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[发明专利]一种热电多参数测试系统和方法-CN202210365130.X在审
发明人： 狄重安;刘力瑶;李志毅;邹业;孟青;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电多参数测试系统和方法，属于热电性能表征技术领域，解决了现有的热电测试系统和方法繁琐、周期长、效率低的问题。包括机柜和设置在机柜上表面的探针台测试装置，探针台测试装置包括探针台基底、测试腔体、四组分立式测试探针装置和多参数测试装置；多参数测试装置设置在测试腔体内，分立式测试探针装置的一端穿透测试腔体的腔壁；多参数测试装置包括温度控制装置、芯片放置装置、一体化测试探针组、盖子，温度控制装置的上表面设置有一个高台面和一个低台面，芯片放置装置位于低台面上，芯片放置装置设置有芯片槽，一体化测试探针组位于芯片槽中，盖子盖在芯片放置装置上。该系统测试简单、效率高。
一种热电参数测试系统方法

[发明专利]一种连续涂布系统及涂布方法-CN202010595205.4有效
发明人：孟青;代小娟;邹业;张凤娇;狄重安;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续涂布系统及涂布方法，属于涂布装置技术领域，解决了现有技术中有机半导体材料无法大面积、快速、高效制膜的同时精确控制薄膜形貌与堆积结构的问题。该连续涂布系统包括框架和涂布单元、供液装置以及设置在框架上的涂布单元移动装置、温控基台单元和基材传送装置；基材传送装置用于传送基材；供液装置为基材提供涂布液；涂布单元设置在涂布单元移动装置上，涂布单元移动装置用于控制涂布单元与基材之间的距离和角度；涂布单元通过对涂布液施加剪切力以控制涂膜厚度及形貌；涂布单元包括水平调节盘和牵引片，水平调节盘用于调节俯仰角，以保证牵引片初始位置的水平。本发明实现了大面积有序排列的有机薄膜的制备。
一种连续系统方法

[发明专利]一种基于场效应晶体管的核酸微损伤检测方法和生物传感器-CN202010159207.9有效
发明人： 狄重安;王娟;叶德楷;申弘光;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场效应晶体管的核酸微损伤检测方法和生物传感器。将存储有溶液的储液池固定在负载有核酸分子的场效应晶体管上，检测时加入能够损伤核酸的物质，使其与场效应晶体管中的核酸分子相作用，引发核酸分子构型发生变化，进而引起场效应晶体管的电流变化。本发明可高灵敏地检测由药物分子引起的DNA微损伤，是一种快速廉价的DNA损伤检测方法。
一种基于场效应晶体管核酸损伤检测方法生物传感器

[发明专利]一种薄膜热电参数测试仪和测试方法-CN202110454545.X在审
发明人： 狄重安;邹业;赵文瑞;刘力瑶;孟青;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于薄膜热电参数测试仪和测试方法，用于解决传统热电性能参数测试方法操作复杂、测试速度慢、测试精确度低、并难以满足大量薄膜热电材料性能参数的快速简易测试的问题。本发明测试仪包括：温度控制单元、温差控制单元、探针和翻转装置；温度控制单元用于控制待测薄膜材料所处的基础温度；温差控制单元用于控制待测薄膜材料两端的温度差；温差控制单元包括待测材料承载部，待测材料承载部用于承载待测薄膜材料；探针与翻转装置可拆卸连接；在所述翻转装置的带动下，所述探针到达或远离设置在所述待测薄膜材料上的待测电极的测量点位。本发明提供的技术方案能够简便、快速、精确地测试薄膜热电材料热电性能参数。
一种薄膜热电参数测试仪测试方法

[实用新型]一种薄膜热电性能参数测试装置和系统-CN202221505774.6有效
发明人：邹业;刘力瑶;孟青;代小娟;狄重安;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜热电性能参数测试装置和系统，属于热电性能测试技术领域，解决了测试装置测试工序繁琐问题。装置包括样品台、控温块、第一PCB电路板和第二PCB电路板；控温块包括第一控温块和第二控温块，其平行且分离地设置在样品台上；第一PCB电路板上设置有通孔，两个控温块分别贯穿通孔，第一PCB电路板与样品台接触，第一PCB电路板上设置有测试电极触点；第二PCB电路板设置在第一PCB电路板的上方，控温块的上端位于两个电路板之间，第二PCB电路板的下表面垂直设置有与测试电极触点相对应的第一金属弹簧探针以及与待测样品上的电极接触点相对应的第二金属弹簧探针，其互相电连通。该装置测试工序简单。
一种薄膜热电性能参数测试装置系统

