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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]CRC终止时的准确BER报告-CN202211338619.4在审
发明人：美萨姆·阿沙迪;张帆;王浩博 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种CRC终止时的准确BER报告，具体涉及一种用于LDPC解码的方法和系统。在该方法和系统中，使用准循环矩阵对LDPC码字进行解码。计算准循环矩阵的循环列中的变量节点的第一消息以及属于循环列的校验节点的第二消息。使用计算的第一消息和第二消息计算奇偶校验与校正子。计算码字的奇偶校验部分没有错误的第一模式的位错误率以及码字的奇偶校验部分有错误的第二模式的位错误率。
crc 终止准确 ber 报告

[发明专利]多处理器装置中的内核转储-CN202211364003.4在审
发明人：西亚雷·鲁萨科维奇 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本公开涉及一种获得多处理器装置中的装置内核转储的方法，该方法可以包括检测多处理器装置的处理器中错误的发生，并且触发从发生错误的处理器到多处理器装置的其他处理器中的每一个的处理器间中断以停止多处理器装置的操作。然后可以将与处理器相对应的处理器内核转储存储在存储器子系统中。可以确定已经针对处理器中的每一个设置数据就绪指示，以指示相应的处理器内核转储已存储在存储器子系统中。然后可以将处理器内核转储从存储器子系统复制到非易失性存储器，以在非易失性存储器中生成装置内核转储。
处理器装置中的内核

[发明专利]快速外围组件互连设备及其操作方法-CN202211466001.6在审
发明人：金基成;梁云模;延建宇;李洞圭 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及快速外围组件互连设备及其操作方法。快速外围组件互连(PCIe)设备包括：直接存储器访问(DMA)设备，包括多个功能部；以及PCIe接口设备，用于在主机和DMA设备之间执行通信。PCIe接口设备包括复位操作控制器，该复位操作控制器用于当从主机接收到多个复位信号时，将分别与多个复位信号相对应的复位操作之中彼此相同的操作进行归组，确定复位操作的处理顺序，并根据该处理顺序执行复位操作。
快速外围组件互连设备及其操作方法

[发明专利]3D存储器装置及其编程方法-CN202211435533.3在审
发明人：阿梅迪奥·扬托诺 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器装置。三维存储器装置包括：多个存储器单元串，每个存储器单元串包括多个存储器单元；多条字线，每一条字线与多个存储器单元串的、与衬底相距相同的垂直距离的相应存储器单元相关联；以及控制电路。控制电路被配置为将增量式步进编程脉冲序列施加到所选择的存储器单元，并在施加第一编程脉冲之后执行编程验证操作。控制电路进一步被配置为基于指示所选择的存储器单元已被编程的第二编程脉冲来确定更新后的第一编程脉冲，并且从更新后的第一编程脉冲开始针对每个后续选择的存储器单元执行编程验证操作。
存储器装置及其编程方法

[发明专利]半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法-CN202310084957.8在审
发明人：崔康植 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本文可以提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置可以包括：子块绝缘层，其插置在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构之间；多个导电图案，其层叠在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构上以彼此间隔开；以及沟道结构，其穿透第一选择栅极结构和第二选择栅极结构中的一个以及多个导电图案，该沟道结构包括位于在子块绝缘层和多个导电图案之间的高度处的拐点。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]图像处理装置、图像处理系统及图像处理方法-CN202310251375.4在审
发明人：韩知希;金钟宪;曹周铉 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04N23/54 文献下载
摘要：本公开涉及图像处理装置、图像处理系统及图像处理方法。图像处理装置包括数据组生成器、梯度值管理器和代价空间管理器。数据组生成器被配置为接收包括相位信息和亮度信息的图像的像素值，以及基于目标像素值确定指示图像的视差的数据组，其中，数据组与根据相位信息确定的范围相对应。梯度值管理器被配置为确定与目标像素值相对应的区域的梯度值以及确定梯度信息。梯度信息通过对梯度值应用阈值而确定，其中，阈值根据目标像素值而确定。代价空间管理器被配置为通过基于梯度信息对数据组进行加权求和而确定代价空间。
图像处理装置系统方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201910909149.4有效
发明人：金辰杓 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，存储擦除计数列表，该擦除计数列表记录多个存储块中的每个的第一擦除计数；以及控制器，对每个存储块的第一擦除计数进行计数，更新擦除计数列表以反映第一擦除计数，从存储块中选择牺牲块，检查与每个牺牲块对应的第二擦除计数，更新牺牲块擦除计数列表以反映第二擦除计数，比较与牺牲块之中的目标牺牲块对应的第一擦除计数和第二擦除计数，并且当第一擦除计数等于第二擦除计数时将存储在目标牺牲块中的数据移动到正常块。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]用于控制储存在存储系统中的数据的装置和方法-CN201910992255.3有效
发明人：李敬修 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于控制储存在存储系统中的数据的装置和方法。一种存储系统包括具有多个存储块的存储器件和控制器。针对数据属性中的一个而分配所述多个存储块之中的至少一个存储块。控制器可以基于储存在存储器件中的第一数据的第一映射信息项来确定第一数据的第一数据属性，并且将具有第一数据属性的第一数据迁移到多个存储块之中的针对第一数据属性而分配的存储块。
用于控制储存存储系统中的数据装置方法

