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[发明专利]制程处理室中阴极的射频接地-CN201110192596.6有效
发明人：约翰·M·怀特;罗宾·L·蒂纳;朴范珠;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用以在一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送端口之上，其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触，以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一实施例至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个探针，其可电性连接至接地处理室壁或由其它装置作接地，以及数个附有探针的致动器。该等致动器可移动探针以在基材制程期间电性接触基材支撑件。
处理阴极射频接地

[发明专利]淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备-CN200810092685.1有效
发明人：桑贾伊·D·亚达夫;上泉元;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明揭示了淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备，本发明提供一种用来以至少每分钟3000埃()的速率将一电介质淀积到一至少约0.35平方米的大面积基板上的方法及设备。在一实施例中，该电介质为氧化硅。也提供一种大面积基板，其具有一层电介质被淀积于其上，该电介质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的淀积速率来进行淀积，也提供一种制造该大面积基板的反应腔。
氧化大面积基板上方法设备

[发明专利]密封－处理室－开口的方法与装置-CN200480012820.7有效
发明人：栗田四日;李可龄;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-05-12 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： F16K51/02 文献下载
摘要：在一实施例中，一狭缝阀被提供用以密封一开口，该狭缝阀包含一阀壳，其具有一第一壁、一形成在该第一壁中的第一开口、一第二壁及一形成在该第二壁中的第二开口。该狭缝阀同时也包含一封闭件，具有一密封部分，用以接触第二壁及密封第二开口，及一加强件，可相对于该密封部分移动并用以接触第一壁。该狭缝阀还包含至少一致动机制，用以(1)将密封部分移向第二壁并与第二壁接触；及(2)移动该加强件离开该密封部分，并与第一壁接触，以加强该密封部分靠向第二壁。本案也提供多种其它情况。
密封处理开口方法装置

[发明专利]淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备-CN200480006772.0有效
发明人：桑贾伊·D·亚达夫;上泉元;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供一种用来以至少每分钟3000埃()的速率将一电介质淀积到一至少约0.35平方米的大面积基板上的方法及设备。在一实施例中，该电介质为氧化硅。也提供一种大面积基板，其具有一层电介质被淀积于其上，该电介质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的淀积速率来进行淀积，也提供一种制造该大面积基板的反应腔。
氧化大面积基板上方法设备

[发明专利]制程处理室中阴极的射频接地-CN200510103695.7有效
发明人：约翰·M·怀特;罗宾·L·蒂纳;朴范洙;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种用以在一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送埠之上，其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触，以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一实施例至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个探针，其可电性连接至接地处理室壁或由其它装置作接地，以及数个附有探针的致动器。该等致动器可移动探针以在基材制程期间电性接触基材支撑件。
处理阴极射频接地

[发明专利]用于释放基材的方法及设备-CN200510092442.4有效
发明人：约翰·M·怀特;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供一种释放一基材的方法及设备。在一实施例中提供一制程系统，其包括一接地工艺腔本体，其具有一设置于一内部空间中的基材支撑组件；一释放电路可选择性地将该基材支撑组件接至接地端或接至一电源。在本发明的另一实施例中，一用于释放一基材的方法包括下列步骤：在一接地基材支撑组件上的基材上完成一等离子工艺；将该基材支撑组件终止接地；以及施加一释放电压于该基材支撑组件。
用于释放基材方法设备

[发明专利]可调式气体分配板组件-CN200380108409.5无效
发明人： 温德尔·T·布伦尼格;约翰·M·怀特;威廉·A·巴格利 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种气体分配板组件及一在一制程室中用于分配气体的方法。在一具体实施例中，一气体分配板组件包括一耦合至一扩散板的调整板。该调整板具有多个通过该调整板而形成的孔洞，该等孔洞会对准多个通过扩散板而形成的开口，其中该等开口各具有比在该调整板内的孔要大的断面积。各开口是对准一各自的孔以界定通过该气体分配板组件的气体信道。该调整板可与一替换调整板互换，以改变通过该气体分配板组件的气体流动特征。
调式气体分配组件

[发明专利]大面积基板处理系统-CN03821719.8无效
发明人：罗伯特·Z·巴克拉克;温德尔·T·布伦尼格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2003-09-11 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种处理大面积基板的系统与方法。在一实施例中，处理系统包括一传送反应室，其中此传送反应室具有至少一处理反应室以及基板台架系统与其耦接。台架系统包括负载阻隔反应室以及热处理站，其中此负载阻隔反应室具有第一端耦接至传送反应室，且热处理站耦接至负载阻隔反应室的第二端。负载阻隔机械手臂位于负载阻隔反应室中，以利在热处理站与负载阻隔反应室之间进行传送。
大面积处理系统

[发明专利]用来支撑基材的末端受动器组件-CN200380106423.1有效
发明人： 温德尔·T·布伦尼格;松本贵之;威廉·N·斯特林;比利·C·梁 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种用于基材输送机械臂上的末端受动器组件。在一实施例中，一用来在基材运送期间支撑一四边形基材的末端受动器组件包括一末端受动器，其具有一设置在第一端的内缘支撑件及一设置在远程的第一外缘支撑件。该末端受动器的第一端是被设计来耦合至一机械臂连杆。该第一内缘支撑件具有一个平行于且面向该第一外缘支撑件的面。边缘支撑件的结构将基材保持在该末端受动器上，借以让基材在运送期间的滑移减至最小。在另一实施例中，侧向导件可被用来进一步强化沿着开放在内缘及外缘支撑件间的基材边缘的基材捕捉性。
用来支撑基材末端受动器组件

[发明专利]大型基材测试系统-CN03811722.3无效
发明人：马蒂亚斯·布伦纳;栗田新一;温德尔·T·布伦尼格;埃德加·克尔贝格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2003-05-21 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明主要提供一种测试基材的系统与方法。在一个实施例中，用于测试基材的测试系统包含负载阻绝处理室、传送处理室与测试站。负载阻绝处理室与测试站彼此堆栈，并耦接至传送处理室。传送处理室包含设在负载阻绝处理室与测试站间传送基材的机器人手臂，其中负载阻绝处理室位于第一举升高度，而测试站位于第二举升高度。在另一实施例中，提供一个测试站，该测试站具有用来旋转基材的转盘。转盘可实质地缩减测试基材所需的移动范围并有助于基材的完整测试与/或检查。
大型基材测试系统

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