[发明专利]一种光控主动适应型有机晶体管、制备方法及应用-CN202110276798.2在审
发明人： 狄重安;贺紫晗;申弘光;叶德楷;刘力瑶;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光控主动适应型有机晶体管、制备方法及应用，属于有机生物电子学领域，用于解决集成化传感器和逻辑电路的设计会导致传感控制电路复杂的技术问题，光控主动适应型有机晶体管包括：半导体中间层；所述半导体中间层包括：光感应层和载流子俘获层；所述光感应层用于感应光信号，并产生光生载流子；所述载流子俘获层用于俘获所述光生载流子；所述半导体中间层用于根据所述光信号的亮度，调整所述适应型有机晶体管输出电流的衰减时间常数。本发明提供的技术方案能够提高电子器件模拟生物体视觉的适用性。
一种光控主动适应有机晶体管制备方法应用

[实用新型]一种光响应器件的测试装置-CN202220745528.1有效
发明人： 狄重安;贺紫晗;邹业;刘力瑶;叶德楷;张凤娇;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光响应器件的测试装置，包括光信号调控单元、测试单元和数据处理单元；所述光信号调控单元用于为待测光响应器件提供光学信号；所述测试单元包括测试腔室和电信号传输部件，所述测试腔室用于容纳所述待测光响应器件，所述电信号传输部件用于传输所述待测光响应器件发出的电信号；所述数据处理单元用于接收并处理所述电信号传输部件传输的电信号。本实用新型一实施方式的光响应器件的测试装置，可用于测试光响应器件的性能，具有测量简便、快速的特点。
一种响应器件测试装置

[实用新型]一种热电多参数一体化测试装置-CN202220745617.6有效
发明人： 狄重安;刘力瑶;邹业;李志毅;孟青;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种热电多参数一体化测试装置，属于热电性能表征技术领域，解决了现有的热电测试系统测试过程繁琐、周期长、效率低的问题。所述热电多参数一体化测试装置包括机柜和设置在所述机柜上表面的探针台测试装置，所述探针台测试装置包括探针台基底，以及设置在所述探针台基底上表面的测试腔体、四组分立式测试探针装置和多参数测试装置；多参数测试装置设置在测试腔体内，所述多参数测试装置包括分立式测试模块和一体化测试模块；所述分立式测试探针装置的一端穿透测试腔体的腔壁，并位于多参数测试装置的上方。本实用新型的装置测试简单、效率高。
一种热电参数一体化测试装置

[发明专利]一种有机半导体材料帕尔帖效应测试方法-CN202010215283.7有效
发明人： 狄重安;金文龙;项兰义;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种有机半导体材料帕尔帖效应的测试方法，包括(1)制备含有有机半导体材料的悬空结构的场效应晶体管；(2)将步骤(1)的悬空结构的场效应晶体管分别与直流电压源和交流电压源连接；(3)将步骤(2)的连接后的悬空结构的场效应晶体管置于真空环境中，采用交流电压激励待测悬空结构的场效应晶体管；根据场效应晶体管表面温度振荡的表达式，特异性的提取测试信号内的T0ω，T1ω，T2ω就可以实现帕尔帖信号和焦耳热信号的区分和提取。所述测试方法可以显著减少测试环节中基底热传导对测试过程种热量信号的干扰；显著降低了大气环境热对流对测试信号的干扰；通过以上方法显著降低了外界环境对测试信号的干扰，增强了测试灵敏度。
一种有机半导体材料帕尔效应测试方法

[发明专利]一种薄膜热电材料性能参数测试装置、方法及系统-CN202011091786.4在审
发明人： 狄重安;金文龙;赵文瑞;邹业;张凤娇;孟青;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于薄膜热电材料性能参数测试装置、方法及系统，用于解决传统热电性能参数测试方法操作复杂、测试速度慢、测试精确度低、并难以满足大量薄膜热电材料性能参数的快速简易测试的问题。本发明测试装置包括：自下而上设置的基础温度控制单元和温度差控制单元；基础温度控制单元用于控制待测样品所处的基础温度；温度差控制单元用于控制待测样品两端的温度差；温度差控制单元包括待测样品承载部，待测样品承载部用于承载待测样品。本发明提供的技术方案能够简便、快速、精确地测试薄膜热电材料热电性能参数且能够自动处理的薄膜热电材料热电性能参数。
一种薄膜热电材料性能参数测试装置方法系统

