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[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜-CN202080018648.5有效
发明人：市川慎也;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材、以及设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由含有氨基树脂(A)、聚有机硅氧烷(B)、具有硅氧烷键(Si‑O‑Si)作为骨架的烷氧基硅烷水解缩聚物(C)、以及酸催化剂(D)的剥离剂组合物形成。根据该陶瓷生片制造工序用剥离膜，即使是1μm以下的极薄的陶瓷生片，也能够以高品质稳定地生产。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜-CN201910609385.4有效
发明人：市川慎也;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷生片的剥离性优异的陶瓷生片制造工序用剥离膜。所述陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)、(2)具备基材(11)与设置于基材(11)的单面侧的剥离剂层(12)，剥离剂层(12)由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有：不具有聚有机硅氧烷链与倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(A)；具有聚有机硅氧烷链且不具有倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(B)；具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)；光聚合引发剂(D)。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜-CN201910609600.0有效
发明人：市川慎也;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷生片的剥离性优异的陶瓷生片制造工序用剥离膜。所述陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)具备基材(11)与剥离剂层(12)，其中，剥离剂层(12)由含有活性能量射线固化性成分(A)、具有倍半硅氧烷骨架的化合物(B)及光聚合引发剂(C)的剥离剂组合物形成，所述活性能量射线固化性成分(A)由1分子中平均具有至少3个(甲基)丙烯酰基的含羟基(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及1分子中具有至少1个羟基的直链状的二甲基有机聚硅氧烷(a3)反应而成，所述活性能量射线固化性成分(A)不具有倍半硅氧烷骨架。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]保护膜形成用片及保护膜形成用片的加工方法-CN202110737279.1在审
发明人：野岛一马;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C09J7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用片及加工该保护膜形成用片的方法，所述保护膜形成用片即使在使用切割刀片切出保护膜形成膜的情况下，保护膜形成膜与支撑膜之间的浮起的形成也得以抑制。所述保护膜形成用片具有保护膜形成膜、与以可剥离的方式配置于保护膜形成膜的一个主面上的第一剥离膜，23℃下的保护膜形成膜的探针粘性值小于6200mN，23℃下的第一剥离膜的与保护膜形成膜相接的面的表面弹性模量为17MPa以下，探针粘性值与表面弹性模量之积为66000以下。
保护膜形成加工方法

[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜-CN201680063814.7有效
发明人：佐藤庆一;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜1A，其为具备基材11、及设置在基材11的一侧的剥离剂层12的陶瓷生片制造工序用剥离膜1A，剥离剂层12由含有三聚氰胺树脂及聚有机硅氧烷的剥离剂组合物固化而成，通过纳米压痕试验，从剥离剂层12的与基材11相反侧的面测定的覆膜弹性模量为3.5～7.0GPa。根据该陶瓷生片制造工序用剥离膜1A，能够抑制聚有机硅氧烷从剥离剂层迁移至陶瓷生片。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]生片形成用剥离膜-CN201880016629.1在审
发明人：佐藤庆一;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1)，其中，该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面的剥离剂层(12)，上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、及(C)剥离赋予成分。
剥离膜生片剥离剂层剥离剂基材能量线固化固化物硅溶胶疏水化剥离赋予

[发明专利]生片形成用剥离膜-CN201880016630.4在审
发明人：佐藤庆一;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1)，其中，该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面(11A)的剥离剂层(12)，上述剥离剂层(12)由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(4)表示的含有两性离子的基团的含离子性基团的有机硅化合物。
剥离膜生片剥离剂层剥离剂基材固化性化合物有机硅化合物离子性基团两性离子固化物

[发明专利]剥离片及剥离片的制造方法-CN201880010040.0在审
发明人：森裕一;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：一种剥离片，其具备基材与设置在所述基材的至少一面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由含有含羟基丙烯酸类化合物、聚有机硅氧烷及含异氰酸酯基化合物的剥离剂组合物形成。该剥离片发挥优异的剥离性。
剥离片剥离剂层基材含异氰酸酯基化合物剥离剂组合物含羟基丙烯酸聚有机硅氧烷类化合物剥离性制造

[发明专利]剥离片-CN201780064584.0在审
发明人：森裕一;佐藤庆一;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种剥离片，其具备基材与设置于所述基材的至少一面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由剥离剂组合物形成，该剥离剂组合物含有：不含聚硅氧烷骨架的阳离子聚合性化合物、剥离成分及阳离子聚合引发剂，所述剥离剂组合物中，所述阳离子聚合性化合物的掺合量比所述剥离成分及所述阳离子聚合引发剂各自的掺合量多。该剥离片为具有良好的剥离性的新型的剥离片。
剥离片剥离剂组合物阳离子聚合性化合物阳离子聚合引发剂剥离剂层基材剥离聚硅氧烷骨架剥离性

