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[实用新型]一种硅粉加工用除尘机-CN202320395151.6有效
发明人： 王中然;刘立新;李琳伟 -专利权人：山西立新硅材料科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅粉加工技术领域，且公开了一种硅粉加工用除尘机，包括出料斗，出料斗右端面固定安装有除尘机构，除尘机构底端面固定安装有集尘机构；除尘机构包括动力部、连接部和过滤部，动力部侧面与连接部内壁固定连接，连接部内壁与过滤部侧面固定连接；动力部包括电机。通过安装出料斗使得能够安装除尘机构；通过安装除尘机构使得能够对硅粉内的灰尘进行清理；通过安装电机使得能够为该机构提供动力支持；通过安装导流罩使得能够引导气流；通过安装滤板使得能够件灰尘进行过滤；通过安装集尘机构使得能够将灰尘进行收集；通过安装观察窗使得能够观察集尘箱内部灰尘的多少；通过安装支撑腿使得能够对该装置进行支撑。
一种硅粉加工用除尘

[实用新型]一种工业硅冶炼自动上料装置-CN202320395158.8有效
发明人： 王中然;刘立新;李琳伟 -专利权人：山西立新硅材料科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及工业硅技术领域，且公开了一种工业硅冶炼自动上料装置，包括箱体，箱体下方设置有传动机构，箱体内部设置有配料机构，配料机构包括第一电机，第一电机下方设置有破碎部；破碎部包括两个第一转轴和两个破碎辊，第一转轴右端面通过第一轴承座与箱体内壁转动连接，破碎辊固定套设在第一转轴外表面。该工业硅冶炼自动上料装置，通过设置蜗轮、蜗杆套筒、第一转轴和破碎辊，通过启动第一电机，使蜗杆套筒转动，带动两个蜗轮转动，使蜗轮带动第一转轴和破碎辊同步转动，使冶炼硅原料被破碎；通过设置刮板、连接板和涡片、通过第一电机带动连接板转动，使刮板对箱体内壁进行刮拭，防止原料粉末粘附在箱体内壁。
一种工业冶炼自动装置

[实用新型]一种用于硅粉回收的粉碎装置-CN202320395140.8有效
发明人： 王中然;刘立新;李琳伟 -专利权人：山西立新硅材料科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅粉技术领域，且公开了一种用于硅粉回收的粉碎装置，包括安装板，安装板顶端面固定安装有粉碎机构；粉碎机构包括动力部和粉碎部，动力部底端面与安装板顶端面固定连接，粉碎部内壁与动力部侧面固定连接；动力部包括电机。通过安装安装板使得能够安装粉碎机构；通过安装支撑腿使得能够对该装置进行支撑；通过安装箱体使得能够为粉碎作业提供空间；通过安装门体与把手使得能够关闭或打开箱体，能够防止硅粉扬尘；通过安装粉碎机构使得能够对促织硅粉进行粉碎作业，能够提高该装置的工作效率；通过安装；通过安装防护箱和散热孔使得能够对电机进行保护和散热；通过安装收集箱和第二把手使得能够对硅粉进行收集。
一种用于回收粉碎装置

[发明专利]一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法-CN202310474135.0在审
发明人：刘立新;王中然;李琳伟 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/587 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，属于大功率半导体模块封装的技术领域，包括：S1、将高纯氮化硅粉体与全氢聚硅氮烷(PHPS)充分混合，加入无水乙醇，充分搅拌均匀后，制得氮化硅基的浆料；S2、将S1中的浆料注入薄膜流延设备，流延成型为一定的厚度的薄基板；S3、将S2中得到的薄基板放置于干燥烘干设备中进行烘干处理；S4、将S3处理好的氮化硅基板放置于烧结炉中，抽真空，充入氮气和/或者氨气，维持正压，升温至熔融状态，待炉内温度稳定一段时间后断电，降温处理，随炉冷却制得高纯一体化氮化硅基板。该基板可用于大功率电子半导体模块的散热使用。
一种高纯一体化氮化散热制作方法

