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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]静电放电保护结构-CN201310295934.8有效
发明人： 温詠儒;王畅资;唐天浩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电放电保护结构，包括基底、接点区、第一金属氧化物半导体元件、第二金属氧化物半导体元件、第一掺杂区以及第二掺杂区。接点区位于基底中。第一金属氧化物半导体元件包括具有第一导电型的第一漏极区，位于基底中。第二金属氧化物半导体元件包括具有第一导电型的第二漏极区，位于基底中。第一漏极区较第二漏极区接近接点区。第一和第二掺杂区均具有第二导电型，分别位于对应的第一和第二漏极区下方。第一掺杂区的面积和/或掺杂浓度大于第二掺杂区的面积和/或掺杂浓度。通过改变掺杂区的面积/掺杂浓度，可修正掺杂区与接点区距离不同造成的差异，使不同区域各寄生双极性晶体管（BJT）的崩溃电压大致相同，便可使各BJT导通时间几乎一致。
静电放电保护结构

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