专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种交流检测电路、芯片及应急照明系统-CN202310538735.9有效
  • 林道明;张宏业;刘杰 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-08-01 - G01R31/00
  • 本发明公开了一种交流检测电路、芯片及应急照明系统,涉及集成电路技术领域,该交流检测电路的第一检测端、第二检测端用于分别接入交流电网,交流检测电路用于在交流电网上电后,判断第一次大于参考电压VREF1的电压为第一检测端电压或第二检测端电压,输出判断逻辑信号;在该判断逻辑信号有效时产生锁死信号,并基于锁死信号将判断逻辑信号锁定;然后根据锁死信号控制停电检测的电流方向从第一检测端和第二检测端中电压高的一端流出,经交流电网后流入第一检测端和第二检测端中电压低的一端。本发明实现了接入交流电网的每个交流检测电路不会相互干扰,且对交流电网的停电检测结果都一致。
  • 一种交流检测电路芯片应急照明系统
  • [实用新型]屏蔽栅MOSFET器件的终端结构-CN202222327079.1有效
  • 余强;姚鑫;孙健 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2022-08-31 - 2023-01-31 - H01L29/78
  • 本实用新型公开了一种屏蔽栅MOSFET器件的终端结构,包括:衬底;有源区栅极沟槽和终端分压环沟槽,设置在衬底上,其中,有源区栅极沟槽包括多个依次间隔排列的第一有源区栅极沟槽和第二有源区栅极沟槽,第二有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽相连,且终端分压环沟槽具有弯曲部分;栅极接触孔;源极接触孔,设置于相邻的有源区栅极沟槽之间的衬底以及相邻的有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽之间的衬底;终端分压环沟槽源极接触孔;终端截止环沟槽。通过设置有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽相连,使得二者之间呈现出环绕的电场,由于距离和结构的一致性,该区域电场能够得到优化,进而实现了电场均匀稳定且保证了器件终端的耐压需求。
  • 屏蔽mosfet器件终端结构
  • [发明专利]芯片修调检测电路及其芯片、电子设备-CN202211309910.9有效
  • 高兴波;唐永生;林道明 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-01-24 - G05F3/26
  • 本申请涉及一种芯片修调检测电路及其芯片、电子设备,该电路包括至少一个基准单元,基准单元包括第一MOS管、第二MOS管,以及基准电阻,第一MOS管、第二MOS管、基准电阻依次连接形成偏置电路;N个修调检测单元,每个修调检测单元包括第三MOS管、第四MOS管,以及修调熔丝,第三MOS管、第四MOS管、修调熔丝依次连接与偏置电路形成镜像电路,第三MOS管和第四MOS管之间作为检测节点输出检测信号;第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一个或多个分别通过开关连接一个或多个第五MOS管;当芯片进行修调检测时,开关置为状态一,当芯片处于工作模式时,开关处于状态二,本申请不仅可以提高芯片修调检测的可靠性,同时还能减小芯片面积。
  • 芯片检测电路及其电子设备
  • [发明专利]一种快启动电路和LED驱动电源-CN202211182045.6在审
  • 郑儒富;唐永生;张宏根;刘杰;林道明 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-01-06 - H02M1/36
  • 本发明实施例公开了一种快启动电路和LED驱动电源,涉及电力电子技术领域,该快启动电路能解决在预设的调光信号不同占空比时,出现的不受控制的启动时间,特别是在调光信号低占空比上电启动时,出现输出电容充电更慢,启动时间长的问题。该快启动电路包括:充电加速控制模块和能基于调光信号控制驱动电源功率管关断的恒流控制关断模块;恒流控制关断模块在快启动状态下停止控制功率管关断;充电加速控制模块在快启动状态下,基于驱动电源的电流检测电压信号和快启动电压控制功率管关断,以使电流检测电压信号的峰值电压固定为快启动电压后对驱动电源的输出电容加速充电;其中,驱动电源在初始上电后进入快启动状态。
