专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体集成电路-CN200480043669.3无效
  • 品川裕;片冈健;石川荣一;田中利广;柳泽一正;铃川一文 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-08-30 - 2007-07-04 - G06F12/00
  • 一种具有中央处理器和被安置在该中央处理器的地址空间中的可重写非易失性存储区的半导体集成电路。该非易失性存储区具有第一非易失性存储区和第二非易失性存储区,它们根据阈值电压的差别来记忆信息。该第一非易失性存储区具有大于第二非易失性存储区的用于记忆信息集的阈值电压的最大变化宽度。当用于记忆信息的阈值电压的最大变化宽度更大时,既然对于存储单元由于存储信息的重写操作的压力变得更大,在保证重写操作的次数方面较差;然而,既然读取电流变得更大,存储信息的读取速度可以被加快。第一非易失性存储区可以被优先考虑以加快存储信息的读取速度并且第二非易失性存储区可以被优先考虑以保证更多的存储信息的重写操作次数。
  • 半导体集成电路

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