[实用新型]一种薄膜热电参数测试仪及其检测装置-CN202120872836.6有效
发明人： 狄重安;邹业;赵文瑞;刘力瑶;代小娟;孟青;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种检测装置及薄膜热电参数测试仪，用于解决现有热电性能测试存在测试效率低以及存在较大的测量误差的问题。其中，用于薄膜热电参数测试仪的检测装置，包括探针和翻转装置；所述探针与所述翻转装置可拆卸连接；在所述翻转装置的带动下，所述探针到达或离开待测样品的电极测量点位。本实用新型能够提高测试效率并减小测量误差。
一种薄膜热电参数测试仪及其检测装置

[发明专利]一种超低能离子注入方法-CN202010214723.7在审
发明人： 狄重安;项兰义;金文龙;申弘光;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超低能离子注入方法，所述方法包括如下步骤：S1：在基底上依次形成导电下电极、半导体层、电解质绝缘层和导电上电极；S2：在所述导电上电极和所述导电下电极之间施加电压，所述电解质绝缘层中的离子在电场力的作用下加速并获得能量，由于离子注入时的能量和剂量可以通过电压控制，从而赋予了该方法具有高度可控特点。由于离子注入是非平衡热力学过程，不受热力学限制，因此，所注入离子的种类和浓度不受半导体材料固溶度的限制。所述方法还具有注入的离子单一、纯净和可选择的注入多种离子的优点。所述方法结合非易失性离子注入方法，即将半导体和电解质绝缘层分离，从而阻止离子回流，从而赋予该方法具有非易失性特性。
一种低能离子注入方法

[实用新型]一种薄膜热电材料性能参数测试装置及系统-CN202022270079.3有效
发明人： 狄重安;金文龙;赵文瑞;邹业;张凤娇;孟青;代小娟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于薄膜热电材料性能参数测试的装置及系统，用于解决传统热电性能参数测试方法操作复杂、测试速度慢、测试精确度低、并难以满足大量薄膜热电材料性能参数的快速简易测试的问题，所述装置包括：自下而上设置的基础温度控制单元和温度差控制单元；所述基础温度控制单元用于控制待测样品所处的基础温度；所述温度差控制单元用于控制所述待测样品两端的温度差。本实用新型提供的技术方案能够简便、快速、精确地测试薄膜热电材料热电性能参数且能够自动处理的薄膜热电材料热电性能参数。
一种薄膜热电材料性能参数测试装置系统

[实用新型]一种连续涂布系统-CN202021199790.8有效
发明人：孟青;代小娟;邹业;张凤娇;狄重安;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续涂布系统，属于涂布装置技术领域，解决了现有技术中有机半导体材料无法大面积、快速、高效制膜的同时精确控制薄膜形貌与堆积结构的问题。该连续涂布系统包括框架和涂布单元、供液装置以及设置在框架上的涂布单元移动装置、温控基台单元和基材传送装置；基材传送装置用于传送基材；供液装置为基材提供涂布液；涂布单元设置在涂布单元移动装置上，涂布单元移动装置用于控制涂布单元与基材之间的距离和角度；涂布单元通过对涂布液施加剪切力以控制涂膜厚度及形貌；温控基台单元用于控制基材温度，促进涂布液固化。本实用新型实现了大面积有序排列的有机薄膜的制备。
一种连续系统

[发明专利]基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用-CN201810970968.5有效
发明人： 狄重安;申弘光;金文龙;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用。该适应型OFET，由下至上依次包括栅电极、下绝缘层、半导体中间层、上绝缘层和半导体传输层以及同时位于所述半导体传输层之上的源电极和漏电极。该类适应型OFET结构具有普适性，半导体传输层、半导体中间层以及绝缘层的材料可以灵活选择，同时可以灵活调控各层的厚度及界面特性，从而使得适应性衰减时间参数可在10
半导体适应型传输层有机晶体管感受器中间层制备绝缘层界面特性冷热感觉灵活选择上绝缘层时间参数衰减幅度下绝缘层漏电极普适性源电极栅电极灵活触觉衰减嗅觉匹配应用视觉调控

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