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[发明专利]单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器-CN202011550954.1有效
发明人：杜鹏 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本申请提供一种单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器。单分子层内δ掺杂的半导体材料，包括基础缓冲层以及设置在基础缓冲层上的一个或多个单分子掺杂层；基础缓冲层包括III族元素和V族元素；单分子掺杂层包括交替设置的未掺杂部分和掺杂部分，未掺杂部分与基础缓冲层的成分相同，掺杂部分包括与未掺杂部分相同的元素和掺杂元素，掺杂元素包括II族元素、VI族元素和IV元素中的一种或多种。半导体材料的制备方法，包括：在衬底上生长基础缓冲层，然后在基础缓冲层上交替生长未掺杂部分和掺杂部分得到所述单分子掺杂层。探测器，其原料包括半导体材料。本申请提供的单分子层内δ掺杂的半导体材料，具有更高的载流子浓度。
单分子层掺杂半导体材料及其制备方法探测器

[发明专利]嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器-CN202010822697.6有效
发明人：杜鹏 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器。嵌入量子线的超晶格材料包括层叠设置的至少一个InAs/GaSb层和至少一个单一物质层；InAs/GaSb层包括InAs部分和GaSb部分，单一物质层包括InAs或GaSb；InAs部分和GaSb部分交替排列且沿其排列方向的宽度不同。嵌入量子线的超晶格材料的制备方法：按照结构依次在衬底上生长InAs/GaSb层和单一物质层。红外波段发光材料，包括嵌入量子线的超晶格材料。探测器，包括红外波段发光材料。本申请提供的嵌入量子线的超晶格材料，将量子线引入II型超晶格中形成线‑超晶格复合结构，可提高器件工作温度，提升材料光电性能。
嵌入量子晶格材料及其制备方法红外波段发光探测器

[发明专利]InAs/InAsSb II类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器-CN202011445045.1有效
发明人：杜鹏 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种InAs/InAsSb II类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器。InAs/InAsSb II类超晶格材料，包括层叠设置的InAs层和InAsSb层；InAsSb层包括至少一个单分子层，每个单分子层均包括InAs部分和InSb部分。InAs/InAsSb II类超晶格材料的制备方法：采用分子束外延方法在衬底上生长InAs层，然后在InAs层上生长InAsSb层。红外波段探测器，其吸收区材料包括InAs/InAsSb II类超晶格材料。本申请提供的InAs/InAsSb II类超晶格材料，具有束缚态载流子效应，可以抑制俄歇效应和非辐射复合过程，达到提升超晶格材料发光性能的目的。
inas inassb ii 晶格材料及其制备方法红外波段探测器

[发明专利]一种变F数冷屏、杜瓦组件及红外探测器-CN202210061860.0在审
发明人：鲍哲博 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01J1/04 文献下载
摘要：本申请提供一种变F数冷屏、杜瓦组件及红外探测器，变F数冷屏包括冷屏、可变光阑件和侧摆动件；其中，可变光阑件设置于所述冷屏的开口端；侧摆动件设置于所述冷屏的侧壁上，耦接于所述可变光阑件，用于控制调节所述可变光阑件的光阑通孔大小，使冷屏的F数变化。本申请的技术方案实现了冷屏开口大小的控制，可以方便、快捷、有效的实现真空封装的红外探测器冷屏F数值可以自由切换，满足不同应用场景的需求。
一种数冷屏组件红外探测器

[发明专利]一种框架结构及红外探测器-CN202111504401.7在审
发明人：鲍哲博 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种框架结构及红外探测器，涉及电子元器件技术领域，本发明的框架结构，包括基板，基板上开设多个通孔，基板上围绕通孔的外周设置有多个螺母孔，红外探测器芯片架设于通孔上，螺母孔用于穿设螺母以固定红外探测器芯片。本发明提供的框架结构及红外探测器，能够有效的降低热质量，降低制冷机功耗。
一种框架结构红外探测器

[发明专利]半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器-CN202010445691.1有效
发明人：杜鹏 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体而言，提供了一种半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器。所述半导体材料包括依次设置的硅衬底、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1‑xAsySb1‑y超晶格，其中0x1，0y1。该半导体材料中硅衬底与InAs(Sb)/InxGa1‑xAsySb1‑y超晶格之间晶格失配和热失配程度低，超晶格中位错缺陷密度低、质量高。
半导体材料及其制备方法应用激光器光电探测器

[发明专利]InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件-CN202011595232.8有效
发明人：杜鹏 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请提供一种InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件。InAs/GaSb缓冲层包括一个或多个基本缓冲单元，每个基本缓冲单元包括一个或多个基本单元层，每个基本单元层包括一组或多组交替设置的GaSb部分和InAs部分。硅基锑化物半导体材料包括硅衬底和纯镓锑层，硅衬底和纯镓锑层之间设置有InAs/GaSb缓冲层。其制备方法包括：在硅衬底上生长GaSb部分和InAs部分得到多个基本单元层；然后生长纯镓锑层。元器件，其原料包括InAs/GaSb缓冲层或硅基锑化物半导体材料。本申请提供的InAs/GaSb缓冲层能够降低硅与GaSb间的晶格失配，从而实现高质量锑化物外延生长。
inas gasb 缓冲硅基锑化物半导体材料及其制备方法元器件

[发明专利]垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法-CN202010846114.3有效
发明人：杜鹏 -专利权人： 湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直型III‑V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法，涉及半导体材料技术领域，本发明的垂直型III‑V族超晶格材料包括：具有倾角且呈台阶状的衬底，以及，位于衬底上且垂直衬底的超晶格半导体结构；超晶格半导体结构包括垂直衬底分布且交替叠置的第一材料竖层和第二材料竖层，衬底的每个台阶上分布有一个周期的第一材料竖层和第二材料竖层，第一材料竖层和所述第二材料竖层形成超晶格结构；第一材料竖层包括重复层叠生长的第一材料单分子层；第二材料竖层包括重复层叠生长的第二材料单分子层；第一材料和第二材料为不同的III‑V族化合物。这种新型超晶格结构具有纵向的载流子传输优势。
垂直 iii 晶格材料具有分布 ingaassb 合金制备方法

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