[发明专利]一种用于单晶硅拉制的无氧氮化硅坩埚的制作方法-CN202310474136.5在审
发明人：刘立新;王中然;李琳伟 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶硅拉制的无氧氮化硅坩埚的制作方法，属于单晶硅熔炼提纯的技术领域，包括：S1、将高纯氮化硅粉体与聚硅氮烷(PSZ)充分混合，加入易挥发性有机溶剂，充分搅拌均匀后，制得混合浆料；S2、将混合好的浆料在球磨机上进行球磨处理，之后将浆料静置一段时间；S3、将S2中的浆料注入提前预制好的坩埚模具中，注浆过程缓慢平稳，完成后，持续加压一定时间，开模取出坩埚坯体，在室温下干燥烘干去除溶剂；S4、将处理好的坩埚坯体放置于烧结炉中，在氮气氛围下，维持正压，升温至熔融状态，在熔融态下保温一定时间，随炉冷却制得不含氧氮化硅坩埚，本发明工艺简单，制得的无氧氮化硅坩埚是理想的单晶硅的熔炼提纯用坩埚。
一种用于单晶硅拉制氮化坩埚制作方法

[发明专利]一种精炼硅泥的装置及方法-CN202111572854.3有效
发明人：刘立新;王中然 -专利权人：湖南立新硅材料科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种精炼硅泥的装置及方法，属于太阳能级高纯硅冶炼制造技术领域。包括高纯石墨坩埚；炉盖，所述炉盖安装在所述高纯石墨坩埚上，形成一个封闭的容器，所述炉盖上开有气口；除尘装置，所述除尘装置与所述气口相连；耐火材料，所述耐火材料包裹在所述高纯石墨坩埚的外侧；感应加热线圈，所述感应加热线圈布置在所述耐火材料外侧；搅拌器，所述搅拌器伸入所述高纯石墨坩埚中；及惰性气源，所述惰性气源出气口伸入到所述高纯石墨坩埚中，用于将硅泥颗粒和渣剂吹入所述高纯石墨坩埚中。以解决相关技术中存在的硅泥容易氧化、回得率低，且最终产品纯度不够的问题。
一种精炼装置方法

[实用新型]一种氮化硅坩埚-CN202223141958.1有效
发明人：刘立新;简城梁;何家雍;王中然;钟勇 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅坩埚，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的底部中央开有贯通的孔洞；石墨堵头，所述石墨堵头可拆卸地封堵在所述孔洞上。本申请从氮化硅坩埚的结构入手，所述坩埚本体的底部中央开有贯通的孔洞，所述石墨堵头可拆卸地封堵在所述孔洞上，可在铸锭完成后，将氮化硅坩埚翻转，打开可拆卸的石墨堵头，利用底部开孔用脱模装置可实现硅锭的无损脱模。
一种氮化坩埚

[发明专利]一种单晶硅的制备装置及其使用方法-CN202110907340.2有效
发明人：刘立新;王中然 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅的制备装置及其使用方法，属于单晶硅制造技术领域，真空熔炼室；分瓣式水冷铜坩埚，设置在所述真空室内；石墨熔化棒，可伸入所述分瓣式水冷铜坩埚中；高频感应线圈，设在所述分瓣式水冷铜坩埚外；石英坩埚，位于所述分瓣式水冷铜坩埚的下方；石墨加热器，套设在所述石英坩埚外；低频感应线圈，套设在所述石墨加热器外；第一提升机构，与所述低频感应线圈相连，用于提供所述低频感应线圈沿所述石英坩埚轴向方向的提升力；冷却器，贴附在所述石英坩埚的底部；加料机构，其出料通入所述分瓣式水冷铜坩埚。可降低最终硅晶体的氧含量，综合提高晶体质量。
一种单晶硅制备装置及其使用方法

