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[发明专利]一种快速及高精度的全景图像裁剪方法-CN202310800725.8在审
发明人：曹明伟;江海燕;王溯 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：本发明公开一种快速及高精度的全景图像裁剪方法与系统，对于给定的全景图像，首先计算全景图像对应的二值图像(Mask)；其次，计算二值图像包含的最大内接矩形；然后，根据最大内接矩形计算全景图像的感兴趣区域；最后，提取感兴趣域内的图像，即可获得完整图像信息。本发明公开的“一种快速及高精度的全景图像裁剪方法与系统”可以被应用于虚拟现实、增强现实、三维重建、道路资产数字化、数字孪生和元宇宙领域。
一种快速高精度全景图像裁剪方法

[发明专利]一种酸性清洗液-CN202310795372.7在审
发明人：王溯;马丽;刘松;张磊磊;梁业成 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C11D1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性清洗液。本发明的酸性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑4％有机胺、0.1‑9％酸、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为磺酸盐类阴离子表面活性剂；所述的酸与所述的有机胺的质量比为(1‑3):1。本发明的酸性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种酸性清洗

[发明专利]一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111322701.3有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;崔中越 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种深紫光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111322699.X有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;崔中越 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种碱性清洗液的应用-CN202310795349.8在审
发明人：王溯;马丽;刘松;成益敏 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性清洗液的应用。本发明的碱性清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种碱性清洗应用

[发明专利]一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111322706.6有效
发明人：方书农;王溯;耿志月 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。所述的深紫外光刻用底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种深紫光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种碱性清洗液的制备方法-CN202310795374.6在审
发明人：王溯;马丽;张怡;邢乃观;程鑫 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性清洗液的制备方法。本发明的碱性清洗液的制备方法包括如下步骤：将所述的碱性清洗液中的各个组分混合，得到所述的碱性清洗液；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。采用本发明的碱性清洗液的制备方法制得的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种碱性清洗制备方法

[发明专利]一种酸性清洗液的制备方法-CN202310795345.X在审
发明人：王溯;马丽;刘松;翟俊杰;张雪东 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C11D1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性清洗液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将所述的酸性清洗液中的各个组分混合，得到所述的酸性清洗液；所述的酸性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑4％有机胺、0.1‑9％酸、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为磺酸盐类阴离子表面活性剂；所述的酸与所述的有机胺的质量比为(1‑3):1。采用本发明的制备方法制得的酸性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种酸性清洗制备方法

[发明专利]一种碱性清洗液-CN202310795355.3在审
发明人：王溯;马丽;梁业成;张磊磊 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性清洗液。本发明的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种碱性清洗

[发明专利]一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111146214.6有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;崔中越 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08F234/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种 duv 光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111146211.2有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;唐晨 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08F234/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。所述的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种 duv 光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种列车车轮踏面制动模拟试验装置-CN202210111094.4有效
发明人：杨文斌;李仕宇;肖乾;陈道云;刘新龙;王溯;张博;夏金龙 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01M17/08 文献下载
摘要：一种列车车轮踏面制动模拟试验装置，包括上、下试样运动系统和踏面制动系统，下试样运动系统连接有主轴，主轴用于安装车轮试样，上试样运动系统连接有副轴，副轴用于安装钢轨试样；踏面制动系统包括托板和加载机构，托板上连接有位于主轴下方的二维力传感器，二维力传感器上设有闸瓦片，二维力传感器记录当旋转的车轮试样与闸瓦片接触时的垂直压力和水平摩擦力的力数值。本发明可实现列车踏面制动时滑动接触模拟试验，并且滚动模拟试验和滑动接触模拟试验可同步进行，用来模拟列车踏面制动时的热机耦合工况，更贴近实际列车在运行时施加踏面制动的情形，真实还原了实际列车的车轮、钢轨、闸瓦片三者之间的相互作用及影响，以便分析列车踏面接触部位的损伤情况。
一种列车车轮制动模拟试验装置

[发明专利]一种浸没式ArF光刻用光产酸剂及光刻胶组合物-CN202110979405.4有效
发明人：王溯;方书农;徐森 -专利权人：上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种浸没式ArF光刻用光产酸剂及光刻胶组合物。本发明的光产酸剂如式I所示。含有本发明的光产酸剂的光刻胶的具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点，具有良好的应用前景。
一种浸没 arf 光刻用光产酸剂组合

[发明专利]旋转升降拖地离合结构及扫地机-CN202210662917.2有效
发明人：徐进辉;许志涛;王溯 -专利权人：广东栗子科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： A47L11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种旋转升降拖地离合结构及扫地机。旋转升降拖地离合结构包括：拖地机构，包括连接轴、安装套、轴承、磁性套以及拖布组件，安装套套设于连接轴外，轴承套设于安装套外，具有内圈和外圈，内圈用于连接安装套，磁性套套设于连接轴外，用于和内圈相吸合，并能够相对连接轴活动，拖布组件套设于磁性套外；升降驱动机构，和外圈相抵接，用于驱动拖地机构上下升降；旋转驱动机构，连接于连接轴，用于驱动拖地机构转动。本发明中的旋转升降拖地离合结构，由于磁性套能够相对连接轴活动，如此便于拖布组件和连接轴的安装和拆卸，又能够保证连接轴连接拖布组件连接的稳定性。
旋转升降拖地离合结构地机

[发明专利]一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法-CN202110979290.9有效
发明人：王溯;方书农;徐森;林逸鸣 -专利权人：上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C07C381/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种浸没式ArF光刻用的光产酸剂的制备方法。本发明的制备方法包括以下步骤：在溶剂中，将化合物II和化合物III进行如下式的成盐反应，得到所述的如式I所示的化合物。含有通过本发明制得的光产酸剂的光刻胶具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点，具有良好的应用前景。
一种浸没 arf 光刻用光产酸剂制备方法

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