“潘章旭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果61个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种量子点光转换器件及其制备方法-CN202111515363.5有效
发明人：邹胜晗;龚政;潘章旭;郭婵;王建太;胡诗犇;庞超;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种量子点光转换器件及其制备方法，涉及量子点领域。该制备方法包括：首先，提供一制备基底，并在制备基底上制备图案化的光刻胶印章，其中，图案化的光刻胶印章包括多个间隔设置的光刻胶柱；再者，在光刻胶柱表面制备金属薄膜，在金属薄膜上制备第一色彩聚合物薄膜；最后，提供一目标基底，将目标基底与光刻胶柱端部的第一色彩聚合物薄膜粘连，经过预设时间后，将光刻胶柱端部的第一色彩聚合物薄膜与金属薄膜剥离，以在目标基底的表面形成图案化的第一色彩量子点，形成单色量子点光转换器件。该方法不损害量子点材料的光学性能小，具有良好的适用性，可以根据需要制作微米级厚度的量子点，并且分辨率较高。
一种量子转换器件及其制备方法

[发明专利]一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用-CN202210487584.4有效
发明人：李育智;龚政;陈志涛;郭婵;王建太;邹胜晗;潘章旭 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用，涉及磁控溅射技术领域。磁控溅射靶材的制备方法包括：将前驱体溶液涂布于衬底上，根据磁控溅射设备磁场分布的强度进行厚度的设计，磁场强的区域涂布厚度大，磁场弱的区域涂布厚度小，在涂布过程中通过加热使溶剂挥发并使前驱体部分或全部转化为目标靶材材料，然后在200‑1500℃的条件下烧结，烧结后的靶材进行磁控溅射制备薄膜。相比于现有方法极大地缩短了靶材的制备流程，提升了平面靶材的材料利用率，从而实现溅射薄膜制备成本的降低；相比于采用溶液加工直接沉积制备薄膜的方法，采用溶液加工薄膜靶材溅射制备的薄膜的致密度和附着力均较为理想。
一种磁控溅射制备方法应用

[发明专利]一种光伏场效应晶体管结构的光敏器件及其制作方法-CN201810959984.4有效
发明人：曾巧玉;龚政;陈志涛;刘晓燕;曾昭烩;潘章旭;王巧 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏场效应晶体管结构的光敏器件及其制作方法，涉及光电半导体技术领域。该光伏场效应晶体管结构的光敏器件包括衬底、源区、漏区、源电极、漏电极、栅极介质层、光伏结构层以及栅电极，源区与漏区分别嵌设于衬底的同一端的两侧，栅极介质层与衬底面连接，且栅极介质层的两端分别与源电极、漏电极连接，光伏结构层与栅极介质层的远离衬底的一侧面连接，栅电极与光伏结构层的远离栅极介质层的一侧面连接。本发明提供的光伏场效应晶体管结构的光敏器件及其制作方法具有较高的内增益、高带宽、制备工艺和工作电压与CMOS完全兼容、可与微电子器件紧密集成等优点。
一种场效应晶体管结构光敏器件及其制作方法

[发明专利]巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置-CN201911141924.2有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超;胡诗犇 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，涉及半导体器件制备技术领域。该巨量转移方法首先对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底的接触面积减小。接着，将微型发光二极管阵列远离原始基底的一侧与第一临时衬底结合。然后，再次对原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底剥离，去除原始基底。最后，通过第一临时衬底，将微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。如此，通过采用临时衬底固定微型发光二极管阵列与逐次腐蚀相结合的方式减少了微型发光二极管阵列巨量转移过程中发生丢失的概率，减小了位移误差，从而提升了良品率。
巨量转移方法显示装置制作方法

[发明专利]一种透明柔性Micro-LED显示系统及其制备方法-CN202011350999.4有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;王建太;庞超;胡诗犇;刘久澄;龚岩芬;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开一种透明柔性Micro‑LED显示系统，采用直立石墨烯作为互联电极。本发明采用直立石墨烯作为互联电极，提高互联电极应力作用下的稳定性与可靠性。同时，直立结构能充分利用石墨烯表面丰富的电子传输通道和散热通道，提高了纵向导电性能，减小器件工作电压。同时，本发明还公开一种所述透明柔性Micro‑LED显示系统的制备方法。
一种透明柔性 micro led 显示系统及其制备方法

[发明专利]一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件-CN202111497826.X有效
发明人：庞超;龚政;胡诗犇;潘章旭;郭婵;王建太;邹胜晗;李育智;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。
一种铜铟硒纳米晶体薄膜及其制备方法电子器件

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN202011513548.8有效
发明人：胡诗犇;龚政;庞超;龚岩芬;郭婵;王建太;潘章旭;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层；对栅极层图案化形成栅极图案层；以栅极图案层作为掩膜层，对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层。由于在对栅绝缘层进行图案化处理时是直接以栅极图案层作为其掩膜层，因此，经过图案化处理的栅绝缘图案层与其上边的栅极图案层上下位置对应，两者的边缘能够对齐，进而形成自对准结构，避免了现有为实现栅极图案层和栅绝缘图案层自对准时繁琐的工艺流程，提高了薄膜晶体管制备的效率。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法-CN202011123961.3有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;胡诗犇;王建太;庞超;龚岩芬;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法，涉及微器件转移领域。该转移膜包括基底层、吸水层和拾取层，吸水层的一侧与基底层连接，另一侧和拾取层连接，基底层用于在吸水层吸水后与吸水层分离；拾取层用于拾取微器件，并用于将微器件转移至待转移基底上。该转移膜能完成微器件的转移，既适用于微器件从平面基底到平面基底的转移，也适用于平面基底到曲面基底的转移，转移方法简单，效率高。
转移组件器件曲面方法

