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[发明专利]用于离子植入机的气体有效利用率的监测方法及系统-CN202111082907.3有效
发明人：王智权;滕庚烜 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于离子植入机的气体有效利用率的监测方法，包含以下步骤：计算单位气体消耗量，其中单位气体消耗量为钢瓶端气体流量与机台植入参数的函数；将单位气体消耗量与预定阈值进行比较；以及基于比较结果判断气体用量是否异常。该方法引入包含扫描次数、扫描速度和植入剂量在内的离子植入参数，结合钢瓶端气体流量大小建立气体量理论模型，能够实时监测用于离子植入机的气体的有效利用率。本发明同时提供一种用于执行该监测方法的系统。
用于离子植入气体有效利用率监测方法系统

[发明专利]离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202010080683.1有效
发明人：王智权;滕庚烜 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请涉及一种离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量；获取离子植入设备以所述理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数；利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。采用本方法利用理论离子植入剂量和设备的运行参数计算得到离子植入比，通过将植入比与预设植入比进行比较进而实现判断实际植入到晶圆中的离子植入是否存在异常，实现了在线监测，减少了对晶圆允收测试的依赖，能够准确的在离子植入阶段剔除损坏的晶圆产品，避免了资源浪费。
离子植入在线监测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]离子植入机及离子植入的方法-CN201110137747.8有效
发明人： 滕庚烜;王冬晶 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种离子植入机和离子植入方法，所述离子植入机包括：发射固定不动离子束的离子源和放置晶片的靶盘，所述靶盘转动使离子束沿晶片的水平方向扫描过晶片，还包括位于晶片两侧且沿水平方向对称设置的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和第二电极具有相同的极性和相同的电位。通过在晶片两侧沿水平方向对称设置具有相同极性和电位的第一电极和第二电极，离子束受到电场作用，使离子束的植入角度得到调整，从而改善了晶片不同位置植入角度存在差异的问题，以满足器件对植入角度的要求，进而达到产品性能的要求。
离子植入方法