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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅晶片的热处理方法-CN201980068159.8在审
发明人： 潮田彩;青木龙彦 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片的热处理方法，在惰性气体气氛下的硅晶片的热处理中，该热处理方法可有效地进行在硅晶片表面的自然氧化膜溶解时所产生的SiO气体的排气，可抑制反应产物在热处理腔室内的堆积，防止滑移的恶化。在900℃以上且1100℃以下的温度区段中保持晶片5秒以上且30秒以下的时间，同时将晶片转速设为80rpm以上且120rpm以下，控制腔室内的惰性气体的供给，使气体置换率成为90%以上。
晶片热处理方法

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共 1 条

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