“深圳市金誉半导体股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果65个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种SiC封装结构及封装方法-CN202310155376.9有效
发明人：詹骐泽;林河北;阳小冬 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC封装结构及封装方法，涉及电路封装领域，包括底板和侧板；该SiC封装结构及封装方法，通过焊接机构的设置可以对芯片进行焊接，通过定位机构的设置可以使得在焊接时，始终对芯片进行定位，防止芯片在焊接的过程中会产生移动，导致虚焊或者断焊的情况发生，通过定位机构的设置使得保护性气体不断进入保护气作用仓，此时进行焊接，由于保护气作用仓内压强增加，如果焊接点内存在气泡，由于焊接点外侧气压增大，气泡受到挤压进行排出，同时在两个限位环其中一个到达极限位置时，另一个可以在连接杆的作用下可以继续旋转，直至两个限位环均达到极限位置，此时多个夹板可以对芯片进行夹持，这样设置可以增加焊接时的稳定性。
一种 sic 封装结构方法

[实用新型]一种多工位半导体芯片定位测试装置-CN202320942661.0有效
发明人：顾岚雁;杨东霓;阳小冬;陈永金;李红 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B07C5/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多工位半导体芯片定位测试装置，涉及半导体芯片检测技术领域，该定位测试装置旨在解决现有技术下不便于对检验不合格的半导体芯片进行剔除的技术问题；该芯片定位测试装置包括设备底座；设备底座的上端设置有第一输送组件，第一输送组件的上端设置有固定架，固定架的内侧设置有推压组件，推压组件的一端设置有推板，固定架的上端设置有检测摄像头，第一输送组件的外侧设置有导料组件，设备底座的上端设置有第二输送组件；该多工位半导体芯片定位测试装置通过推压组件带动推板移动，通过推板将半导体芯片推出，通过导料组件的设置对半导体芯片进行下料至第二输送组件处，从而实现了便于对检验不合格的半导体芯片进行剔除。
一种多工位半导体芯片定位测试装置

[发明专利]一种功率器件芯片及其制造方法-CN201810927552.5有效
发明人：林河北;葛立志;覃事治;徐衡 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件芯片，包括：N型衬底；N型外延层，形成于N型衬底厚度方向一表面上；沟槽，形成于N型外延层内；P型体区，形成于N型外延层内并与沟槽两侧邻接；N+型源区，形成于P型体区内并与沟槽两侧邻接；沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，沟槽底部形成有厚氧化硅层，氮氧化硅层外形成有氧化硅层，厚氧化硅层上形成有半绝缘多晶硅层，半绝缘多晶硅层上填充有多晶硅，多晶硅填满沟槽；以及功率器件芯片的制备方法，在底部厚氧化层上制作半绝缘氧化硅作为过渡缓冲层，降低了应力，进一步提高了器件可靠性，制成器件的性能和可靠性都大幅提高。
一种功率器件芯片及其制造方法

[发明专利]一种半导体封装基板结构及其制作工艺-CN202310550773.6在审
发明人：林河北;阳小冬;解维虎;陈永金 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装基板结构及其制作工艺；包括基板、晶片、多根导线、多个焊盘、多个引脚和封装组件，封装组件包括盒体、盖板、多根导向杆、多根抵持弹簧、多根拉杆和多块限位弧块，基板与盒体相适配，盖板设置于盒体的上方，盒体多个限位腔，每个限位弧块分别设置于对应的限位腔内，每根抵持弹簧的两端分别与盒体和对应的限位弧块固定连接，每根拉杆分别与对应的限位弧块固定连接，多根导向杆均与盖板固定连接，每根导向杆均具有固定孔，通过上述结构的设置，实现了能够便于将半导体进行封装，连接方式简单，利于半导体的安装与拆卸。
一种半导体封装板结及其制作工艺

[实用新型]互连超薄型集成电路封装结构-CN202320429849.5有效
发明人：陈永金;林河北;解维虎;阳小冬 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种互连超薄型集成电路封装结构，包括由金属引脚、连接金属及集成电路组成的封装结构，集成电路设置于由连接金属围合的区域内，金属引脚连接于连接金属的内边，且连接金属与金属引脚位于同一平面上，金属引脚的另一端与设置于集成电路上的I/O点连接。本实用新型解决了现有技术中的集成电路封装结构在高频高功率时的散热、电性漂移及衰减问题。
互连超薄型集成电路封装结构

