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[实用新型]一种间歇式自动拨料装置-CN202222289162.4有效
发明人： 王云姬;田锦;史士杰;赵小聪;陈齐;陈华丽;陈洁梅 -专利权人：江苏察控智能装备有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B65G47/82 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种间歇式自动拨料装置，其特征在于：包括料笼和拨动模块；通过在料笼的下方设置拨动模块，该拨动模块结构小巧可直接安装在料笼的下方，占用空间小；通过驱动电机带动动力板旋转，从而通过动力板的限位腰型槽带动导向滚轮沿着滚轮导向板的环形槽的轮廓运动；通过导向滚轮的运动轨迹实现与导向滚轮相连的连接柱带动活动拨叉按照导向滚轮的运动轨迹形成复合运动，从而实现活动拨叉在料笼内间歇式的拨料；这种间歇式自动拨料装置拨料效率高，且输送稳定。
一种间歇自动装置

[实用新型]一种自动化工件打磨设备-CN202222309326.5有效
发明人： 王云姬;田锦;史士杰;赵小聪;陈齐;陈华丽;陈洁梅 -专利权人：江苏察控智能装备有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B24B7/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动化工件打磨设备，它涉及打磨设备技术领域。打磨机构包括打磨头和液压缸；限位机构包括工作台、固定挡座、第一挡块和第二挡块，第一挡块通过第一推动气缸驱动平移；第二挡块通过第二推动气缸驱动平移，第二驱动气缸的推动杆连接有推板，推板内设有第一电磁铁，第二挡块为L型结构，第二挡块包括挡块A和挡块B，挡块A内安装有磁铁；固定挡座内设有凹槽，凹槽内安装有第二电磁铁，凹槽内还安装有固定薄板和弹簧，弹簧伸出凹槽的外部设置；输送机构包括设于工作台上的输送带。本实用新型的优点在于：工件通过输送带输送，输送后可通过限位机构限位进行打磨，自动化程度高，工作量降低，且加工更安全。
一种自动化工件打磨设备

[发明专利]一种穿戴式可变色防护材料加工设备-CN202211343117.0在审
发明人： 王云姬;赵小聪;陈华丽;陈齐 -专利权人：江苏察控智能装备有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B29C48/05 文献下载
摘要：本发明涉及材料加工领域，具体公开了一种穿戴式可变色防护材料加工设备，包括支架、驱动电机、冷却机构、导丝机构和同步机构，所述同步机构呈水平状安装于支架上，所述冷却机构呈立状安装在支架上，且导丝机构分布在冷却机构的外围上。本发明通过设有同步机构，同步机构可同时处理多个拉丝作业，且拉丝作业同步进行，可配合现有编织设备的多个进线端，同时在拉丝过程中，注料过程中即可得到有效冷却，预冷却后将其经过拉丝单元时被挤压，挤压成型后抛出丝线，全程不接触冷水介质，避免了杂质的附着，改变了传统的成型后冷却的作业流程，通过冷却预成型后，再拉丝成型，提高拉丝的延展性，可成型线粗更细的丝线。
一种穿戴变色防护材料加工设备

[发明专利]一种宽带极化不敏感的超材料吸波体-CN202111000888.5在审
发明人： 王云姬;邱亚涛;倪波 -专利权人：金陵科技学院
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带极化不敏感的超材料吸波体，其特征在于，所述吸波体为周期结构，每个吸波体由M×N个周期单元组成，所述周期单元结构形状为正方形，其单元边长为500nm，每个周期单元的吸波体包括：谐振结构、金属钨、介质层和金属底层，从上到下的顺序依次是谐振结构、金属钨、介质层和金属底层；所述谐振结构包括：对称的十字结构和圆柱体；所述十字结构为对称的，位于金属钨的正中间；四个圆柱位于十字结构空白区域的中心位置。本发明旨在提供一种宽带极化不敏感的超材料吸波体，选用常规材料Ni(镍)和W(钨)构建超材料结构实现了光学波段的宽带吸收。
一种宽带极化敏感材料吸波体

[实用新型]一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片-CN201420770646.3有效
发明人：曹高奇;唐恒敬;王云姬;李雪;邵秀梅;程吉凤;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本专利公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiN_x)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本专利的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。
一种改善表面钝化平面型铟镓砷光敏芯片

[发明专利]一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法-CN201310327079.4无效
发明人：杨波;邓洪海;朱龙源;邵秀梅;李雪;李淘;唐恒敬;魏鹏;王云姬;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探测器阵列器件制备后与读出电路耦合，采用湿法和干法相结合的技术减薄衬底，提高器件在可见光波段的量子效率。另外，采用这种新工艺制备的平面型铟镓砷红外探测器芯片，在实现波长延伸的同时，在常规波段也能保持和传统的铟镓砷探测器相当的量子效率和暗电流。
一种延伸波长平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法

[发明专利]一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片-CN201210019745.3有效
发明人：邓洪海;唐恒敬;李淘;李雪;魏鹏;朱耀明;王云姬;杨波;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收，在探测器量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀。另外，这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降低器件盲元率及器件暗电流的新型平面型器件结构。
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片

[发明专利]一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法-CN201210019114.1无效
发明人：邓洪海;唐恒敬;李淘;李雪;魏鹏;朱耀明;王云姬;杨波;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。所制备的探测器在量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法

[发明专利]一种台面型铟镓砷探测器制备方法-CN201110317200.6有效
发明人：朱耀明;李雪;龚海梅;唐恒敬;李淘;魏鹏;王云姬;邓洪海;刘诗嘉;张在实;汤亦聃;乔辉 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
一种台面型铟镓砷探测器制备方法

[发明专利]单片集成亚波长微偏振光栅的铟镓砷近红外探测器-CN201110135542.6无效
发明人：邵秀梅;李雪;王云姬;唐恒敬;李淘;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成亚波长微偏振光栅的InGaAs线列或面阵探测器。它是一种光电探测器，由InGaAs光敏芯片、增透膜和亚波长微偏振光栅组成。增透膜选用低折射率SiO2材料，改善亚波长微偏振光栅的消光比。亚波长微偏振光栅是由不同偏振取向的偏振单元构成的偏振光栅线列或阵列，每个偏振单元是光栅周期小于入射光波长的金属偏振光栅。本发明实现亚波长微偏振光栅在近红外探测器上的片上集成，主要优点是：①将偏振光栅与探测器单片集成，简化光学系统，省略偏振扫描系统的运动部件；②可以实现高精度的角度定量化，避免角度误差；③不同偏振取向的偏振单元同时成像，对移动的目标获得准确的偏振信息。
单片集成波长偏振光栅铟镓砷近红外探测器

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