“王昭昊”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果43个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置-CN202111098048.7有效
发明人： 王昭昊;王旻;王朝;张中魁;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置，所述方法包括：根据待运算数据以及磁隧道结的数据定义规则，对磁隧道结施加自旋轨道矩电流和自旋转移矩电流，并获取磁隧道结状态；其中，所述磁隧道结的数据定义规则是预设的；根据所述磁隧道结状态以及状态定义规则，获得所述待运算数据的逻辑运算结果并存储；其中，所述状态定义规则是预设的。所述装置用于执行上述方法。本发明实施例提供的基于磁隧道结的数据处理方法，利用磁隧道结实现了逻辑运算。
一种基于隧道数据处理方法装置

[发明专利]一种存储单元对、阵列、存储电路、电子设备及方法-CN202210298988.9在审
发明人：王朝;王昭昊;冯家高;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储单元对、阵列、存储电路、电子设备及方法，其中存储单元对包括：一对存储子单元以及一公共晶体管；每个存储子单元包括一独立晶体管和一存储元件；所述公共晶体管的控制极与一写字线耦接，其第一极和第二极各自耦接在一存储子单元的独立晶体管和存储元件之间。本发明通过公共晶体管与独立晶体管的串、并联，达到减小驱动电阻的目的，同时引入的公共晶体管合理布局于两个存储子单元之间的间隔处，在不增加面积的情况下，通过减小驱动电阻提升了存储单元的驱动能力。
一种存储单元阵列电路电子设备方法

[发明专利]基于自旋轨道矩的存储单元、阵列、电路、及方法-CN202210299223.7在审
发明人：王朝;王昭昊;冯家高;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种基于自旋轨道矩的存储单元、阵列、电路、及方法，其中存储单元包括：一第一晶体管和一对第二晶体管；以及磁性隧道结，其包括依次层叠的自旋耦合层、自由层、势垒层以及固定层。本发明三个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元，与传统的采用两个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元的结构相比，提高了写入效率，并且没有增加面积，有利于提高集成度。
基于自旋轨道存储单元阵列电路方法

[发明专利]基于全局噪声抵消的低噪声放大器及其方法-CN201811553622.1有效
发明人：刘洋;王昭昊;杨建磊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明所述基于全局噪声抵消的低噪声放大器及其方法，提供一种新的低噪声放大器电路设计与抵消方法，以期在信号输出节点处通过反相相加而实现全部有源器件的噪声抵消，达到兼顾降低噪声系数与保持较大增益的双重目的。即将低噪声放大器电路设计为双支路结构。所述的低噪声放大器电路，具有结构相同、且完全对称的结构形式；每一支路，均由一个共栅极输入级和带有电阻反馈的共源极放大级电路构成；信号从两个共栅极的源极输入，分别经过两个支路后，在两个共源极的漏极输出；每一支路中的有源器件，其两端的噪声均沿两个支路、不同方向，分别传输至输出节点，利用在输出节点的反相关系而相加实现抵消。
基于全局噪声抵消低噪声放大器及其方法

[发明专利]磁性随机存储单元、读写方法以及存储器-CN202310817783.1在审
发明人：王朝;王昭昊;刘旭;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储单元，包括第一存储器、第二存储器、第一开关元件和第二开关元件；其中，所述第一存储器包括第一自旋轨道矩层以及设置在所述第一自旋轨道矩层上的第一磁隧道结；所述第二存储器包括第二自旋轨道矩层以及设置在所述第二自旋轨道矩层上的第二磁隧道结，所述第一自旋轨道矩层的第一输入端通过所述第一开关元件与第一信号线连接，所述第一自旋轨道矩层的第一输出端与所述第二自旋轨道矩层的第二输入端通过所述第二开关元件连接，所述第二自旋轨道矩层的第二输出端与第二信号线连接；本发明可解决现有多位数据存储的磁性随机存储单元的工艺复杂，数据读写性能差的问题。
磁性随机存储单元读写方法以及存储器

[发明专利]基于虚拟现实设备的存内计算方法及装置-CN202111480620.6有效
发明人：李月婷;曹凯华;王昭昊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于虚拟现实设备的存内计算方法及装置中采用MRAM近存储技术，将图像采集、空间位置变化和人机交互等任务都具有独自的MRAM存储并完成存内计算，提升虚拟现实技术设备的工作效率；通过MRAM在VR、AR和WR等虚拟现实技术应用设备中，MRAM具有非易失性和快速读取能力，可以解决传统存储SRAM/DRAM的易失性问题和Flash读写速度慢等问题；由于大量数据需要在设备中处理，MRAM近存储技术可以避免无效数据，同时处理有效数据并将处理后的任务存储在MRAM区域，提升设备可靠性；通过将各自任务处理后的事件综合传输给CPU进行综合事件响应，该方式可以减少任务响应时间和提升设备可靠性。
基于虚拟现实设备计算方法装置

[发明专利]真随机数发生装置及发生方法-CN202010385623.0有效
发明人：赵巍胜;王佑;朱道乾;王昭昊 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种真随机数发生装置及发生方法。所述发生装置包括控制模块、随机数发生模块和随机数读取模块；所述随机数发生模块包括自旋轨道矩层以及设于所述自旋轨道矩层上的多个磁隧道结；所述控制模块用于基于用户的随机数生成指令形成随机数生成信号；所述随机数读取模块用于基于所述控制模块传输的随机数生成信号向两个所述磁隧道结输入预设信号，基于所述预设信号的放电情况得到随机数输出信号，本发明可解决现有技术中真随机数发生器硬件开销大、工作频率受限和高功耗的问题。
随机数发生装置方法

