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[发明专利]一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法-CN201911156901.9在审
发明人：关美英;关雯;关剑英 -专利权人： 深圳市伯斯特科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C11D3/28 文献下载
摘要：本发明所涉及一种水性锡膏清洗剂，包括有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂，缓冲剂。在清除电路板表面或电路板表面与芯片框架之间的锡膏残留物时，将含芯片的框架在高温焊接后或电路板浸泡在此水性锡膏清洗剂中，锡膏清洗剂中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留物中的锡膏及金属氧化物等物质溶解、分解成微小颗粒或产生化学反应，使锡膏以及微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片框架表面或电路板表面清洁能力。与此同时，将在水性锡膏清洗剂扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够保护电路板表面或芯片框架表面的金属线路的稳定，阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。本发明水性锡膏清洗剂制作工艺具有操作简单，加工方便。所述清洗方法具有使用简单，清洗方便的功效。
一种水性锡膏清洗剂制作工艺清洗方法

[发明专利]一种半导体光刻胶清洗剂-CN201911162280.5在审
发明人：关美英;关清君;关雯 -专利权人： 深圳市伯斯特科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明所涉及一种半导体光刻胶清洗剂，其包括醇胺，C4‑C6多元醇，溶剂，有机碱以及添加剂，而将所组成的成分混合形成混合溶液，再将含有光刻胶的半导体晶片浸入到所述混合溶液中，加热至85℃后浸泡设定的时间之后，取出洗涤后用高纯氮气吹干，即可。在此去除光刻胶工序过程中，因当含有光刻胶的半导体晶片浸入混合溶液之后，光刻胶中树脂材料溶解或分解于混合溶液内，使得去除于残留半导体晶片表面光刻胶的目的。与此同时，在浸泡于混合溶液之后的半导体晶片表面形成一层厚度为1‑2um的导电层，具有限流保护电极与电路的能力，从而达到防止电路板上芯片表面线路的被氧化，防止静电击穿电路，以及芯片边缘被崩边的功能。
一种半导体光刻洗剂

[发明专利]芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺-CN201810699068.1在审
发明人：关美英;关雯;关剑英 -专利权人： 深圳市伯斯特科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本发明所涉及一种芯片激光切割保护液，其包括有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。在使用激光切割芯片时，激光切割保护液被撒落在芯片表面，均匀扩散到整个芯片表面。所述表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于芯片表面的物质分解成微小颗粒或化学反应，溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片表面清洁能力。与此同时，所述激光切割保护液扩散芯片表面形成一层有机保护膜，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。所述缓蚀剂能够阻止芯片表面的金属线路在高温下被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。本发明还具有操作简单和使用方便的功效。
芯片表面激光切割保护液芯片表面活性剂金属线路有机溶剂缓蚀剂清洁剂清洁剂溶液有机保护膜化学反应均匀扩散清洁能力微小颗粒物质分解制作工艺偶联剂氧化物崩边切割溶解残留扩散

[发明专利]芯片切割清洗液及该清洗液制作工艺-CN201810699064.3在审
发明人：关美英;关雯;关剑英 -专利权人： 深圳市伯斯特科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C11D10/04 文献下载
摘要：本发明所涉及一种芯片切割清洗液，包括有表面活性剂,无机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。当切割刀与芯片接触时，通过高压泵把芯片切割清洗液与纯净水稀释后形成混合液喷淋到切割刀与芯片接触的相交处，该混合液能够均匀扩散到整个芯片表面，将残留于芯片表面污垢分解去除，达到芯片表面清洁能力。混合液中无机清洁剂有效成分能够快速冷却切割刀与芯片接触摩擦产生热量，有利于延长切割刀的使用寿命。混合液中有机溶剂有效成分具有高度的润滑性能，防止芯片切割时崩边现象发生。混合液中有效成分还具有防止氧化功能，防止静电电击功能，节约成本，节能环保功能。本发明还具有操作简单，加工方便的功能。
芯片切割混合液切割刀清洗液芯片表面芯片接触清洁剂有机溶剂表面活性剂电击功能混合液喷加工方便节能环保均匀扩散快速冷却清洁能力润滑性能使用寿命污垢分解氧化功能制作工艺静电纯净水高压泵缓蚀剂偶联剂相交处崩边稀释去除摩擦残留节约