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[实用新型]电感耦合等离子体发射光谱仪-CN202222490992.3有效
发明人：赵珍阳;张勇;田中朝;袁俊伟;侯维杰;许玉兴;李杨;刘德昌;孔相鹏;刘杰;刘刚 -专利权人：山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电感耦合等离子体发射光谱仪，属于光谱仪技术领域，其结构包括支撑框架、福马轮，在支撑框架的外表设置有分体式外壳盖板，支撑框架设置有上层舱、底层舱；支撑框架的底脚部配置有福马轮；上层舱的右部设置为射频源配置腔；左部设置为光室腔；射频源配置腔内配置有射频源；光室腔内配置有光室，射频源的左侧通过光源射入管连通光室；底层舱的右部近身端设置为与外界开放的操作室；底层舱的左部空间内设置有高压箱和检测箱；底层舱的近身端外壳盖板上设置有控制器、氩气进样器和蠕动泵。本实用新型仪器结构美观大方，结构紧凑，便于用户操作使用，提高分析效率。以罗兰圆光路进行分光，PMT作为检测器，可以大幅度提高分析效率。
电感耦合等离子体发射光谱仪

[发明专利]一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法-CN202211686257.8在审
发明人：李春;杨卓俊;林杰;张秋松;兰长勇 -专利权人：电子科技大学;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导。
一种基于位移补偿提高 dmd 无掩模光刻分辨率方法

[实用新型]一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器-CN202222422844.8有效
发明人：路顺茂;赵珍阳 -专利权人：山东光探芯半导体科技有限公司;山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器，探测器由半导体基体单元阵列拼接而成，所述半导体基体单元的外形是四棱柱形，半导体基体单元包括半导体探测器单元基体，半导体探测器单元基体侧面和底部填充壳型阴极电极，壳型阴极电极的顶部附有第二铝电极接触层，半导体探测器单元基体顶部嵌入中心可变柱型阳极电极，中心可变柱型阳极电极上设有第一铝电极接触层，第一铝电极接触层和第二铝电极接触层之间填充有二氧化硅绝缘层。所述探测器的分辨率和灵敏度提高，制备过程中工艺流程简单，制成时间更短，性价比更高。
一种可变阳极阴极方形三维探测器

[发明专利]双面电极位置分辨探测器芯片及制作方法-CN202211060131.X在审
发明人：刘曼文;赵珍阳;谭泽文 -专利权人：山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了双面电极位置分辨探测器芯片及制作方法，属于探测器芯片技术领域，要解决的技术问题为如何在单个探测器上实现位置分辨。包括：基体；氧化层，包括形成于基体读取面上的第一氧化层和形成于基体接收面上的第二氧化层，第一氧化层上刻蚀有多个放射状的扇形凹槽区域，第二氧化层的中心处刻蚀有一个圆形凹槽区域，所述圆形凹槽区域的外周刻蚀有多个圆环形凹槽区域，所述多个圆环形凹槽区域层层环绕；每个扇形凹槽区域内均形成有嵌入读取面内的第一电极；每个圆环形凹槽区域内均形成有嵌入接收面内的第二电极，第一电极、基体和第二电极组成PIN结构；相邻的两个第二电极之间通过一个第三电极间隔。
双面电极位置分辨探测器芯片制作方法

[实用新型]一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器-CN202221912280.X有效
发明人：路顺茂;赵珍阳 -专利权人：山东光探芯半导体科技有限公司;山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器，所述硅像素探测器包括正四棱柱状的硅基体，硅基体上底面刻蚀有正方形的中央阳极，硅基体下底面中间刻蚀正方形的中央阴极，中央阳极与中央阴极的中心重叠，中央阴极外侧设有二氧化硅基体；所述硅像素探测器上下收集阴极阳极类似于平行板电容器，可运用平行板电容器的计算方法，得出最佳的晶圆厚度，该结构全耗尽的电压更低，降低了芯片被偏压击穿的概率，降低了电极工艺难度，芯片成品率高，减少了外接电路工作量，降低了封装难度，其结构简单，易于芯片工艺制成和外接封装。
一种大面积位置分辨率超纯高阻硅像素探测器

[发明专利]低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法-CN202211052979.8在审
发明人：刘曼文;赵珍阳;蔡新毅 -专利权人：山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法，属于硅探测器技术领域，要解决的技术问题为如何提升软X射线或者高能带电粒子探测器阵列芯片的能量与位置分辨率。由像素单元阵列组成，每个像素单元包括：基体，为硅晶圆基体，基体的一面作为读取面，与读取面相对的一面作为接收面；氧化层，形成于所述基体的读取面上，并刻蚀有凹槽区域，所述凹槽区域包括一个圆形凹槽区域；阴极电极，位于所述凹槽区域内并嵌入于所述基体的读取面，用于作为收集电极；保护电极，呈圆环状，嵌入于所述基体的读取面内、并环绕于所述阴极电极的外周，用于间隔相邻像素单元之间的阴极电极；阳极电极，嵌入于所述基体的入射面，并覆盖所述基体整面的入射面。
电容像素探测器阵列芯片及其制作方法

[发明专利]一种自支撑悬浮碳膜制备方法-CN202110237510.0有效
发明人：李春;顾文;兰长勇 -专利权人：电子科技大学;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑悬浮石墨化碳膜制备方法。主要利用化学气相沉积方法，在硅晶圆衬底上，通过含碳有机物气体在高温氢气环境中裂解，自组装包裹沉积一层碳膜，再对衬底进行刻蚀，凭借强化学稳定的碳‑硅化学健的形成，得到具有较高机械强度的悬浮自支撑碳膜。技术方案的要点有：利用优化的化学气相沉积条件，通过多种图形化开窗口技术，选择合适的湿法刻蚀参数进行刻蚀，从而得到不同厚度、不同窗口尺寸的硅基自支撑碳膜。本方法制备的自支撑碳膜具有其制作方法简单，成本低廉，机械强度高，厚度大小易于控制等显著特点。使用此制备方案得到的自支撑悬浮碳膜可以替代传统铍(Be)箔窗口，用于X射线窗口薄膜，更好地探测更低能量的X射线特征谱线；可以用于透射电子显微镜载物样品支撑；还可用于真空计、微机电与纳机电系统等领域。
一种支撑悬浮制备方法

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