[实用新型]一种便于去除气泡的封装模具-CN202320838060.5有效
发明人：詹骐泽;杨东霓;陈永金;张泽清;覃事治 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于去除气泡的封装模具，涉及半导体封装技术领域，该封装模具旨在解决现在的塑封模具包装半导体材料容易产生气泡的技术问题，该封装模具包括下模具、设置于下模具上方的上模具，下模具上端设置有封装腔，封装腔外侧设置有阶梯槽，上模具下端设置有与封装腔相适配的模头，下模具下方设置有底座，底座上端前后两侧固定连接有端头台，下模具下端前后两侧固定连接有转座，转座设置于端头台之间，端头台前端安装有一号驱动电机，转座与一号驱动电机的动力输出元件固定连接，该封装模具采用具有阶梯状槽体的封装结构，在注入溶胶时，半导体芯片周围所产生的气泡可以沿逐步扩大的阶梯结构间隙向上排出，去除气泡效果好。
一种便于去除气泡封装模具

[实用新型]具有废气净化功能的半导体芯片焊接装置-CN202320736919.1有效
发明人：林河北;詹骐泽;解维虎;陈永金;梅小杰 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有废气净化功能的半导体芯片焊接装置，涉及焊接装置技术领域，该装置旨在解决现有技术下无法净化废气的技术问题，该装置包括焊接台、设置于焊接台上侧的固定架、安装于固定架上侧的横向调节组件、安装于固定架下侧的废气净化组件；横向调节组件外侧设置有芯片焊接组件，焊接台上侧固定安装有支撑板，支撑板和废气净化组件内侧设置有芯片夹持组件，支撑板前侧设置有电控箱，焊接台上侧固定安装有第一导轨，第一导轨左侧设置有第二导轨，第一导轨和第二导轨上侧设置有放置台，该装置通过设置废气净化组件和芯片焊接组件，可以在芯片焊接过程中同时净化掉焊接过程所产生的废气，从而及时消除废气中的有害物质。
具有废气净化功能半导体芯片焊接装置

[实用新型]一种内置加强结构的半导体封装件-CN202320927270.1有效
发明人：林河北;解维虎;陈永金;梅小杰;覃尚育 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内置加强结构的半导体封装件，属于半导体封装件技术领域，包括安装盒、底板和芯片本体，安装盒内安装有芯片本体，安装盒底部设置有底板，安装盒内部对称开设有插槽，插槽内设置有支撑组件，安装盒顶端对称设置有压接组件，两个支撑组件与芯片本体底部两端衔接，两个支撑组件一侧滑动衔接有针脚。解决了芯片安装不够稳定的问题。具有能够对不同厚度的芯片进行安装，且固定牢靠，方便安装，同时便于进行散热的优点。
一种内置加强结构半导体封装

[发明专利]一种半导体芯片封装装置及封装工艺-CN202310174904.5在审
发明人：詹骐泽;阳小冬;林河北;陈永金 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片封装装置及封装工艺，属于半导体芯片加工领域，包括基座，所述基座的顶端安装有传输组件，通过所述传输组件对集成电路进行运输；封装组件，其装配于所述基座的顶端，且位于所述传输组件的一侧，用于对集成电路上的减缓胶体进行抚平，同时所述封装组件的两端通过支柱与所述基座连接；本发明通过固定组件对集成电路的外表面进行固定，使得这操作人员在对集成电路进行封装时，可同时对多个集成电路进行操作大幅的提升加工效率，同时能够保证封装的效果。
一种半导体芯片封装装置工艺

[实用新型]一种金属封装功率器件散热结构-CN202222992075.5有效
发明人：詹骐泽;林河北;胡慧雄 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型属于功率器件散热领域，尤其为一种金属封装功率器件散热结构，包括吸热机构，所述吸热机构上端中部固定连接有绝缘板，所述绝缘板上端等距离紧贴有三个功率器件本体，且三个功率器件本体上端前部均穿插连接有定位柱，所述定位柱均贯穿功率器件本体并与吸热机构穿插连接在一起，所述吸热机构上端左部与上端右部共同固定连接有定位装置，所述定位装置上部贯穿绝缘板并延伸至其上方，所述吸热机构右端上班与右端下部均固定连接有连接板，且两个定位装置之间共同穿插连接有散热机构。本实用新型所述的一种金属封装功率器件散热结构，通过设置吸热机构和散热机构，从而提高了功率器件本体的散热效果。
一种金属封装功率器件散热结构