[发明专利]磁性随机存储单元、存储器及设备-CN202110210410.9有效
发明人：刘桐汐;王昭昊;王旻;王朝;吴比;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储单元、存储器及设备，包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，所述磁隧道结自由层的磁矩受到类场矩的作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应，所述第一自旋轨道矩电流的电流密度小于所述第二自旋轨道矩电流，本发明可通过结合外加磁场和类场矩对自由层磁矩的作用，使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转。
磁性随机存储单元存储器设备

[发明专利]磁性存储器及坏点标记方法-CN202310263858.6在审
发明人：金辉;李朋宾;王昭昊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性存储器及坏点标记方法，包括磁性存储单元阵列、行标记器和列标记器；所述磁性存储单元阵列包括阵列排布的多个磁性存储单元；所述行标记器包括与所述磁性存储单元阵列的每行磁性存储单元分别对应的多个行标记单元，用于标记对应行的磁性存储单元的可用状态；所述列标记器包括与所述磁性存储单元阵列的每列磁性存储单元分别对应的多个列标记单元，用于标记对应列的磁性存储单元的可用状态。本申请以行或列的磁性存储单元为单位进行坏点屏蔽，大大的节约了存储空间。
磁性存储器标记方法

[发明专利]MRAM存储单元、磁性存储阵列、存储器-CN202310158833.X在审
发明人：金辉;王昭昊;陈思宇;殷加亮;朱道乾;史可文;曹凯华;王碧;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM存储单元、磁性存储阵列、存储器，涉及磁性电子器件技术领域。该MRAM存储单元包括底电极、第一自由层、第一隧穿势垒层、固定层、第二隧穿势垒层、第二自由层和顶电极，其中，底电极用于写入不同方向的电流，使得第一自由层的磁化方向和固定层的磁化方向平行或反平行；顶电极用于写入不同方向的电流，使得第二自由层的磁化方向和固定层的磁化方向平行或反平行。本发明通过向底电极和顶电极写入不同方向的电流，改变第一自由层、第二自由层的磁化方向，使得MRAM存储单元存在多种阻值状态，实现了多阻态存储。同时，本发明优化了原有MTJ结构，从根本上解决了原有MTJ基础单元只能数据位简单叠加、无法实现多种功能的问题。
mram 存储单元磁性阵列存储器

[发明专利]磁性存储单元及计算机设备-CN202310061098.0在审
发明人： 王昭昊;王旻;王宸逸;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性存储单元及计算机设备，所述磁性存储单元包括自旋轨道耦合层以及设于所述自旋轨道耦合层上的多个磁隧道结；所述自旋轨道耦合层包括至少三个朝向不同方向设置的用于分别输入自旋轨道矩电流的支路；至少两个所述支路的每个支路上设置有至少一个磁隧道结，且所述多个磁隧道结的易磁方向相同。本申请可实现多个磁隧道结的一次性数据写入，并且降低多磁隧道结的磁性存储单元的工艺复杂度，优化数据写入方式。
磁性存储单元计算机设备

[发明专利]多比特磁性存储单元的制作方法及存储单元-CN202310061173.3在审
发明人： 王昭昊;王旻;史可文;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多比特磁性存储单元的制作方法、单元及存储器，所述方法包括：形成自旋轨道矩层；在所述自旋轨道矩层上形成至少一个磁隧道结和至少一个磁性体，所述磁隧道结用于存储数据，所述磁性体用于为所述磁隧道结提供漏磁场，使得磁隧道结的不对称性增强，本发明可使读取裕度增加并降低功耗。
比特磁性存储单元制作方法

[发明专利]基于自旋轨道矩的磁性存储器件-CN202011436303.X有效
发明人：王朝;王昭昊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于自旋轨道矩的磁性存储器件，包括：沿第一方向延伸的第一直流电流通路、在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二直流电流通路以及设置在所述第一直流电流通路与所述第二直流电流通路交叉位置上的磁隧道结；所述第一直流电流通路与所述第二直流电流通路均采用重金属材料制成；其中，通过在所述第一直流电流通路或所述第二直流电流通路两端电极通入直流电产生自旋轨道矩效应使被施加VCMA控制电压的磁隧道结的磁矩翻转，即利用SOT实现PMA‑MTJ状态的确定性翻转，且不需要施加额外的磁场人为地破坏体系对称性，减少面积和功耗开销，减少电极端口数量。
基于自旋轨道磁性存储器件

[发明专利]一种自旋纳米振荡器-CN202011136345.1有效
发明人：王旻;王昭昊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋纳米振荡器，依次包括：强自旋轨道耦合层、第一自由层、探测器的第一势垒层以及探测器的参考层，自旋轨道矩电流通过所述强自旋轨道耦合层输入，在所述强自旋轨道耦合层与所述第一自由层之间的界面交互作用的辅助下，诱导所述第一自由层磁矩发生进动，引发磁畴壁周期性振荡，所述探测器检测磁矩变化并通过所述探测器输出周期性信号，读写路径分离，防止击穿。
一种自旋纳米振荡器

[发明专利]多功能磁性随机存储单元、存储器及设备-CN202011636695.4有效
发明人：王旻;王昭昊;王朝;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多功能磁性随机存储单元、存储器及设备，多功能磁性随机存储单元包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，其中，所述至少一个磁隧道结的自由层受到DMI效应作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变，本发明可使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转。
多功能磁性随机存储单元存储器设备

1
2
3
下一页»
尾页
共 43 条