专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]半导体器件-CN202222718423.X有效
  • 孙驰;熊圣浩;刘阳;黄敬源 - 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
  • 2022-10-14 - 2023-05-09 - H01L29/778
  • 本实用新型公开一种半导体器件,包括衬底,衬底上形成有外延层,外延层上设置有堆叠结构,堆叠结构包括第一区域、第二区域与第三区域,第一区域设置有第一栅极金属板,第二区域设置有第二栅极金属板、源极金属板以及漏极欧姆金属件,第三区域设置有漏极金属板;其中,第二区域中,相邻的两个漏极欧姆金属件之间形成第一开口,第一开口内填充有介质材料。本实用新型能够减小半导体器件的输出电容,并且避免半导体器件散热性能的下降。
  • 半导体器件

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