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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法-CN201780055585.9有效
发明人： 爱泽和人;前田淳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。
半导体工用粘着胶带以及装置制造方法

[发明专利]半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法-CN201980043471.1有效
发明人： 爱泽和人;前田淳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
半导体工用粘着胶带装置制造方法

[发明专利]半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法-CN201780055647.6有效
发明人： 爱泽和人;前田淳;堀米克彦 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带具有：在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材；设置于该基材的至少一面侧的缓冲层；以及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，所述缓冲层在23℃下的拉伸储能模量(E23)为100～2000MPa，所述缓冲层在60℃下的拉伸储能模量(E60)为20～1000MPa。
半导体工用粘着胶带以及装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及层叠体-CN202080006808.4在审
发明人：文田祐介;田久真也;爱泽和人;长谷川裕也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化预定区域的分割预定线对所述芯片进行分割。
半导体装置制造方法以及层叠

[发明专利]半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法-CN201980042664.5在审
发明人： 爱泽和人;前田淳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的断裂能为13～80MJ/m3。
半导体工用粘着胶带装置制造方法

[发明专利]透明导电性膜-CN201610190000.1有效
发明人： 爱泽和人;荒添铁也;大类知生;所司悟 -专利权人：琳得科株式会社;美思菲林股份有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供低折射率层的耐蚀刻性优异、可稳定地将透明导电层的图案形状不可见化、并且与透明导电层等之间的粘附性优异的透明导电层形成用层合体和使用该层合体的透明导电性膜。所述透明导电层形成用层合体等在基材膜的至少一侧的表面具有光学调整层，其中，光学调整层是从基材膜侧将折射率为1.6以上的值的高折射率层和折射率为1.45以下的值的低折射率层依次进行层合而成的，而且，低折射率层含有二氧化硅微粒，并且将低折射率层的露出面侧的不存在二氧化硅微粒的空隙的比例设为15%以上的值。
透明导电性

[发明专利]透明导电性膜-CN201610189995.X在审
发明人： 爱泽和人;荒添铁也;大类知生;所司悟 -专利权人：琳得科株式会社;美思菲林股份有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C09D4/02 文献下载
摘要：本发明提供硬质涂层的耐蚀刻性优异、可稳定地将透明导电层的图案形状不可见化、并且所得透明导电性膜的抗粘连性优异的透明导电层形成用层合体和使用该层合体的透明导电性膜。所述透明导电层形成用层合体等是将硬质涂层、基材膜和光学调整层依次进行层合而成的，其中，硬质涂层是将含有下列(A)~(B)成分的硬质涂层形成用组合物进行光固化而成的：(A)活性能量射线固化性树脂100重量份，(B)二氧化硅微粒15~100重量份。
透明导电性

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