[发明专利]印刷电路基板制造用剥离膜、印刷电路基板制造用剥离膜的制造方法、印刷电路基板的制造方法、及印刷电路基板-CN201580010840.9有效
发明人： 深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明的印刷电路基板制造用剥离膜的特征在于，具有基材(11)和平滑化层(12)和剥离剂层(13)，平滑化层(12)通过加热含有质量平均分子量在950以下的三聚氰胺树脂为主要成分的平滑化层形成用组合物使其固化而形成，剥离剂层(13)通过加热含有三聚氰胺树脂为主要成分且含有聚有机硅氧烷的剥离剂层形成用组合物使其固化而形成，外表面(131)的算术平均粗糙度Ra₁在8nm以下，并且，外表面(131)的最大突起高度Rp₁在50nm以下。
印刷电路基板剥离剂层剥离膜制造三聚氰胺树脂形成用组合物平滑化层固化加热算术平均粗糙度质量平均分子量聚有机硅氧烷印刷电路突起化层基材

[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜-CN201580017694.2有效
发明人：市川慎也;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B32B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)，其具备基材(1)；及剥离剂层(12)，设置于基材的第1面(111)，其中，剥离剂层(12)由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；活性能量射线固化性成分(A)通过使在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基的含羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及在一个分子中具有至少一个羟基且质均分子量为500～8000的直链状二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以使(a3)的量相对于(a1)、(a2)及(a3)的合计量以质量比计成为0.01～0.10的方式反应而成；剥离剂层(12)的厚度、剥离剂层的面(121)的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)、以及基材的第2面(112)的算术平均粗糙度(Ra2)及最大突起高度(Rp2)在规定范围内。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]脱模膜-CN201680009539.0在审
发明人：佐藤庆一;深谷知巳 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及脱模膜(10A)，其具备基材(11)、防静电层(12)和脱模层(13)，所述防静电层(12)设置于基材(11)的一个面(11A)上，所述脱模层(13)设置于防静电层(12)上或基材(11)的另一面侧，其中，基材(11)的一个面(11A)的算数平均粗糙度Ra为15nm以下，最大突起高度Rp为150nm以下，而且防静电层(12)是将包含聚噻吩类导电性高分子(A)的水性热固性树脂组合物固化而形成的，其厚度为12～250nm。
脱模

[发明专利]陶瓷胚片制造工序用剥离膜-CN201380016120.4有效
发明人： 深谷知巳;市川慎也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，其包括基材(11)及设置于基材(11)的一侧的剥离剂层(12)，其中剥离剂层(12)为包含活性能量射线固化性成分以及硅酮类成分的剥离剂组合物的固化物，剥离剂层(12)的与基材(11)相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为8nm以下，且最大突起高度(Rp)为50nm以下，剥离剂层(12)的通过纳米压痕试验所测定的弹性模数为4.0GPa以上，基材(11)的与剥离剂层(12)的相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为5～50nm，且最大突起高度(Rp)为30～500nm。根据照此陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，能够防止·抑制于陶瓷胚片产生针孔或厚度不均等缺陷，而且陶瓷胚片的剥离性也优异。
陶瓷制造工序剥离

[发明专利]印刷电路基板制造用剥离膜以及印刷电路基板制造用剥离膜的制造方法-CN201380016850.4有效
发明人： 深谷知巳;市川慎也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本发明的印刷电路基板制造用剥离膜，其特征在于，具有基材和在基材的第1面侧设置的剥离剂层，该剥离剂层含有在1分子中含有3个以上选自(甲基)丙烯酰基、烯基和马来酰亚胺基的反应性官能基的紫外线固化性化合物(A)、和聚有机硅氧烷(B)、和α‑氨基烷基苯某酮类光聚合引发剂(C)，其平均厚度为0.3～2μm，外表面的算术平均粗糙度Ra1在8nm以下，最大突起高度Rp1在50nm以下，上述基材的第2面的算术平均粗糙度Ra2为5～40nm，其最大突起高度Rp2为60～500nm。根据本发明，能够抑制印刷电路基板上的针孔或局部厚度不均的发生。
印刷路基制造剥离以及方法

[发明专利]印刷电路基板制造用剥离膜-CN201380021204.7有效
发明人： 深谷知巳;市川慎也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B28B1/30 文献下载
摘要：本发明的印刷电路基板制造用剥离膜，其特征在于，其具备：具有第1面和第2面的基材；和通过将含有活化能射线固化性化合物(a1)和聚有机硅氧烷(b1)的材料涂布于所述基材的第1面侧并将其固化而形成的剥离剂层；和通过将含有活化能射线固化性化合物(a2)的材料涂布于基材的第2面侧并将其固化而形成的背面涂布层；剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra₂在8nm以下，并且其最大突起高度Rp₂在50nm以下；背面涂布层的外表面的算术平均粗糙度Ra₃为5～40nm，并且其最大突起高度Rp₃为60～500nm。根据本发明，能够抑制印刷电路基板上针孔或局部厚度不均的产生。
印刷路基制造剥离

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