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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]单片微机存储总线控制方式的数码管驱动电路-CN201120178338.8有效
发明人：白云 -专利权人： 深圳市格莱德科技有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G09G3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单片微机存储总线控制方式的数码管驱动电路，包括单片微机、锁存器、数码管等结构，它利用两路锁存器，通过单片微机的外接存储器扩展接口控制这两路锁存器将单片微机一个写周期内地址信号和数据信号分别锁存，锁存后的地址信号和数据信号分别同时作用于数码管公共控制端和段位输入端，从而实现单片微机通过写外部存储器的方式控制数码管显示。本实用新型控制电路接口简单，占用单片微机资源少，可扩展性强，软件实现简单，通过单片微机写存储器指令即可完成对相对应的数码管显示控制，整个电路实现简单，极大降低了成本。
单片微机存储总线控制方式数码管驱动电路

[实用新型]一种三极管驱动电路-CN201120178304.9有效
发明人：白云 -专利权人： 深圳市格莱德科技有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三极管驱动电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第一三极管，其中第一电阻一端连接信号源，另一端通过第二电阻与第一三极管的基极相连接，第一电容与第二电阻并联，第一三极管的集电极连接负载，发射极接地，第三电阻两端分别与第一三极管的基极和发射极连接，三极管驱动电路根据来自信号源的信号驱动第一三极管，其特征在于，还包括至少一单向导通器件，单向导通器件与第一三极管的基极和发射极并联。本实用新型提供的三极管驱动电路可广泛应用于包含需要快速开关动作的三极管的各种电子电路中，不仅实现对三极管的驱动，并且保护三极管，提高电路可靠性，还加快三极管开通速度，改善电路性能。
一种三极管驱动电路

[实用新型]一种晶体管耦合电路-CN201120178318.0有效
发明人：白云 -专利权人： 深圳市格莱德科技有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体管耦合电路，三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。电路简单，自耗电流小。
一种晶体管耦合电路

[实用新型]一种高频晶体管-CN201120178361.7有效
发明人：白云 -专利权人： 深圳市格莱德科技有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频晶体管，包括外延片，其特征在于，所述外延片背面设有背金层，所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层，所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.18μm，所述外延片与背金层总厚度小于140微米。本实用新型经超减薄后采用五层金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si(硅)层、Pt(铂)层、Ni(镍)层、Cr(铬)层、W(钨)层、Au(金)层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以相互之间的接触电阻达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，可降低晶体管的高频损耗，提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。
一种高频晶体管

[实用新型]一种自耗小电流晶体管耦合电路-CN201120178298.7有效
发明人：白云 -专利权人： 深圳市格莱德科技有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自耗小电流晶体管耦合电路，三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极，本实用新型电路简单，自耗电流小。
一种电流晶体管耦合电路

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