服务器根据该虚拟号码VN1CD确定的第一虚拟号码VN1的泄露链。本发明具有达到电话号码泄露可溯源的功能。
  • 虚拟号码泄露溯源级数设置通信方法系统
  • [发明专利]一种光栅耦合器-CN202111460079.2有效
  • 张小平;张梦雨;王逸松;李铭晖 - 清华大学
  • 2021-12-02 - 2022-10-18 - G02B6/34
  • 本发明公开了一种光栅耦合器。该光栅耦合器包括:由下至上依次层叠在一起的衬底层、氧化层、波导层以及覆盖层。所述波导层的材料为半导体材料。所述波导层刻蚀有纳米/微米级弧段阵列结构光栅,所述弧段阵列结构光栅包括多个同心的圆弧段,相邻圆弧段之间为刻蚀槽,其中,近心圆弧段用于作为光信号输入端,远心圆弧段作为光信号输出端,所述近心圆弧段为最靠近圆心的圆弧段,所述远心圆弧段为最远离圆心的圆弧段,所述圆心为各所述圆弧段的圆心。所述圆弧段的宽度由进入所述光栅耦合器的光信号的波长确定。从所述近心圆弧段到所述远心圆弧段,各圆弧段的长度依次增加。本申请提供的光栅耦合器提高了光信号的耦合高效。
  • 一种光栅耦合器
  • [发明专利]一种基于通信双方隐私保护的通信系统及方法-CN202210616885.2在审
  • 张小平;张梦雨;王逸松;包涵;孙文厚 - 清华大学
  • 2022-06-01 - 2022-10-04 - H04M7/00
  • 本发明涉及一种基于通信双方隐私保护的通信系统及方法,所述通信系统包括运营商服务平台和虚拟号码管理服务器;所述运营商服务平台分别与第一用户设备、第二用户设备和所述虚拟号码管理服务器连接;所述运营商服务平台用于第一用户设备和第二用户设备第二信息的分配、公布,及第一用户设备和第二用户设备之间通信状态的管理;所述虚拟号码管理服务器用于生成虚拟号码,建立映射关系及查询第一信息。本发明通过用户设备第二信息代替第一信息进行公布的方式及验证机制和虚拟号码管理机制实现任意场景下的通信双方的隐私保护。
  • 一种基于通信双方隐私保护系统方法
  • [发明专利]具有非对称硅纳米颗粒阵列结构的SOI晶圆及制备方法-CN202210092942.1在审
  • 张小平;张梦雨;王逸松;李铭晖 - 清华大学
  • 2022-01-26 - 2022-05-13 - B81B1/00
  • 本发明涉及一种具有非对称硅纳米颗粒阵列结构的SOI晶圆及制备方法,SOI晶圆包括:硅衬底层、二氧化硅掩埋层以及硅纳米颗粒阵列;纳米颗粒阵列由偶数个基元周期排列构成;单个基元包括两个不同尺寸的长方体纳米颗粒,采用平行排列方式或直线排列方式;在平行或直线排列方式中,第一长方体纳米颗粒位于第二长方体纳米颗粒一侧;将第一长方体纳米颗粒的中心点与第二长方体纳米颗粒的中心点的连线作为对称轴;第一长方体纳米颗粒和第二长方体纳米颗粒分别关于对称轴呈轴对称设置。本发明硅纳米颗粒阵列采用的非对称结构增强了光信号的局域场强,与硅材料的非线性结合进一步增强了硅纳米颗粒阵列的非线性效应,并且简化了加工工艺。
  • 具有对称纳米颗粒阵列结构soi制备方法
  • [发明专利]一种纳米级图案化金属阵列及其制备方法-CN202210093832.7在审
  • 张小平;张梦雨;王逸松;李铭晖 - 清华大学
  • 2022-01-26 - 2022-05-13 - B81B1/00
  • 本发明公开了一种纳米级图案化金属阵列及其制备方法,涉及光学器件技术领域,该纳米级图案化金属阵列包括硅基衬底和纳米级图案化金属颗粒阵列;所述纳米级图案化金属颗粒阵列包括多个纳米级金属颗粒,且所有所述纳米级金属颗粒按照周期排列在所述硅基衬底上;从俯视角度出发,所述纳米级图案化金属颗粒阵列中的纳米级金属颗粒的形状为正方形、长方形、三角形、L形、U形中的一种或多种。本发明能够增强非线性效应,较好实现对光波的传输方向、局域场强度以及偏振形式等方面的调控。
  • 一种纳米图案金属阵列及其制备方法

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