[发明专利]半导体封装件以及获得半导体封装件的接触电阻的方法-CN201911059613.1有效
发明人：李基勇;朴世珍;任亨旻;崔福奎 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：半导体封装件以及获得半导体封装件的接触电阻的方法。一种获得半导体封装件的接触电阻值的方法，该半导体封装件包括：封装基板；半导体芯片，其被安装在所述封装基板上；模制构件，其被设置在所述封装基板上以围绕所述半导体芯片；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其被设置在所述封装基板的侧表面上以及所述模制构件上。所述封装基板包括：基板主体，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一上互连图案至第四上互连图案，其在所述封装基板的第一区域中设置在所述基板主体的所述第一表面上并且与所述EMI屏蔽层接触；以及互连结构，其被设置在所述封装基板的第二区域中。
半导体封装以及获得接触电阻方法

[发明专利]半导体器件-CN201910039637.4有效
发明人：卢寿赫 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其包括：数据区，所述数据区包括多个第一半导体芯片，并且被配置为储存由主机所请求的数据；以及元数据区，所述元数据区包括一个或多个第二半导体芯片，并且被配置为储存与所述数据区中的所述多个第一半导体芯片相对应的元数据。使用不同的信号来访问所述数据区和所述元数据区，以执行与命令信号相对应的基于命令的操作。
半导体器件

[发明专利]针对存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法-CN201910098303.4有效
发明人：洪道善;权正贤;申原圭;郑承奎 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种针对存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法。存储系统包括存储器件和存储器控制器。存储器件具有多个存储区域。存储器控制器被配置为：当针对第一存储区域连续产生的写入命令的数量达到参考值时，产生针对与多个存储区域中的一个存储区域相对应的第一存储区域的读取命令。
针对存储器件存储系统以及操作方法

[发明专利]包括放电电路的存储器件-CN202010650970.1有效
发明人：李炯东 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器件包括：第一传导线，沿第一方向延伸；第二传导线，沿与第一方向相交的第二方向延伸；多个存储单元，设置在第一传导线和第二传导线的相交部分处；第一选择晶体管，分别连接到第一传导线，第一选择晶体管构成多个组；以及第一放电电路，分别连接到第一选择晶体管的多个组，每个第一放电电路响应于栅极控制信号而将第一传导线中的与其相对应的一组第一传导线放电。
包括放电电路存储器件

[发明专利]存储器系统和存储器系统的操作方法-CN202211396943.1在审
发明人：金正贤;崔志熏 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F12/1081 文献下载
摘要：根据本公开的实施例，可以提供一种存储器系统和存储器系统的操作方法，包括：可直接从外部设备访问的主机可访问区域；将关于主机可访问区域的信息传输到外部存储器；根据紧急事件从外部设备接收基于关于主机可访问区域的信息生成的直接存储器访问请求；以及响应于直接存储器访问请求向外部设备提供对主机可访问区域的直接存储器访问。
存储器系统操作方法

[发明专利]存储器控制器及其操作方法-CN202310141750.X在审
发明人：赵京球 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本文提供了一种存储器控制器及其操作方法。操作存储器控制器的方法可以包括基于与主机的多个启动阶段相关的启动工作负载信息来确定从主机接收到的复位请求是否有效，并且根据该复位请求是否有效，对存储器设备执行复位操作。
存储器控制器及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202310074050.3在审
发明人：金宰浩;金在泽;高汉娜 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第二下绝缘层；虚设层叠物，其位于第二下绝缘层上；源极结构，其布置在与第二下绝缘层基本相同的高度；单元层叠物，其位于源极结构上；多个接触插塞，其穿过虚设层叠物；以及虚设接触件，其穿过虚设层叠物的一部分并布置在接触插塞之间。
半导体存储器装置

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