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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]高低结多子电导调制功率MOSFET器件-CN201320420473.8有效
发明人： 王立模 -专利权人： 王立模
申请日： 2013-07-07 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：低结多子电导调制功率MOSFET器件是在常规功率MOSFET的P-基区与N-漂移区之间插入一个掺杂浓度比N-区高得多之N层的改进型功率MOSFET器件。这N层与N-层构成具有多子注入功能的N/N-高低结。器件处于开态时，漏极电压恰好给该高低结施加正偏，它驱使静态时在N-区形成的电子积累层中的高密度电子和N层中的高密度电子同时向低掺杂浓度的N-漂移区注入，实现对N-漂移区的多子电导调制，降低中、高压功率MOSFET的导通电阻。采用窄元胞间距结构能够避免因插入高浓度N层引起的击穿电压的下降。给出了多种沟槽栅结构和一种平面栅结构的高低结多子电导调制功率MOSFET器件的器件结构和制作工艺。
高低结多子电导调制功率 mosfet 器件

[发明专利]MOS栅基极开关四极管-CN201010222951.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 王立模
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：MOS栅基极开关四极管是在双极器件(双极晶体管或晶闸管中一个双极晶体管)的基极通道上加设MOS控制栅的一类新的四端子MOS栅功率开关器件。它结合MOS栅驱动电路简单及双极器件大电流密度传导能力的优点，并有放大开关功能。给出了平面栅和沟槽栅结构的单沟道与互补沟道MOS栅基极开关四极晶体管及MOS栅基极开关四极晶闸管的器件结构和具体实施方式，它们与功率MOSFET和IGBT的制作工艺兼容，比四端子发射极开关双极晶体管(ESBT)的结构和工艺简单得多。它们的λ负阻型负斜率饱和特性有更好的抗dV/dt能力，其电流负温度系数有利于大量元胞的并联。此类器件原理也可用于制作各类化合物半导体MOS栅基极开关四极晶体管及晶闸管。
mos 基极开关四极管

[其他]栅控半导体四极管-CN101987000002851在审
发明人： 王立模 -专利权人：芜锡微电子联合公司
申请日： 1987-04-17 - 公布日： 1989-06-28 - 主分类号：文献下载
摘要：栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流－电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。它们的输出电流，跨导，以及负阻型输出曲线的负阻阻值，可在很大范围内调定，且最大跨导极高，结合其他很多优良特性，这类器件可用于简化电子电路和集成电路的结构或改进它们的电路性能，甚至开拓某些新的电路功能领域。
半导体四极管

[发明专利]栅控半导体四极管-CN87102851.4无效
发明人： 王立模 -专利权人：芜锡微电子联合公司
申请日： 1987-04-17 - 公布日： 1989-06-28 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流-电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。它们的输出电流，跨导，以及负阻型输出曲线的负阻阻值，可在很大范围内调定，且最大跨导极高，结合其他很多优良特性，这类器件可用于简化电子电路和集成电路的结构或改进它们的电路性能，甚至开拓某些新的电路功能领域。
半导体四极管

[其他]栅控半导体四极管-CN87102851无效
发明人： 王立模 -专利权人：无锡微电子联合公司
申请日： 1987-04-17 - 公布日： 1988-05-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流—电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。它们的输出电流，跨导，以及负阻型输出曲线的负阻阻值，可在很大范围内调定，且最大跨导极高，结合其他很多优良特性。这类器件可用于简化电子电路和集成电路的结构或改进它们的电路性能。甚至开拓某些新的电路功能领域。
半导体四极管

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