[实用新型]一种多晶硅颗粒微波烘干的上料装置-CN202221232430.2有效
发明人：刘立新;王中然;李琳伟 -专利权人：湖南立新硅材料科技有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： F26B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅颗粒微波烘干的上料装置，包括：机架和弹性件；进给料槽，所述进给料槽通过所述弹性件悬挂在所述机架上；震动机构，为所述进给料槽提供震动；颗粒划分机构，设置在所述进给料槽的出料端处，所述颗粒划分机构包括刮板和固定在所述刮板内侧的梳齿结构，所述刮板底部与所述进给料槽出料端内底面之间形成出料口。在颗粒划分机构的作用下，多晶硅颗粒可分布均匀，省去人工摊平处理工序，对提高生产效率有积极的意义。
一种多晶颗粒微波烘干装置

[发明专利]一种利用硅泥废料制备太阳能级硅原材料的方法-CN202110907864.1有效
发明人：刘立新;王中然;何家壅 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅泥废料制备太阳能级硅原材料的方法，其中，所述方法包括：将单晶硅切片的硅泥废料与水混合搅拌，得到悬浮溶液A；将第一气体与双氧水混合，得到第一气液混合物；将第一气液混合物通入所述悬浮溶液A，搅拌，静置，清理油污，得到悬浮溶液B；将第二气体与氨水混合，得到第二气液混合物；将第二气液混合物通入所述悬浮溶液B，搅拌，静置，清理油污，得到悬浮溶液C；将所述悬浮溶液C压滤，清洗，烘干得到硅泥；将所述硅泥进行压铸制粒，得到硅泥颗粒；将所述硅泥颗粒放入真空定向凝固炉中加热熔化并定向凝固，得到多晶硅铸锭；将所述多晶硅铸锭去除顶部、边皮，之后敲碎，得到的太阳能级硅原材料。
一种利用废料制备太阳能级原材料方法

[发明专利]一种石墨坩埚抗氧化防渗漏的方法-CN202210152861.6在审
发明人： 王中然;刘立新;禹荣刚;钟勇 -专利权人：湖南立新硅材料科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨坩埚抗氧化防渗漏的方法，属于石墨坩埚抗氧化防渗漏技术领域。将碳化钛或碳化钨的粉末和硅酸钠溶液混合，搅拌后得到第一混合熔液；将顶部连接抽真空装置的第一石墨坩埚浸入所述第一混合溶液中；通过所述抽真空装置对所述第一石墨坩埚内腔抽真空，得到处理好的第二石墨坩埚；将所述第二石墨坩埚进行清洗，烘干；将高纯硅泥与硅酸钠溶液充分混合，得到第二混合溶液；将第二混合溶液均匀喷涂到清洗烘干后的第二石墨坩埚内壁、外壁、底部，得到第三石墨坩埚；将所述第三石墨坩埚放入真空炉中，抽真空后，逐渐升温加热至熔融状态，保温、冷却。通过该方法处理后的石墨坩埚在熔炼使用过程中不容易漏液，且延长了使用寿命。
一种石墨坩埚氧化渗漏方法

[发明专利]一种双频感应炉直拉单晶硅的装置-CN202110907857.1在审
发明人：刘立新;王中然 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双频感应炉直拉单晶硅的装置，包括：真空熔炼室；石英坩埚，设置在所述真空熔炼室内；石墨熔化器，固定于所述石英坩埚的上部，所述石墨熔化器上开有供融化后的硅液流出的出液口；加料机构，其出料口通入所述石墨熔化器；中频感应线圈，套设在所述石英坩埚外；低频感应线圈，套设在所述石英坩埚外，且位于所述中频感应线圈的下方；水屏蔽环，套设在所述石英坩埚外，且位于所述中频感应线圈和所述低频感应线圈之间；升降机构，为所述中频感应线圈、低频感应线圈以及屏蔽环提供升降运动；冷却器，位于所述石英坩埚的底部。
一种双频感应炉单晶硅装置

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