[实用新型]可多向调节的压合件结构-CN202222660496.8有效
发明人：陈永金;詹骐泽;林河北;解维虎 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型技术方案公开了一种可多向调节的压合件结构，包括金属固定块，及设置于金属固定块一侧，并向下倾斜的连接座，与金属固定块之间通过一可调节的第一定位螺孔固定，连接座另一端两侧位置分别设有可调的第二定位螺孔和第三定位螺孔，连接座一端设有通过第二定位螺孔和第三定位螺孔固定的压合件。本实用新型技术方案解决了现有技术中的一体式压合结构存在压合水平一致性不足问题，造成部分位置压合过紧，或部分区域压合不紧，基岛、管脚悬浮翘起，从而影响焊线质量和稳定性的问题。
多向调节压合件结构

[发明专利]用于快速充电管理系统的静电防护芯片及其制备方法-CN202111107691.1有效
发明人：顾岚雁;林河北;胡慧雄 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于快速充电管理系统的静电防护芯片，包括衬底、形成在衬底上的第一外延层、第一外延层上的第一注入区、第一注入区上的第二注入区及第二注入区上的第二外延层，自第二外延层延伸至第一外延层内的第一沟槽、位于第一沟槽之间的第二沟槽，第一沟槽内填充氧化硅层，第二沟槽内填充第三外延层，形成在第三外延层内的第三注入区、第二外延层内的第四注入区、第一介质层和第二介质层、位于第一介质层和第二介质层之间的第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔内和第一介质层上的第一金属层，第二介质层上和第二接触孔内的第二金属层。本发明还提供用于快速充电管理系统的静电防护芯片制备方法，提高了放电密度，也降低了器件的制造成本。
用于快速充电管理系统静电防护芯片及其制备方法

[实用新型]一种可精准定位的芯片塑封模具结构-CN202222425399.0有效
发明人：詹骐泽;林河北;解维虎;阳小冬 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可精准定位的芯片塑封模具结构，该模具结构旨在解决现有技术下模具结构无法根据芯片规格的不同进行精准调节定位卡紧，也不能起到按压定位塑封效果的技术问题。该模具结构包括下模具结构、安装在下模具结构上的侧面升降组件、连接于侧面升降组件的上模具结构；下模具结构外侧设置有调节定位组件，上模具结构内部设置有精准按压组件，下模具结构内部开设有芯片塑封凹槽，侧面升降组件内部设置有横向的底部安装板，底部安装板上侧设置有竖向的液压升降调节杆。该模具结构通过精准按压组件可以根据芯片规格的不同对芯片进行精准调节定位卡紧，而通过上模具结构能够起到按压定位塑封的效果。
一种精准定位芯片塑封模具结构

[发明专利]一种用于充电管理的T型柱芯片的制备方法-CN202111313491.1有效
发明人：顾岚雁;林河北;胡慧雄 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了用于充电管理的T型柱芯片的制备方法，包括在第一外延层上形成第一沟槽，对第一沟槽光刻形成位于第一沟槽两侧的第二沟槽，沿第一刻蚀窗口光刻去除部分第二外延层形成第三沟槽，向第三沟槽内填充多晶硅形成第一多晶硅层，沿第二刻蚀窗口光刻去除所述第二外延层形成第四沟槽，对所述第四沟槽进行光刻，去除第二沟槽内的第二外延层和部分第一多晶硅层形成与第四沟槽垂直的第五沟槽和位于第五沟槽上的第二多晶硅层，去除第二多晶硅层露出所述第一沟槽，向第一沟槽内填充第三外延层，去除第一沟槽内的第三外延层，保留第二沟槽内的第二外延层、第三外延层，向第一沟槽内填充第四外延层，调整PN柱电荷平衡，提升了器件的工作性能。
一种用于充电管理芯片制备方法

[实用新型]超大功率器件铜基带焊接结构-CN202221971570.1有效
发明人：陈永金;林河北;解维虎 -专利权人： 深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型技术方案公开了一种超大功率器件铜基带焊接结构，包括金属基岛层，及通过焊料与金属基岛层连接的功率芯片，金属基岛层一侧设有外管脚，功率芯片的源极和漏极通过铜基带与外管脚连接，铜基带与功率芯片及外管脚接触位置均设有凸点，金属基岛层、外管脚、焊料、功率芯片及铜基带通过环氧树脂包覆于塑封体内部。本实用新型技术方案解决了现有技术中的铜线或铝线焊接无法满足大功率，大电流，高散热需求的问题。
超大功率器件基带焊接结构

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 65 条