[发明专利]键合焊点制作方法-CN202211110932.2在审
发明人： 潘章旭;郭婵;王建太;陈志涛;李育智;邹胜晗;龚政 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种键合焊点制作方法，涉及焊接技术领域。方法包括：首先，在基板表面制作绝缘层，并在绝缘层开设绝缘通孔；其中，绝缘通孔露出电极层。然后，在绝缘层表面涂布光刻胶，并在光刻胶开设光刻胶通孔，光刻胶通孔位于绝缘通孔的上方，且绝缘通孔的直径小于光刻胶通孔的直径。最后，在光刻胶表面依次沉积金属层和焊料层，以在绝缘通孔内形成具有凹槽的金属柱，焊料层位于凹槽表面。并对焊料层进行回流，以形成具有凹槽结构的键合焊点。由于该键合焊点包括凹槽结构，能够有效防止焊料金属外溢导致器件间短路。
键合焊点制作方法

[发明专利]钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点-CN202010639613.5有效
发明人：王建太;龚政;陈志涛;郭婵;潘章旭;龚岩芬;刘久澄 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点，涉及显示技术领域，通过将含有镓离子的金属盐、卤化铅基前驱体和铯基前驱体混合，并搅拌后形成镓离子掺杂的钙钛矿量子点，其中，钙钛矿量子点中镓离子的掺杂比例小于或等于5％，通过高价金属镓离子的掺杂，可以提高钙钛矿量子点中的自由载流子浓度，钝化表面缺陷，从而提高荧光量子效率和稳定性。
钙钛矿量子制备方法

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法和显示装置-CN202011566630.7有效
发明人：龚岩芬;龚政;胡诗犇;陈志涛;潘章旭;王建太;郭婵;庞超;刘久澄 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，涉及半导体领域。本申请提供的制作方法，通过在金属层上形成图形化的光刻胶。然后对去除了光刻胶的非遮挡区的金属层进行离子注入，增加非遮挡区中与遮挡区相邻的位置处的金属层的耐腐蚀性。这样使得后续进行腐蚀后，最终剩余的金属层所形成栅极的边缘具有平缓的斜坡，与基板的接触角比较小。在后续铺设栅极绝缘层之后，栅极绝缘层在铺设时厚度比较均匀，栅极的边缘与源极或者漏极之间不容易形成薄弱区域，从而降低了被击穿的风险，因此提高了薄膜晶体管的稳定性和寿命。显示装置包括了上述制作方法制得的薄膜晶体管，因此也具有性能稳定、寿命长的特点。
薄膜晶体管制作方法显示装置

[发明专利]芯片转移方法及装置-CN201911118002.X有效
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请一种芯片转移方法及装置。提供一包括第一透明基板层以及掺杂有热发泡剂的第一光敏胶层的第一转移基板。将第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底与芯片阵列贴合。通过预设波长的光线对第一光敏胶层进行照射，使得第一光敏胶层从芯片阵列粘取待转移芯片。将待转移芯片转移至目标转移位置，通过预设精度的热源对第一光敏胶层的预设位置进行照射，使得所述预设位置的热发泡剂的体积发生膨胀的同时，所述预设位置的粘性减小，所述预设位置的待转移芯片易于从所述第一光敏胶层脱落。如此，提高了对芯片进行选择性转移过程的精度，同时减少了转移材料的残留。
芯片转移方法装置

[发明专利]芯片转移方法、Micro-LED显示器件及制作方法-CN202210588481.7在审
发明人：郭婵;龚政;潘章旭;李育智;邹胜晗;王建太;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片转移方法、Micro‑LED显示器件及制作方法，通过在压力作用下将胶带贴合至具有芯片的原始衬底上，将胶带和芯片一同从原始衬底上剥离，并在压力作用下，将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，采用紫外光照射使胶带的粘性减弱，最后将带有芯片的粘性减弱后的胶带贴合至目标衬底，以将芯片转移至目标衬底上。本方案，采用基于紫外光照射方式减弱胶带的粘性，并且减粘同时引入临时的玻璃基板，使得胶带在排氧环境下快速减粘，缩短了工艺时间、降低工艺成本，且提高了转移良品率和精确度。
芯片转移方法 micro led 显示器件制作方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板-CN202210569810.3在审
发明人：李育智;龚政;陈志涛;郭婵;王建太;邹胜晗;潘章旭 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层，使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂进行导体化，形成源极区域和漏极区域，该金属氧化物层中与栅介质层接触且未导体化的部分区域即为连通源极区域和漏极区域的半导体区域，栅极、源极区域和漏极区域处于同一氮硅层表面上。因此，该薄膜晶体管器件能够通过极为简单的自对准底栅结构实现较低的寄生电容和较高的工作频率上限，并具有制备工艺简单的特点，可低成本制备高图像显示质量的显示面板。
金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法显示面板

[发明专利]一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法-CN202111630053.8在审
发明人：王建太;邹胜晗;龚政;郭婵;潘章旭;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请提供一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法，涉及显示技术领域，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。能够提高量子点光转换效率，并且增强显示器件的稳定性及隔热效果。
一种量子转换模组 led 显示器及其制备方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 61 条