  • 一种启动电路led驱动电源
  • [发明专利]一种过压保护电路和LED驱动电源-CN202211091715.3有效
  • 郑儒富;唐永生;张宏根;刘杰;林道明 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2022-09-07 - 2022-12-20 - H05B47/24
  • 本发明实施例公开了一种过压保护电路和LED驱动电源,涉及过压保护技术领域,该过压保护电路包括采样保持模块、退磁检测模块以及过压判断模块,过压判断模块能在驱动电源的功率管导通的情况下,对接收的采样电压进行采样保持得到基准电压;其中,采样电压由采样保持模块将采样保持的电流检测电压信号Vcs的峰值电压与一直流电压Vdc叠加得到;在功率管关断时,过压判断模块对基准电压进行放电,并在接收到电感退磁结束的信号时,基于基准电压放电后的剩余电压与当前接收的采样电压的比较结果,确定驱动电源的输出电压是否过压。
  • 一种保护电路led驱动电源
  • [发明专利]一种过压保护电路和LED驱动电源-CN202211183415.8有效
  • 郑儒富;唐永生;张宏根;刘杰;林道明 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2022-09-27 - 2022-12-20 - H02H3/20
  • 本发明公开了一种过压保护电路和LED驱动电源,涉及过压保护技术领域,其中,过压保护电路包括峰值电压固定模块和过压保护逻辑模块,本本发明可以实现输出电压先触发预过压保护点,在输出电压触发预过压保护点后,将电流检测电压信号Vcs的峰值电压Vcspk控制为固定值以及将预过压保护点调整为过压保护点,这样,当输出电压再触发过压保护点时,过压保护点就不会受到峰值电压Vcspk误差的影响,进而能够使得驱动电源的输出电容的体积和耐压等级能够减小,制成的驱动电源的体积更小、成本更低。
  • 一种保护电路led驱动电源
  • [发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法-CN202110811506.0有效
  • 孙健;其他发明人请求不公开姓名 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2021-07-19 - 2022-11-11 - H01L29/78
  • 本申请涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法,在外延层的沟槽侧壁生长屏蔽栅氧化层,然后填充屏蔽栅多晶硅,将屏蔽栅多晶硅回刻至第一目标深度;淀积目标厚度T的氮化硅层,以形成隔离屏蔽栅多晶硅和器件栅极的介质隔离层,氮化硅层回刻至外延层表面处;刻蚀屏蔽栅氧化层至第二目标深度,蚀刻氮化硅层至第一目标厚度K,使得氮化硅层上表面伸出屏蔽栅氧化层表面;生长栅氧化层,淀积栅极多晶硅,蚀刻栅极多晶硅至第三目标深度,以形成屏蔽栅沟槽MOSFET,本申请具有结构稳定、生产效率高、成本低等优点。
  • 一种屏蔽沟槽mosfet制造方法
  • [发明专利]一种芯片修调电路及修调方法-CN202110623163.5有效
  • 不公告发明人 - 深圳利普芯微电子有限公司
  • 2021-06-04 - 2022-10-28 - G01R31/28
  • 本申请涉及一种芯片修调电路及修调方法,包括:1个修调引线端,作为芯片的修调PAD用于输入修调电压;n+1个控制单元,根据使能信号执行输出或不输出修调控制指令C0[n:0]的操作;1个或多个使能单元,当所述修调电压达到阈值后,输出所述使能信号至控制单元;n+1个修调单元,共接同一个所述修调引线端,根据所述修调控制指令C0[n:0]执行熔断或不熔断修调熔丝的操作;n+1个熔丝检测电路,用于检测所述修调熔丝的熔断状态并输出对应的修调熔丝检测信号TRIMOUT[n:0],本申请将多个修调单元共用同一个修调PAD的方式来降低芯片PAD面积,降低制作成本,同时利用使能信号来控制修调开始和结束,以保证修调结果。
  • 一种芯片电路方法

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