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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双向半导体放电管及其制备方法-CN201910838119.9有效
  • 郑庭坚;张潘德;赖首雄;蓝浩涛 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2019-09-05 - 2023-08-11 - H01L29/06
  • 本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管及其制备方法，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离层；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离层之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离层之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的能力，解决了TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。
  • 一种双向半导体放电及其制备方法
  • [实用新型]一种电气设备用可控硅-CN202220659404.1有效
  • 罗平安;郑庭坚 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2022-03-24 - 2022-09-09 - H01L23/32
  • 本实用新型提出了一种电气设备用可控硅，包括可控硅本体，所述可控硅本体上安装有多个引脚，多个所述引脚上均套设有防护筒，所述防护筒内设有与引脚抵靠的缓冲件，多个所述防护筒上均安装有固定块，多个所述固定块上均滑动穿接有连接柱，所述连接柱上设有用于锁定固定块的第一锁定件，所述可控硅本体上设有用于锁定连接柱的第二锁定件。本实用新型提出了一种电气设备用可控硅，解决了可控硅随意丢放易对引脚造成损坏的问题。
  • 一种电气备用可控硅
  • [发明专利]一种可控硅器件及其制备方法-CN201910849675.6有效
  • 张潘德;赖首雄;蓝浩涛 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2019-09-09 - 2022-08-12 - H01L29/74
  • 本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，使得正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区，背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区，从而可以通过调节正面衬底隔离区和背面衬底隔离区的宽度对可控硅器件的击穿电压进行调节，避免了在制备过程中需要针对击穿电压的不同更换不同的硅基材，导致的制造成本增加、工艺复杂等问题。
  • 一种可控硅器件及其制备方法
  • [实用新型]一种用于半导体集成电路的可控硅-CN202121230489.3有效
  • 罗平安;郑庭坚 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2021-06-03 - 2022-02-08 - H01L23/49
  • 本实用新型公开了一种用于半导体集成电路的可控硅，包括可控硅主体，所述可控硅主体上开设有插装孔，插装孔内可拆卸插装有针脚，插装孔的一侧内壁连接有接触端块，插装孔远离接触端块的一侧内壁活动连接有挡位压紧块，所述可控硅主体上螺纹插接有压紧螺钉，且的一端压紧在挡位压紧块上。本实用新型所述的一种用于半导体集成电路的可控硅，通过设置的挡位压紧块、压紧螺钉与防脱卡块，可以方便人们通过对压紧螺钉的拆装，即可将可控硅主体从针脚上取下或安装，无需人们还有热风枪和电烙铁，操作较为方便，带来更好的使用前景。
  • 一种用于半导体集成电路可控硅
  • [实用新型]一种引线框架-CN202121237251.3有效
  • 罗平安;郑庭坚 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2021-06-03 - 2021-12-07 - H01L23/495
  • 本实用新型公开了一种引线框架，包括引线板，所述引线板的顶面开设有凹槽，所述凹槽的内面开设有排线通道，所述引线板底面的两端均固定连接有支撑板，两个所述支撑板的底面均固定连接有多个凸块，所述引线板的侧面固定连接有多个第一接线引脚与多个第二接线引脚，多个所述第一接线引脚与对应的第二接线引脚上共同设有连接机构。本实用新型能够增加引线板与模腔之间的摩擦力，防止引线板的位置轻易发生晃动，保证电器元件的正常工作，其次，两个支撑板使得引线板与模腔底面之间存在一定距离，方便气流从引线板与模腔底面之间流过，多个散热孔不仅能够节约引线板的生产成本，还扩大了气流的流动范围，利于引线板的散热。
  • 一种引线框架
  • [实用新型]一种电路控制用可控硅-CN202121237841.6有效
  • 罗平安;郑庭坚 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2021-06-03 - 2021-12-07 - H01L23/10
  • 本实用新型提出了一种电路控制用可控硅，包括可控硅本体，所述可控硅本体的正面安装有多个引脚，所述可控硅本体的顶部可拆卸安装有防护罩，所述可控硅本体上设有用于防护罩锁定的锁定件，所述防护罩的侧面安装有位于引脚上方位置的连接杆，所述连接杆的底部安装有可拆卸套接在引脚上的防护块。本实用新型提出了一种电路控制用可控硅，能够防止可控硅在打包运输时随意丢放对引脚造成损坏，还能使得可控硅在打包时在一定程度堆叠，便于打包时对其进行摆放。
  • 一种电路控制可控硅
  • [实用新型]一种双向半导体放电管-CN201921475518.5有效
  • 张潘德;赖首雄;蓝浩涛 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2019-09-05 - 2020-06-02 - H01L29/74
  • 本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离区之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的能力，解决了TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。
  • 一种双向半导体放电
  • [实用新型]一种可控硅器件-CN201921815377.7有效
  • 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2019-10-25 - 2020-05-19 - H01L29/74
  • 本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。
  • 一种可控硅器件
  • [实用新型]一种可控硅器件-CN201921851170.5有效
  • 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2019-10-30 - 2020-05-15 - H01L29/08
  • 本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击穿电压进行调节，从而提升可控硅器件在高温环境下的击穿电压，解决了现有的可控硅器件在高温工作环境下的击穿电压较低的问题。
  • 一种可控硅器件
  • [实用新型]一种可控硅器件-CN201921496834.0有效
  • 张潘德;赖首雄;蓝浩涛 - 深圳市德芯半导体技术有限公司
  • 2019-09-09 - 2020-04-24 - H01L29/417
  • 本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，使得正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区，背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区，从而可以通过调节正面衬底隔离区和背面衬底隔离区的宽度对可控硅器件的击穿电压进行调节，避免了在制备过程中需要针对击穿电压的不同更换不同的硅基材，导致的制造成本增加、工艺复杂等问题。
  • 一种可控硅器件
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